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산화물 박막 조성물, 산화물 박막 형성 방법 및 산화물 반도체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015012845
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 박막 조성물, 산화물 박막 형성 방법 및 산화물 반도체 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 조성물은, 산화물 전구체; 발열 반응을 유발하는 첨가제; 및 상기 산화물 전구체 및 상기 첨가제를 용해시키는 용매;를 포함할 수 있다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 1/08 (2006.01)
CPC H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01)
출원번호/일자 1020130036298 (2013.04.03)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1440905-0000 (2014.09.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140917) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.02)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울 송파구
2 임유승 대한민국 서울특별시 서대문구
3 윤석현 대한민국 서울 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0290096-82
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0315653-79
5 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0380614-12
6 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.04.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-2014-0034771-43
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0334838-55
9 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.05.23 수리 (Accepted) 9-1-2014-0043050-54
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0681323-57
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0681324-03
12 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0557336-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물 전구체;발열 반응을 유발하는 첨가제; 및상기 산화물 전구체 및 상기 첨가제를 용해시키는 용매;를 포함하며,상기 산화물 전구체와 상기 첨가제 간의 몰비는 1:0
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화물 전구체는:인듐화합물, 아연화합물, 주석화합물, 갈륨화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 알루미늄화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 지르코늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 텅스텐화합물, 몰리브덴화합물, 세륨화합물, 크롬화합물, 스칸디움화합물, 실리콘화합물, 네오디뮴화합물 및 스트론튬화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물;을 포함하는 산화물 박막 조성물
3 3
제 1 항에 있어서,상기 첨가제는:아세틸아세톤(Acetylacetone, C5H8O2), 시트릭에이시드(Citric acid, C6H8O7), 암모니아 하이드록사이드(Ammonium hydroxide, NH4OH), 나이트릭에이시드(Nitric acid, HNO3), 암모늄나이트레이트(Ammonium nitrate, NH4NO3), 이미다졸(Imidazole, C3H4N2), 나이트로글리세린(Nitroglycerine, C3H5(NO3)3), 아세토아세타닐라이드(Acetoacetanilide, CH3COCH2CONHC6H5), 하이드로클로라이드(Hydrochloride, C6H5NH3Cl), 암모늄포메이트(Ammonium formate, HCO2NH4), 암모늄바이카보네이트(Ammonium bicarbonate, NH4HCO3), 암모늄아세테이트(Ammonium acetate, CH3CO2NH4), 암모늄옥살레이트모노하이드레이트(Ammonium oxalate monohydrate, (NH4)2C2O4·H2O), 하이드라진아세테이트(Hydrazine acetate, H2NNH2·CH3CO2H), 하이드라진모노하이드레이트(Hydrazine monohydrate, NH2NH2·H2O) 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 산화물 박막 조성물
