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메모리 프로그래밍 방법 및 메모리 프로그래밍 장치

  • 기술번호 : KST2015012871
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메모리 프로그래밍 방법 및 메모리 프로그래밍 장치에 관한 것으로, 메모리 프로그래밍 방법은, 증감스텝펄스프로그램(increment step pulse program) 방식에 따라, 메모리를 구성하는 메모리 셀(memory cell)에 프로그램 펄스(program pulse)를 순차적으로 변화시켜 인가하여, 메모리 셀의 준위를 목표 상태로 프로그래밍하는 단계; 및 목표 상태로 프로그래밍된 메모리 셀에, 프로그래밍하는 단계에서의 최종 프로그램 펄스보다 작고, 검증 펄스(verify pulse)보다 큰 레벨을 갖는 데이터 보존 펄스(data retention pulse)를 인가하는 단계를 포함한다.
Int. CL G11C 16/34 (2006.01)
CPC G11C 16/3459(2013.01) G11C 16/3459(2013.01) G11C 16/3459(2013.01) G11C 16/3459(2013.01)
출원번호/일자 1020140035932 (2014.03.27)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1429620-0000 (2014.08.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.27)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤일구 대한민국 서울특별시 강남구
2 문평 대한민국 서울특별시 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0295185-43
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0380517-81
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.04.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-2014-0034736-55
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0370027-88
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0710345-21
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0710344-86
8 등록결정서
Decision to grant
2014.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0526279-35
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
증감스텝펄스프로그램(increment step pulse program) 방식에 따라, 메모리를 구성하는 메모리 셀(memory cell)에 프로그램 펄스(program pulse)를 순차적으로 변화시켜 인가하여, 상기 메모리 셀의 준위를 목표 상태로 프로그래밍하는 단계; 및상기 목표 상태로 프로그래밍된 메모리 셀에, 상기 프로그래밍하는 단계에서의 최종 프로그램 펄스보다 작고, 검증 펄스(verify pulse)보다 큰 레벨을 갖는 데이터 보존 펄스(data retention pulse)를 인가하는 단계를 포함하는 메모리 프로그래밍 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 프로그래밍하는 단계는, 복수의 프로그램 펄스를 순차적으로 증가하는 레벨을 갖는 복수의 프로그램 펄스를 인가하고, 상기 복수의 프로그램 펄스 사이에 상기 검증 펄스를 인가하는 메모리 프로그래밍 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 프로그래밍하는 단계는, 상기 메모리 셀의 제어 게이트(control gate)에 상기 프로그램 펄스와 상기 검증 펄스를 순차적으로 인가하고,상기 데이터 보존 펄스를 인가하는 단계는, 상기 제어 게이트에 상기 데이터 보존 펄스를 인가하는 메모리 프로그래밍 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 데이터 보존 펄스를 인가하는 단계는, 상기 최종 프로그램 펄스의 70% 이상의 레벨을 갖는 데이터 보존 펄스를 인가하는 메모리 프로그래밍 방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 데이터 보존 펄스를 인가하는 단계는, 상기 메모리 셀에 점차적으로 감소하는 레벨을 갖는 복수의 데이터 보존 펄스를 순차적으로 인가하는 메모리 프로그래밍 방법
6 6
제5 항에 있어서,상기 데이터 보존 펄스를 인가하는 단계는, 상기 복수의 데이터 보존 펄스 사이에, 상기 검증 펄스에 상응하는 레벨을 갖는 데이터 보존 검증 펄스를 인가하는 메모리 프로그래밍 방법
7 7
제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 메모리는 비휘발성 메모리인 메모리 프로그래밍 방법
8 8
제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 기재된 메모리 프로그래밍 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체
9 9
증감스텝펄스프로그램(increment step pulse program) 방식에 따라, 메모리를 구성하는 메모리 셀(memory cell)에 순차적으로 변화되는 레벨을 갖는 복수의 프로그램 펄스(program pulse)를 인가하여, 상기 메모리 셀의 준위를 목표 상태로 프로그래밍하는 데이터 프로그래밍부; 및상기 목표 상태로 프로그래밍된 메모리 셀에, 상기 복수의 프로그램 펄스 중 가장 큰 레벨을 갖는 프로그램 펄스보다 작고, 검증 펄스(verify pulse)보다 큰 레벨을 갖는 데이터 보존 펄스(data retention pulse)를 인가하는 데이터 보존 펄스 인가부를 포함하는 메모리 프로그래밍 장치
10 10
제9 항에 있어서,상기 데이터 프로그래밍부는, 순차적으로 증가하는 레벨을 갖는 복수의 프로그램 펄스를 인가하고, 상기 복수의 프로그램 펄스 사이에 상기 검증 펄스를 인가하는 메모리 프로그래밍 장치
11 11
제9 항에 있어서,상기 데이터 프로그래밍부는, 상기 메모리 셀의 제어 게이트(control gate)에 상기 프로그램 펄스와 상기 검증 펄스를 순차적으로 인가하고,상기 데이터 보존 펄스 인가부는, 상기 제어 게이트에 상기 데이터 보존 펄스를 인가하는 메모리 프로그래밍 장치
12 12
제9 항에 있어서,상기 데이터 보존 펄스 인가부는, 상기 복수의 프로그램 펄스 중 가장 큰 레벨을 갖는 프로그램 펄스의 70% 이상의 레벨을 갖는 데이터 보존 펄스를 인가하는 메모리 프로그래밍 장치
13 13
제9 항에 있어서,상기 데이터 보존 펄스 인가부는, 상기 메모리 셀에 점차적으로 감소하는 레벨을 갖는 복수의 데이터 보존 펄스를 순차적으로 인가하는 메모리 프로그래밍 장치
14 14
제13 항에 있어서,상기 데이터 보존 펄스 인가부는, 상기 복수의 데이터 보존 펄스 사이에, 상기 검증 펄스에 상응하는 레벨을 갖는 데이터 보존 검증 펄스를 인가하는 메모리 프로그래밍 장치
15 15
제9 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 기재된 메모리 프로그래밍 장치를 구비한 비휘발성 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.