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기판의 산화물 제거 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015012878
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판을 트리메틸 알루미늄(Trimethyl Aluminum, TMA) 또는 다이사이클로펜타다이에닐 마그네슘(Dicyclopentadienyl Magnesium, MgCp2)에 소정의 시간 동안 노출시키는 단계를 포함하는 기판의 자연 산화물 제거 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/302 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020140001327 (2014.01.06)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1455263-0000 (2014.10.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.06)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울 영등포구
2 오일권 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-0011404-76
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0380573-27
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.04.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-2014-0034731-27
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.05.20 수리 (Accepted) 9-1-2014-0042662-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0388501-84
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0533981-33
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0782366-01
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0782367-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
11 등록결정서
Decision to grant		 2014.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0696208-02
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1244676-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 다이사이클로펜타다이에닐 마그네슘(Dicyclopentadienyl Magnesium, MgCp2)에 소정의 시간 동안 노출시키는 단계;를 포함하는 기판의 자연 산화물 제거 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판 상에 게이트 산화물을 증착하는 단계;를 더 포함하고,상기 기판을 다이사이클로펜타다이에닐 마그네슘에 소정의 시간 동안 노출시키는 단계는 상기 기판 상에 게이트 산화물을 증착하는 단계보다 먼저 수행되는 기판의 자연 산화물 제거 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 기판 상에 게이트 산화물을 증착하는 단계는 원자층 증착법에 의해 수행되는 기판의 자연 산화물 제거 방법
4 4
제2항에 있어서,상기 기판은 게르마늄 기판인 기판의 자연 산화물 제거 방법
5 5
제2항에 있어서,상기 게이트 산화물은 하이케이 물질인 기판의 자연 산화물 제거 방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 기판을 다이사이클로펜타다이에닐 마그네슘에 소정의 시간 동안 노출시키는 단계는상기 기판을 다이사이클로펜타다이에닐 마그네슘에 10초 내지 30초 동안 노출시키는 단계;를 포함하는 기판의 자연 산화물 제거 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 기판을 다이사이클로펜타다이에닐 마그네슘에 소정의 시간 동안 노출시키는 단계는 진공 상태에서 수행되는 기판의 자연 산화물 제거 방법
9 9
기판을 다이사이클로펜타다이에닐 마그네슘에 소정의 시간 동안 노출시키는 단계;상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계는상기 기판을 전구체 소스 가스에 노출시키는 단계; 및상기 기판을 반응 가스에 노출시키는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 기판을 다이사이클로펜타다이에닐 마그네슘에 소정의 시간 동안 노출시키는 단계는 상기 기판 상에 전구체 소스 가스를 노출시키는 단계보다 먼저 수행되는 반도체 소자 제조 방법
12 12
제9항 내지 제11항의 방법 중 어느 한 항의 방법을 이용하여 제조된 반도체 소자
13 13
게르마늄 기판을 다이사이클로펜타다이에닐 마그네슘에 소정의 시간 동안 노출시키는 단계; 및산소 플라즈마를 이용하여 하프늄 옥사이드를 증착시키는 단계;를 포함하는 게르마늄 모스 커패시터 제조 방법
14 14
제13항에 있어서,상기 게르마늄 기판을 다이사이클로펜타다이에닐 마그네슘에 소정의 시간 동안 노출시키는 단계는 상기 산소 플라즈마를 이용하여 하프늄 옥사이드를 증착시키는 단계보다 먼저 수행되는 게르마늄 모스 커패시터 제조 방법
15 15
삭제
16 16
제13항에 있어서,상기 게르마늄 기판을 다이사이클로펜타다이에닐 마그네슘에 소정의 시간 동안 노출시키는 단계는상기 게르마늄 기판을 상기 다이사이클로펜타다이에닐 마그네슘에 10초 내지 30초 동안 노출시키는 단계;를 포함하는 게르마늄 모스 커패시터 제조 방법
17 17
제13항에 있어서,350도 내지 450도에서 질소 분위기로 8분 내지 12분간 어닐링하는 단계;를 더 포함하는 게르마늄 모스 커패시터 제조 방법
18 18
제13항에 있어서,알루미늄 메탈 전극을 스퍼터를 이용하여 증착하는 단계;를 더 포함하는 게르마늄 모스 커패시터 제조 방법
19 19
제13항에 있어서,상기 게르마늄 기판을 다이사이클로펜타다이에닐 마그네슘에 소정의 시간 동안 노출시키는 단계에 앞서,상기 게르마늄 기판을 실리콘 기판 위에 성장시키는 단계; 및상기 실리콘 기판 위에 성장시킨 상기 게르마늄 기판을 희석된 불산에 담근 후 탈이온수로 클리닝하는 단계;를 더 포함하는 게르마늄 모스 커패시터 제조 방법
20 20
제13항 내지 제14항 및 제16항 내지 제19항의 방법 중 어느 한 항의 방법을 이용하여 제조된 게르마늄 모스 커패시터
21 21
삭제
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1 US09780172 US 미국 FAMILY
2 US20150194300 US 미국 FAMILY

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1 US2015194300 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9780172 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 성균관대학교 산학협력단 산업융합원천기술개발사업 초미세 반도체와 플렉서블 디스플레이 공정을 위한 무기물 박막증착용 고밀도 플라즈마 기술개발
2 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(핵심연구사업) 테라헤르츠 기반 초민감 다중 분자 검지 시스템
3 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 일반연구자지원(기본연구) 롤투롤 원자층 증착 공정을 이용한 유연 소자용 고성능 투명 산화막 연구
4 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 산업융합원천기술개발사업 LD기반 그래핀 FET 및 solid-state device 응용 연구