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반도체 물질로 이루어진 기판과;상기 기판에 수직한 상방으로 길게 뻗은 형상을 가지며 상기 기판의 상면에 배열되는 반도체 물질로 이루어진 복수의 제1나노와이어와;상기 제1나노와이어와 대향하는 상기 기판의 하방으로 길게 뻗은 형상을 가지며 상기 기판의 하면에 배열되는 반도체 물질로 이루어진 복수의 제2나노와이어;를 포함하여 이루어지되,상기 제1나노와이어들 사이 및 상기 제2나노와이어들 사이의 공간 바닥면에는 금속성 입자가 클러스터(cluster) 형태로 분산 도포된 것을 특징으로 하는 광-열에너지 변환소자
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제1항에 있어서, 상기 제1나노와이어가 형성된 기판의 상면은 태양광이 입사되는 입사면으로 사용되고, 상기 제2나노와이어가 형성된 기판의 하면은 유체와 접촉되며 유체를 비등 가열하는 가열면으로 사용되는 것을 특징으로 하는 광-열에너지 변환소자
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3
제1항에 있어서, 상기 기판 및 제1,2나노와이어는 동일 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 광-열에너지 변환소자
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제2항에 있어서, 상기 기판 및 제1,2나노와이어는 실리콘(silicon)으로 구성된 것을 특징으로 하는 광-열에너지 변환소자
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5
제1항에 있어서, 상기 금속성 입자는 은(Ag) 나노입자인 것을 특징으로 하는 광-열에너지 변환소자
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태양광 에너지를 열에너지로 변환하는 다수의 광-열에너지 변환소자를 구비한 집열판에 있어서,상기 광-열에너지 변환소자는,반도체 물질로 이루어진 기판과;상기 기판에 수직한 상방으로 길게 뻗은 형상을 가지며 상기 기판의 상면에 배열되는 반도체 물질로 이루어진 복수의 제1나노와이어와;상기 제1나노와이어와 대향하는 상기 기판의 하방으로 길게 뻗은 형상을 가지며 상기 기판의 하면에 배열되는 반도체 물질로 이루어진 복수의 제2나노와이어;를 포함하여 이루어지되,상기 제1나노와이어들 사이 및 상기 제2나노와이어들 사이의 공간 바닥면에는 금속성 입자가 클러스터(cluster) 형태로 분산 도포되며,상기 제1나노와이어가 형성된 기판의 상면은 태양광이 입사되는 입사면으로 사용되고, 상기 제2나노와이어가 형성된 기판의 하면은 유체와 접촉되며 유체를 비등 가열하는 가열면으로 사용되는 것을 특징으로 하는 집열판
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7
제6항에 있어서, 상기 기판 및 제1,2나노와이어는 동일 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 집열판
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8
제6항에 있어서, 상기 기판 및 제1,2나노와이어는 실리콘(silicon)으로 구성된 것을 특징으로 하는 집열판
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9
제6항에 있어서, 상기 금속성 입자는 은(Ag) 나노입자인 것을 특징으로 하는 집열판
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태양광 에너지를 열에너지로 변환하는 다수의 광-열에너지 변환소자를 구비한 집열판을 통해 유체를 가열하여 증기화시킨 후 터빈을 돌려 발전하는 태양광 발전장치에 있어서,상기 광-열에너지 변환소자는,반도체 물질로 이루어진 기판과;상기 기판에 수직한 상방으로 길게 뻗은 형상을 가지며 상기 기판의 상면에 배열되는 반도체 물질로 이루어진 복수의 제1나노와이어와;상기 제1나노와이어와 대향하는 상기 기판의 하방으로 길게 뻗은 형상을 가지며 상기 기판의 하면에 배열되는 반도체 물질로 이루어진 복수의 제2나노와이어;를 포함하여 이루어지되,상기 제1나노와이어들 사이 및 상기 제2나노와이어들 사이의 공간 바닥면에는 금속성 입자가 클러스터(cluster) 형태로 분산 도포되며,상기 제1나노와이어가 형성된 기판의 상면은 태양광이 입사되는 입사면으로 사용되고, 상기 제2나노와이어가 형성된 기판의 하면은 유체와 접촉되며 유체를 비등 가열하는 가열면으로 사용되는 것을 특징으로 하는 태양광 발전장치
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11
제10항에 있어서, 상기 기판 및 제1,2나노와이어는 동일 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 태양광 발전장치
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12
제10항에 있어서, 상기 기판 및 제1,2나노와이어는 실리콘(silicon)으로 구성된 것을 특징으로 하는 태양광 발전장치
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제10항에 있어서, 상기 금속성 입자는 은(Ag) 나노입자인 것을 특징으로 하는 태양광 발전장치
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