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용액 공정을 이용한 다층 패시베이션막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015012864
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 용액 공정을 이용하여 다층의 패시베이션막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 패시베이션막 형성 방법은, 패시베이션막을 위한 산화물 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계; 겔 상태의 친수성 물질이 형성되도록 상기 기판에 제 1 열처리를 수행하는 단계; 상기 산화물 전구체 용액의 도포 및 상기 제 1 열처리를 반복하는 단계; 및 소수성의 산화물 박막이 형성되도록 상기 기판에 제 2 열처리를 수행하는 단계;를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/02282(2013.01) H01L 21/02282(2013.01) H01L 21/02282(2013.01)
출원번호/일자 1020130072499 (2013.06.24)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1433187-0000 (2014.08.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.02)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울 송파구
2 윤두현 대한민국 서울 서초구
3 윤석현 대한민국 서울 중구
4 탁영준 대한민국 서울특별시 서대문구
5 최의현 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0562849-13
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0315661-34
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0380612-10
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.04.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.04.25 수리 (Accepted) 9-1-2014-0034268-99
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0333280-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0681313-01
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0681314-46
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0537664-68
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
패시베이션막을 위한 산화물 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계;겔 상태의 친수성 물질이 형성되도록 상기 기판에 제 1 열처리를 수행하는 단계;상기 산화물 전구체 용액의 도포 및 상기 제 1 열처리를 반복하는 단계; 및소수성의 산화물 박막이 형성되도록 상기 기판에 제 2 열처리를 수행하는 단계;를 포함하는 패시베이션막 형성 방법
2 2
패시베이션막을 위한 산화물 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계;겔 상태의 친수성 물질이 형성되도록 상기 기판에 제 1 열처리를 수행하는 단계;상기 산화물 전구체 용액의 도포 및 상기 제 1 열처리를 반복하는 단계; 및소수성의 산화물 박막이 형성되도록 상기 기판에 제 2 열처리를 수행하는 단계;를 포함하며,상기 산화물 전구체 용액은 이트륨 나이트레이트 하이드레이트(Y(NO3)X·XH2O)를 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol)에 용해시켜 제조되는 패시베이션막 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 산화물 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계는:상기 기판에 상기 산화물 전구체 용액을 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅하는 단계를 포함하는 패시베이션막 형성 방법
4 4
패시베이션막을 위한 산화물 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계;겔 상태의 친수성 물질이 형성되도록 상기 기판에 제 1 열처리를 수행하는 단계;상기 산화물 전구체 용액의 도포 및 상기 제 1 열처리를 반복하는 단계; 및소수성의 산화물 박막이 형성되도록 상기 기판에 제 2 열처리를 수행하는 단계;를 포함하며,상기 제 1 열처리를 수행하는 단계는:상기 기판을 100 내지 150℃에서 1분 동안 열처리하는 단계를 포함하는 패시베이션막 형성 방법
5 5
패시베이션막을 위한 산화물 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계;겔 상태의 친수성 물질이 형성되도록 상기 기판에 제 1 열처리를 수행하는 단계;상기 산화물 전구체 용액의 도포 및 상기 제 1 열처리를 반복하는 단계; 및소수성의 산화물 박막이 형성되도록 상기 기판에 제 2 열처리를 수행하는 단계;를 포함하며,상기 친수성 물질은 하이드록사이드(hydroxide)를 포함하는 패시베이션막 형성 방법
6 6
패시베이션막을 위한 산화물 전구체 용액을 기판에 도포하는 단계;겔 상태의 친수성 물질이 형성되도록 상기 기판에 제 1 열처리를 수행하는 단계;상기 산화물 전구체 용액의 도포 및 상기 제 1 열처리를 반복하는 단계; 및소수성의 산화물 박막이 형성되도록 상기 기판에 제 2 열처리를 수행하는 단계;를 포함하며,상기 제 2 열처리를 수행하는 단계는:상기 기판을 300℃에서 1시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 패시베이션막 형성 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 산화물 박막은 Y2O3로 구성되는 패시베이션막 형성 방법
8 8
삭제
9 9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 열처리를 수행하는 단계의 온도는 상기 제 2 열처리를 수행하는 단계의 온도보다 낮고,상기 제 1 열처리를 수행하는 단계의 시간은 상기 제 2 열처리를 수행하는 단계의 시간보다 짧은 패시베이션막 형성 방법
10 10
기판에 산화물 전구체 용액을 도포하고 제 1 온도에서 제 1 시간 동안 선-열처리하는 과정을 다수 회 반복한 뒤, 제 2 온도에서 제 2 시간 동안 후-열처리하여 다층의 소수성 산화물 박막을 형성하며,상기 제 1 온도는 100 내지 150℃이고, 상기 제 1 시간은 1분인 패시베이션 방법
11 11
기판에 산화물 전구체 용액을 도포하고 제 1 온도에서 제 1 시간 동안 선-열처리하는 과정을 다수 회 반복한 뒤, 제 2 온도에서 제 2 시간 동안 후-열처리하여 다층의 소수성 산화물 박막을 형성하며,상기 제 2 온도는 300℃이고, 상기 제 2 시간은 1시간인 패시베이션 방법
12 12
삭제
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1 교육과학기술부 연세대학교 중견연구자지원 Printed Lab-on-a-Flex (LOF) 구현을 위한 all-in-one 무기 인쇄 소재 개발