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황화 텅스텐층 형성 방법 및 황화 텅스텐층 형성 장치
- 기술번호 : KST2015012899
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명은 황화 텅스텐층 형성 방법 및 황화 텅스텐층 형성 장치에 관한 것으로, 황화 텅스텐층 형성 방법은, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition)에 의하여 황화 텅스텐층을 형성하는 황화 텅스텐층 형성 방법으로서, 기화된 텅스텐 클로라이드를 포함하는 전구체와 황화 수소를 포함하는 반응물을 반응시켜 기판상에 황화 텅스텐층을 형성하는 단계를 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/448 (2006.01) C23C 16/06 (2006.01) |
| CPC | C23C 16/448(2013.01) C23C 16/448(2013.01) C23C 16/448(2013.01) C23C 16/448(2013.01) C23C 16/448(2013.01) C23C 16/448(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020140000317 (2014.01.02) |
| 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1463105-0000 (2014.11.12) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20141204) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2014.01.02) |
| 심사청구항수 | 17 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김형준 | 대한민국 | 서울 영등포구 |
| 2 | 이원선 | 대한민국 | 인천 계양구 |
| 3 | 박주상 | 대한민국 | 서울 서대문구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
| 2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
| 3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 서울특별시 서대문구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2014.01.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0003029-14 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2014.01.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0042482-32 |
| 3 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0380578-55 |
| 4 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search |
2014.04.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search |
2014.04.29 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0034397-70 |
| 6 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search |
2014.05.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0034884-04 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.05.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0373244-04 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.07.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0718786-28 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.07.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0718787-74 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 11 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.09.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0658329-37 |
| 12 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2015.01.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0082335-01 |
| 13 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2015.02.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0198952-93 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 원자층 증착(Atomic Layer Deposition)에 의하여 황화 텅스텐층을 형성하는 황화 텅스텐층 형성 방법으로서,기화된 텅스텐 클로라이드를 포함하는 전구체와 황화 수소를 포함하는 반응물을 반응시켜 기판상에 황화 텅스텐층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 황화 텅스텐층을 형성하는 단계는,상기 기화된 텅스텐 클로라이드를 포함하는 전구체를 상기 기판상에 공급하는 단계; 및상기 황화 수소를 포함하는 반응물을 상기 기판상에 공급하는 단계를 포함하며,상기 전구체를 공급하는 단계는,챔버 내에서의 상기 기화된 텅스텐 클로라이드의 분압이 0 |
| 2 |
2 제1 항에 있어서,고체 상태의 텅스텐 클로라이드를 가열하여 기화시키는 단계를 더 포함하는 황화 텅스텐층 형성 방법 |
| 3 |
3 제2 항에 있어서,상기 텅스텐 클로라이드를 가열하여 기화시키는 단계는, 상기 텅스텐 클로라이드를 60℃ 이상, 100℃ 이하 온도로 가열하여 상기 기화된 텅스텐 클로라이드를 생성하는 황화 텅스텐층 형성 방법 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 제1 항에 있어서,상기 황화 텅스텐층을 형성하는 단계는, 상기 전구체를 공급하는 단계 및 상기 반응물을 공급하는 단계를 복수 회 반복하여 상기 기판상에 적어도 하나의 황화 텅스텐 분자층을 포함하는 황화 텅스텐층을 형성하는 황화 텅스텐층 형성 방법 |
| 6 |
6 삭제 |
| 7 |
7 제1 항에 있어서,상기 황화 텅스텐층을 형성하는 단계는, 상기 황화 텅스텐층을 이루는 각 황화 텅스텐 분자층의 두께 편차가 0nm 초과, 0 |
| 8 |
8 제1 항에 있어서,상기 전구체를 공급하는 단계는, 비활성 가스를 공급하여 상기 기화된 텅스텐 클로라이드를 챔버 내로 유입시키는 단계를 포함하는 황화 텅스텐층 형성 방법 |
| 9 |
9 제8 항에 있어서,상기 비활성 가스는 아르곤 가스 및 질소 가스 중의 적어도 하나를 포함하고,상기 비활성 가스를 공급하여 상기 기화된 텅스텐 클로라이드를 챔버 내로 유입시키는 단계는, 상기 비활성 가스의 상기 챔버 내에서의 유량이 10sccm 이상, 20sccm 이하가 되도록, 상기 비활성 가스를 공급하는 황화 텅스텐층 형성 방법 |
| 10 |
10 제1 항 내지 제3 항, 제5 항 또는 제7 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 400℃ 이상, 800℃ 이하의 온도로 유지되는 황화 텅스텐층 형성 방법 |
| 11 |
