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박막층 형성 방법, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법 및 디스플레이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015012849
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막층 형성 방법, 전계효과 트랜지스터의 제조 방법 및 디스플레이의 제조 방법에 관한 것으로, 박막층 형성 방법은, 제1 기판상에 수용성 폴리머를 포함하는 희생층을 형성하는 단계; 희생층 상에 박막층을 형성하는 단계; 박막층 상에 박막층을 지지하기 위한 지지층을 형성하는 단계; 희생층과 박막층 및 지지층이 형성된 제1 기판을 물을 포함하는 액체에 침지하여 희생층을 제거하는 단계; 및 제1 기판으로부터 분리된, 지지층이 형성된 박막층을 제2 기판으로 전사하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66742(2013.01) H01L 29/66742(2013.01) H01L 29/66742(2013.01) H01L 29/66742(2013.01)
출원번호/일자 1020130119963 (2013.10.08)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1438581-0000 (2014.09.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140912) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울 영등포구
2 정한얼 대한민국 서울특별시 서대문구
3 고경용 대한민국 제주 제주

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0911213-83
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0380583-84
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.04.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-2014-0034764-23
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.05.20 수리 (Accepted) 9-1-2014-0042669-26
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0342220-93
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0678311-38
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0788639-00
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0788637-19
10 등록결정서
Decision to grant
2014.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0583708-02
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀층 또는 탄소나노튜브층 상에 절연층을 형성하는 방법에 있어서,제1 기판상에 수용성 폴리머를 포함하는 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 상기 절연층을 지지하기 위한 지지층을 형성하는 단계;상기 희생층과 상기 절연층 및 상기 지지층이 형성된 상기 제1 기판을 물을 포함하는 액체에 침지하여 상기 희생층을 제거하는 단계; 및상기 제1 기판으로부터 분리된, 상기 지지층이 형성된 상기 절연층을 상기 그래핀층 또는 상기 탄소나노튜브층을 구비한 제2 기판으로 전사하는 단계를 포함하며,상기 지지층이 형성된 상기 절연층을 상기 그래핀층 또는 상기 탄소나노튜브층을 구비한 제2 기판으로 전사하는 단계는:상기 제1 기판으로부터 분리되어 상기 액체에 부유하는 상기 지지층 및 상기 절연층을 상기 제2 기판으로 떠내는 단계; 또는상기 지지층의 점성을 이용하여 롤(roll)에 상기 절연층과 상기 지지층을 붙힌 후, 롤에 부착된 상기 절연층과 상기 지지층을 가열된 상태의 상기 제2 기판으로 전사하는 단계를 포함하는 절연층 형성 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 절연층 상에 형성된 상기 지지층을 지지층 제거액을 이용하여 제거하는 단계를 더 포함하는 절연층 형성 방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 지지층은,폴리메타크릴산메틸 수지를 포함하는 절연층 형성 방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 지지층 제거액은 아세톤을 포함하는 절연층 형성 방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 희생층은,상기 수용성 폴리머로서 폴리아크릴산을 포함하는 절연층 형성 방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 절연층은,산화 알루미늄 절연층을 포함하는 절연층 형성 방법
7 7
제6 항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는,원자층 증착법을 이용하여 상기 희생층 상에 상기 산화 알루미늄 절연층을 형성하는 절연층 형성 방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제1 항에 있어서,상기 제1 기판은,실리콘 기판인 절연층 형성 방법
11 11
제1 항에 기재된 절연층 형성 방법에 의하여 제1 기판으로부터 그래핀층 또는 탄소나노튜브층을 구비한 제2 기판상으로 절연층을 전사하여 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 제2 기판상에 드레인 전극과 소스 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
12 12
제1 항에 기재된 절연층 형성 방법에 의하여 제1 기판으로부터, 제1 방향으로 인접하는 전계효과 트랜지스터의 전극 간을 연결하는 그래핀층을 구비한 제2 기판상으로 절연층을 전사하여 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 상에 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 인접하는 전계효과 트랜지스터의 전극 간을 연결하는 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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