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과산화수소를 이용한 산화물 박막 형성 방법 및 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015012861
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 과산화수소를 이용하여 산화물 박막을 형성하는 방법 및 산화물 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 형성 방법은, 전구체 물질을 용매에 용해시킨 전구체 용액에 과산화수소를 혼합하는 단계; 상기 과산화수소 혼합 후 기 결정된 시간 내에 상기 과산화수소가 혼합된 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계; 상기 기판을 제 1 온도에서 열처리하는 단계; 및 상기 기판을 제 2 온도에서 열처리하는 단계;를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020130079125 (2013.07.05)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1433857-0000 (2014.08.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.05)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울 송파구
2 권정무 대한민국 충남 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0608123-42
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0654500-75
3 선행기술조사의뢰 취소
Revocation of Request for Prior Art Search		 2014.02.06 수리 (Accepted) 9-1-0000-0000000-00
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0023184-05
5 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0380588-12
6 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.04.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0279179-40
8 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-2014-0034766-14
9 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.05.25 수리 (Accepted) 9-1-2014-0043172-15
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0592169-56
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0592168-11
12 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0546150-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전구체 물질을 용매에 용해시킨 전구체 용액에 과산화수소를 혼합하는 단계;상기 과산화수소 혼합 후 상기 과산화수소가 혼합된 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계;상기 기판을 제 1 온도에서 열처리하는 단계; 및상기 기판을 제 2 온도에서 열처리하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 형성 방법으로,상기 전구체 물질은 인듐 나이트레이트 하이드로스(Indium nitrate hydrous), 갈륨 나이트레이트 하이드로스(Gallium nitrate hydrous) 및 진크 아세테이트 디하이드레이트(Zinc acetate dihydrate)를 포함하는 산화물 박막 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전구체 물질은:주석 화합물, 지르코늄 화합물, 알루미늄 화합물, 네오디뮴 화합물, 탄탈륨 화합물, 타이타늄 화합물, 바륨 화합물, 란사늄 화합물, 망간 화합물, 크롬 화합물, 스트론튬 화합물, 이트륨 화합물 및 세륨 화합물 중 적어도 하나를 더 포함하는 산화물 박막 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 용매는:2-메속시에탄올(2-methoxyethanol), 이소프로판올(isopropanol), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide), 에탄올(ethanol), 탈이온수(deionized water), 메탄올(methanol), 아세틸아세톤(acetylacetone), 디메틸아민보란(dimethylamineborane) 및 아세토니트릴(acetonitrile) 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 박막 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전구체 용액에 과산화수소를 혼합하는 단계 전에,상기 전구체 용액에 아세트산(CH3COOH), 질산(HNO3), 모노-에탄올아민(mono-ethanolamine), 디-에탄올아민(di-ethanolamine), 트리-에탄올아민(tri-ethanolamine), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 에틸렌다이아민(ethylenediamine), 테트라메틸에틸렌다이아민(tetramethlyethylendiamine), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol, C2H6O2) 및 글리세롤(glycerol, C3H8O3) 중 적어도 하나를 첨가하는 단계를 더 포함하는 산화물 박막 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 전구체 용액에 과산화수소를 혼합하는 단계는:상기 전구체 물질과 상기 과산화수소 간의 몰 비율이 1:1이 되도록 상기 전구체 용액에 상기 과산화수소를 혼합하는 단계를 포함하는 산화물 박막 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 과산화수소가 혼합된 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계는:상기 과산화수소가 상기 전구체 용액과 반응하여 침전을 형성하기 전에, 상기 과산화수소가 혼합된 전구체 용액을 상기 기판에 도포하는 단계를 포함하는 산화물 박막 형성 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 기판을 제 1 온도에서 열처리하는 단계는:상기 기판을 100℃에서 30분 동안 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 형성 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 기판을 제 2 온도에서 열처리하는 단계는:상기 기판을 450℃에서 2시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 형성 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 기판을 450℃에서 2시간 동안 열처리하는 단계 전에,상기 기판을 300℃에서 5분 동안 열처리하는 단계를 더 포함하는 산화물 박막 형성 방법
10 10
전구체 물질을 용매에 용해시킨 전구체 용액에 과산화수소를 혼합하는 단계;상기 과산화수소 혼합 후 게이트 및 게이트 절연층이 구비된 기판에 상기 과산화수소가 혼합된 전구체 용액을 도포하고, 열처리하여 채널층을 형성하는 단계; 및소스 및 드레인을 형성하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법으로,상기 전구체 용액은 인듐 나이트레이트 하이드로스(Indium nitrate hydrous), 갈륨 나이트레이트 하이드로스(Gallium nitrate hydrous) 및 진크 아세테이트 디하이드레이트(Zinc acetate dihydrate)를 2-메속시에탄올에 용해시켜 제조되는 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제 10 항에 있어서,상기 인듐 나이트레이트 하이드로스, 상기 갈륨 나이트레이트 하이드로스 및 상기 진크 아세테이트 디하이드레이트 간의 몰 비율은 5:1:2인 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법
13 13
제 10 항에 있어서,상기 용매와 상기 전구체 물질 간의 몰 비율은 1:0
14 14
제 10 항에 있어서,상기 전구체 용액에 과산화수소를 혼합하는 단계 전에,상기 전구체 용액에 모노-에탄올아민 및 아세트산을 첨가하는 단계를 더 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법
15 15
제 10 항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는:상기 과산화수소 혼합 후 1시간 내에 상기 과산화수소가 혼합된 전구체 용액을 상기 기판에 도포하는 단계를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법
16 16
제 10 항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는:상기 기판을 100℃에서 30분 동안 열처리하여 상기 과산화수소를 활성화시키는 단계를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는:상기 과산화수소를 활성화시키는 단계 후,상기 기판을 300℃에서 5분 동안 열처리하여 전구체 용액을 겔 상태로 변환시키는 단계; 및상기 기판을 450℃에서 2시간 동안 열처리하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법
18 18
제 10 항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는:상기 기판에 상기 과산화수소가 혼합된 전구체 용액을 도포하는 단계;상기 기판을 100℃에서 30분 동안 열처리하여 상기 과산화수소를 활성화시키는 단계;상기 기판을 300℃에서 5분 동안 열처리하여 전구체 용액을 겔 상태로 변환시키는 단계;상기 과산화수소가 혼합된 전구체 용액의 도포, 상기 과산화수소의 활성화 및 상기 겔 상태로의 변환을 반복하는 단계; 및상기 기판을 450℃에서 2시간 동안 열처리하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법
19 19
제 10 항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는:상기 기판에 상기 과산화수소가 혼합된 전구체 용액을 도포하는 단계;상기 기판을 100℃에서 30분 동안 열처리하여 상기 과산화수소를 활성화시키는 단계;상기 기판을 300℃에서 5분 동안 열처리하여 전구체 용액을 겔 상태로 변환시키는 단계;전구체 용액을 상기 기판에 도포하는 단계;상기 기판을 300℃에서 5분 동안 열처리하여 전구체 용액을 겔 상태로 변환시키는 단계; 및상기 기판을 450℃에서 2시간 동안 열처리하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법
20 20
제 10 항에 있어서,상기 채널층 위에 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법
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1 US09558941 US 미국 FAMILY
2 US20150011045 US 미국 FAMILY

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1 US2015011045 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 전자정보디바이스산업원천기술개발 150oC 이하 인쇄기반 플렉서블 디스플레이 백플레인용 산화물 반도체, 절연체 잉크 소재 및 공정 기술 개발