11 제1 항 내지 제3 항, 제5 항 또는 제7 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반응물을 공급하는 단계는, 챔버 내에서의 상기 황화 수소의 분압이 0 |
| 12 |
12 제1 항 내지 제3 항, 제5 항 또는 제7 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판 또는 실리콘 옥사이드 기판인 황화 텅스텐층 형성 방법 |
| 13 |
13 제1 항 내지 제3 항, 제5 항 또는 제7 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 황화 텅스텐층을 형성하는 단계는, 평균 두께가 0 |
| 14 |
14 원자층 증착(Atomic Layer Deposition)에 의하여 황화 텅스텐층을 형성하는 황화 텅스텐층 형성 장치로서,챔버;기화된 텅스텐 클로라이드를 포함하는 전구체를 상기 챔버 내에 공급하는 전구체 공급부; 및황화 수소를 포함하는 반응물을 상기 챔버 내에 공급하는 반응물 공급부를 포함하며,상기 챔버 내에 공급된 상기 기화된 텅스텐 클로라이드와 상기 황화 수소의 반응에 의하여, 상기 챔버 내에 제공되는 기판상에 황화 텅스텐층이 형성되고,상기 전구체 공급부는,상기 챔버 내에서의 상기 기화된 텅스텐 클로라이드의 분압이 0 |
| 15 |
15 제14 항에 있어서,상기 전구체 공급부는, 고체 상태의 텅스텐 클로라이드를 가열하여 기화시켜 상기 기화된 텅스텐 클로라이드를 생성하는 가열 장치를 포함하는 황화 텅스텐층 형성 장치 |
| 16 |
16 제15 항에 있어서,상기 전구체 공급부는, 비활성 가스를 공급하여 상기 기화된 텅스텐 클로라이드를 챔버 내로 유입시키는 가스 공급 장치를 더 포함하는 황화 텅스텐층 형성 장치 |
| 17 |
17 제16 항에 있어서,상기 가스 공급 장치는, 상기 비활성 가스의 상기 챔버 내에서의 유량이 10sccm 이상, 20sccm 이하가 되도록, 상기 비활성 가스를 공급하는 황화 텅스텐층 형성 장치 |
| 18 |
18 삭제 |
| 19 |
19 제14 항에 있어서,상기 반응물 공급부는, 상기 챔버 내에서의 상기 황화 수소의 분압이 0 |
| 20 |
20 제14 항 내지 제17 항 또는 제19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 챔버는, 상기 기판을 400℃ 이상, 800℃ 이하의 온도로 유지시키는 기판 가열 장치를 포함하는 황화 텅스텐층 형성 장치 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US20150184297 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2015184297 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 미래창조과학부 | 연세대학교 산학협력단 | 글로벌프런티어사업(다차원 스마트 IT 융합 시스템 연구) | 상시 환경 모니터링을 위한 원자층 PN 광 다이오드 기반 무전원 분자 검출 시스템 개발 |
| 2 | 산업통상자원부 | 연세대학교 산학협력단 | 소재부품기술개발(핵심소재원천1단계)사업 | 차세대 전자소자용 대면적 (8“이상) 칼코지나이드계 2차원 소재 성장 및 평가기술 |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1463105-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20140102 출원 번호 : 1020140000317 공고 연월일 : 20141204 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140925 청구범위의 항수 : 17 유별 : C23C 16/448 발명의 명칭 : 황화 텅스텐층 형성 방법 및 황화 텅스텐층 형성 장치 존속기간(예정)만료일 : 20181113 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 354,000 원 | 2014년 11월 13일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 289,800 원 | 2017년 10월 23일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2014.01.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0003029-14 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 | 2014.01.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0042482-32 |
| 3 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0380578-55 |
| 4 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 | 2014.04.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 | 2014.04.29 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0034397-70 |
| 6 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 | 2014.05.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0034884-04 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2014.05.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0373244-04 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.07.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0718786-28 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.07.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0718787-74 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 11 | 등록결정서 | 2014.09.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0658329-37 |
| 12 | [출원서등 보정]보정서 | 2015.01.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0082335-01 |
| 13 | [출원서등 보정]보정서 | 2015.02.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0198952-93 |
| 기술번호 | KST2015012899 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 연세대학교 |
| 기술명 | 황화 텅스텐층 형성 방법 및 황화 텅스텐층 형성 장치 |
| 기술개요 |
본 발명은 황화 텅스텐층 형성 방법 및 황화 텅스텐층 형성 장치에 관한 것으로, 황화 텅스텐층 형성 방법은, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition)에 의하여 황화 텅스텐층을 형성하는 황화 텅스텐층 형성 방법으로서, 기화된 텅스텐 클로라이드를 포함하는 전구체와 황화 수소를 포함하는 반응물을 반응시켜 기판상에 황화 텅스텐층을 형성하는 단계를 포함한다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 나노소재, 반도체 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제정보가 없습니다 |
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