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 산화물 전구체는 인듐 나이트레이트 하이드레이트(Indium nitrate hydrate, In(NO3)3·H2O)이며,상기 첨가제는 아세틸아세톤(Acetylacetone, C5H8O2) 및 암모니아 하이드록사이드(Ammonium hydroxide, NH4OH)인 산화물 박막 조성물
6 6
제 5 항에 있어서,상기 인듐 나이트레이트 하이드레이트와 상기 아세틸아세톤과 상기 암모니아 하이드록사이드 간의 몰비는 1:2:0
7 7
제 1 항에 있어서,상기 산화물 전구체는 인듐 나이트레이트 하이드레이트(Indium nitrate hydrate, In(NO3)3·H2O)이며,상기 첨가제는 나이트릭에이시드(Nitric acid, HNO3)인 산화물 박막 조성물
8 8
제 7 항에 있어서,상기 인듐 나이트레이트 하이드레이트와 상기 나이트릭에이시드 간의 몰비는 1:4
9 9
산화물 전구체 및 발열 반응을 유발하는 첨가제를 용해시킨 용액을 기판에 도포하는 단계; 및상기 용액이 도포된 기판을 100℃ 내지 250℃로 열처리하는 단계;를 포함하며,상기 용액 내 상기 산화물 전구체와 상기 첨가제 간의 몰비는 1:0
10 10
삭제
11 11
제 9 항에 있어서,상기 산화물 전구체는 인듐 나이트레이트 하이드레이트(Indium nitrate hydrate, In(NO3)3·H2O)이며,상기 첨가제는 아세틸아세톤(Acetylacetone, C5H8O2) 및 암모니아 하이드록사이드(Ammonium hydroxide, NH4OH)이며,상기 용액 내 상기 인듐 나이트레이트 하이드레이트와 상기 아세틸아세톤과 상기 암모니아 하이드록사이드 간의 몰비는 1:2:0
12 12
제 9 항에 있어서,상기 산화물 전구체는 인듐 나이트레이트 하이드레이트(Indium nitrate hydrate, In(NO3)3·H2O)이며,상기 첨가제는 나이트릭에이시드(Nitric acid, HNO3)이며,상기 용액 내 상기 인듐 나이트레이트 하이드레이트와 상기 나이트릭에이시드 간의 몰비는 1:4
13 13
제 9 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 유리 기판 또는 플렉시블 기판을 포함하는 산화물 박막 형성 방법
14 14
제 9 항에 있어서,상기 열처리하는 단계는:상기 기판을 제 1 온도로 제 1 시간 동안 열처리하는 단계; 및상기 기판을 제 2 온도로 제 2 시간 동안 열처리하는 단계를 포함하고,상기 제 1 온도는 상기 제 2 온도보다 낮으며,상기 제 1 시간은 상기 제 2 시간보다 짧은 산화물 박막 형성 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 제 1 온도는 120℃이고, 상기 제 1 시간은 5 분이며,상기 제 2 온도는 200℃이고, 상기 제 2 시간은 1 시간인 산화물 박막 형성 방법
16 16
제 9 항에 있어서,상기 열처리하는 단계는:퍼니스, 핫 플레이트 또는 RTA(Rapid Thermal Annealing) 장비를 이용하여 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 형성 방법
17 17
불순물이 도핑된 기판에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 위에 산화물 전구체 및 발열 반응을 유발하는 첨가제를 용해시킨 용액을 도포하는 단계;상기 용액이 도포된 기판을 100℃ 내지 250℃로 열처리하여 산화물 박막을 형성하는 단계; 및상기 산화물 박막 위에 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 용액 내 상기 산화물 전구체와 상기 첨가제 간의 몰비는 1:0
18 18
제 17 항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는:붕소 이온이 도핑된 Si 기판에 SiO2를 열적으로 성장시키는 단계를 포함하는 산화물 반도체 제조 방법
19 19
삭제
20 20
제 17 항에 있어서,상기 산화물 전구체는 인듐 나이트레이트 하이드레이트(Indium nitrate hydrate, In(NO3)3·H2O)이며,상기 첨가제는 아세틸아세톤(Acetylacetone, C5H8O2) 및 암모니아 하이드록사이드(Ammonium hydroxide, NH4OH)이며,상기 용액 내 상기 인듐 나이트레이트 하이드레이트와 상기 아세틸아세톤과 상기 암모니아 하이드록사이드 간의 몰비는 1:2:0
21 21
제 17 항에 있어서,상기 산화물 전구체는 인듐 나이트레이트 하이드레이트(Indium nitrate hydrate, In(NO3)3·H2O)이며,상기 첨가제는 나이트릭에이시드(Nitric acid, HNO3)이며,상기 용액 내 상기 인듐 나이트레이트 하이드레이트와 상기 나이트릭에이시드 간의 몰비는 1:4
22 22
제 17 항에 있어서,상기 용액을 도포하는 단계는:상기 절연층 위에 상기 용액을 스핀 코팅하는 단계를 포함하는 산화물 반도체 제조 방법
23 23
제 17 항에 있어서,상기 열처리하여 산화물 박막을 형성하는 단계는:상기 기판을 120℃로 5 분 동안 열처리하는 단계; 및상기 기판을 200℃로 1 시간 동안 열처리하는 단계;를 포함하는 산화물 반도체 제조 방법
24 24
제 17 항에 있어서,상기 전극을 형성하는 단계는:상기 산화물 박막 위에 금속을 스퍼터링하여 소스 전극 및 드레인 전극을 증착하는 단계를 포함하는 산화물 반도체 제조 방법
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 전자정보디바이스산업원천기술개발 150oC 이하 인쇄기반 플렉서블 디스플레이 백플레인용 산화물 반도체, 절연체 잉크 소재 및 공정 기술 개발