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1
밴드 갭이 0
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2
삭제
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3
제 1 항에 있어서,제1 영역은 밴드 갭이 0
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4
제 1 항에 있어서,제1 영역의 면저항은 500 내지 1000 Ω/sq이고,제2 영역의 면저항은 1 내지 500 MΩ/sq인 것을 특징으로 하는 수소 표면처리된 그래핀
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5
제 1 항에 있어서하기 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 그래핀:[수학식 1]ΔE* ≤ 1
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6
제 1 항에 있어서,제1 영역 표면의 수소 흡착율은 5 내지 13%이고, 제2 영역 표면의 수소 흡착율은 15 내지 25%인 것을 특징으로 하는 수소 표면처리된 그래핀
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| 7 |
7
제 1 항에 있어서,제1 영역의 홀 이동도는 100 내지 500 cm2/V·s이고,제2 영역의 홀 이동도는 1 내지 80 cm2/V·s인 것을 특징으로 하는 수소 표면처리된 그래핀
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| 8 |
8
제 1 항에 있어서,하기 수학식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 수소 표면처리된 그래핀:[수학식 2] 13 ≤ ID/ID' ≤ 20상기 수학식 2에서,ID는 라만 시프트 1350 cm-1 부근에서 나타내는 피크의 강도이고,ID'는 라만 시프트 1620 cm-1 부근에서 나타내는 피크의 강도이다
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| 9 |
9
제 1 항에 있어서,하기 수학식 3을 만족하는 것을 특징으로 하는 수소 표면처리된 그래핀:[수학식 3] 3 ≤ ID/IG ≤ 5상기 수학식 3에서,ID는 라만 시프트 1350 cm-1 부근에서 나타내는 피크의 강도이고,IG는 라만 시프트 1600 cm-1 부근에서 나타내는 피크의 강도이다
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| 10 |
10
제 1 항에 있어서,수소 표면처리된 그래핀에, 150℃ 이상의 온도로 열처리 시, 수소 표면처리되지 않은 그래핀으로 환원되는 것을 특징으로 하는 수소 표면처리된 그래핀
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11
제 1 항에 있어서,그래핀은 2 내지 20 층으로 적층된 구조이며,적층된 그래핀의 n(n은 2 내지 20 사이의 임의의 정수) 번째 층은 수소 표면처리되지 않은 제1 영역 및 수소 표면처리된 제2 영역을 포함하는 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 수소 표면처리된 그래핀
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12
제 1 항에 있어서,그래핀은 2 내지 20 층으로 적층된 구조이며,각 층은 수소 표면처리되지 않은 제1 영역과 수소 표면처리된 제2 영역을 포함하며, 적층된 그래핀의 n(n은 2 내지 20 사이의 임의의 정수) 번째 층과 n-1 번째 층은 수소 표면처리된 영역의 패턴이 서로 다른 것을 특징으로 하는 수소 표면처리된 그래핀
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13
삭제
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14
삭제
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15
삭제
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16
그래핀 상에 리소그래피를 이용하여 패턴을 형성하는 단계; 및패턴이 형성된 그래핀에 수소 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 패턴화된 그래핀 형성방법
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17
제 16 항에 있어서,패턴이 형성되어 수소 플라즈마에 노출되지 않은 영역의 밴드 갭은 0
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18
수소 표면처리된 그래핀에 레이저를 조사하여 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴화된 그래핀 형성방법
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19
제 18 항에 있어서,레이저를 조사하여 형성된 패턴 영역의 밴드 갭은 0
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| 20 |
20
제 18 항에 있어서,레이저가 조사된 그래핀 표면의 온도는 200℃ 이상인 것을 특징으로 하는 패턴화된 그래핀 형성방법
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| 21 |
21
제 1 항에 따른 수소 표면처리된 그래핀을 포함하는 전자 소자
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| 22 |
22
제 21 항에 있어서,트랜지스터 및 터치 패널을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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