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게이트전압에 의한 멀티레벨 조절이 가능한 유연한 비휘발성 강유전체 고분자 메모리

  • 기술번호 : KST2015012831
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 멀티레벨 비휘발성 메모리 디바이스에 관한 기술로서, 강유전체 게이트 전계효과트랜지스터를 이용하여 멀티레벨의 메모리 소자로의 구현이 가능하도록 하는 기술을 제공한다. 즉, 1개의 셀을 이용하여 멀티레벨이 가능하기 때문에 데이터 집적도가 높아진다. 또한, 데이터 리텐션 및 내구성 등이 매우 우수하며 휨성(flexibility)을 갖는 멀티레벨 메모리의 제조가 가능하다.
Int. CL G11C 16/02 (2006.01) G11C 11/22 (2006.01)
CPC G11C 11/223(2013.01) G11C 11/223(2013.01) G11C 11/223(2013.01) G11C 11/223(2013.01)
출원번호/일자 1020120092076 (2012.08.23)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1438273-0000 (2014.08.29)
공개번호/일자 10-2014-0026698 (2014.03.06) 문서열기
공고번호/일자 (20140904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울특별시 마포구
2 황선각 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0676461-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0034260-90
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0672573-55
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-1087963-79
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-1205517-65
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0089455-44
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0202808-32
11 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2014.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0038054-58
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0281988-16
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0281991-54
14 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0570199-57
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 게이트전극, 상기 게이트전극 상의 강유전성 고분자 절연체, 반도체층 및 상기 반도체층 상의 소스전극과 드레인전극을 포함하는 FeFET를 이용한 멀티레벨 비휘발성 강유전체 고분자 메모리의 동작 방법에 있어서,게이트 전압(VG)을 설정된 적어도 3개의 프로그램 게이트 전압으로 가해주어 상기 강유전성 고분자 절연체의 분극(polarization)을 원하는 상태로 제어하는 단계(I); 상기 단계(I) 이후 게이트 전압(VG)을 설정된 리딩 전압(reading voltage)으로 변경 유지하면서, 드레인-소스간 전류(IDS)를 측정하는 단계(Ⅱ); 및상기 드레인-소스간 전류(IDS)를 측정한 후 상기 게이트 전압(VG)을 리딩 전압(reading voltage)에서 이레이즈 게이트 전압으로 변경해주는 단계(Ⅲ)를 포함하여 이루어지되, 상기 단계(I) 내지 단계(Ⅲ)에서 드레인-소스간 전압(VDS)은 일정한 전압으로 계속 가해지며, 설정된 프로그램 게이트 전압에 따라 단계(I) 내지 단계(Ⅲ)를 반복하며,상기 단계(II)에서 리딩 전압은 강유전성 게이트 절연체의 단계(I)에서의 분극 상태를 변화시키지 않는 전압이며, 상기 기판은 휨성(flexibility)이 있는 기판인 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과트랜지스터의 게이트 전압 조절을 통한 멀티레벨 비휘발성 강유전체 고분자 메모리 동작 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에서, 상기 리딩 전압은 0 V인 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과트랜지스터의 게이트 전압 조절을 통한 멀티레벨 비휘발성 강유전체 고분자 메모리 동작 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에서, 상기 기판이 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과트랜지스터의 게이트 전압 조절을 통한 멀티레벨 비휘발성 강유전체 고분자 메모리 동작 방법
6 6
제1항에서, 상기 강유전성 고분자 절연체는 PVDF(poly(vinylidene fluoride)) 또는 PVDF-TrFE(poly(vinylidene fluoride)-trifluoroethylene)인 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과트랜지스터의 게이트 전압 조절을 통한 멀티레벨 비휘발성 강유전체 고분자 메모리 동작 방법
7 7
제1항에서, 상기 반도체층은 유기반도체인 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과트랜지스터의 게이트 전압 조절을 통한 멀티레벨 비휘발성 강유전체 고분자 메모리 동작 방법
8 8
제7항에서, 상기 유기반도체로 P3HT(poly(3-hexyl thiophene))인 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과트랜지스터의 게이트 전압 조절을 통한 멀티레벨 비휘발성 강유전체 고분자 메모리 동작 방법
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제1항에서, 상기 3개의 프로그램 게이트 전압으로 각각 -80, -50, -30 V이며, 상기 이레이즈 게이트 전압은 +80V 것을 특징으로 하는 강유전체 전계효과트랜지스터의 게이트 전압 조절을 통한 멀티레벨 비휘발성 강유전체 고분자 메모리 동작 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부/한국연구재단 연세대학교 산학협력단 미래기반기술개발사업 지능형 대면적 디스플레이용 나노페턴소재 기술