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가스화 및 연소 반응 활성화를 위한 저온 플라즈마 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015012998
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스화 및 연소 반응 활성화를 위한 저온 플라즈마 장치에 관한 것으로서, 특히, 적은 양의 에너지를 투입하여 높은 합성가스의 수율을 얻을 수 있는 가스화 및 연소 반응 활성화를 위한 저온 플라즈마 장치에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은 가스화 및 연소 반응 활성화를 위한 저온 플라즈마 장치에 있어서, 일측에 가스가 투입되는 가스 투입구가 형성되고 다른 일측에는 내부의 가스를 연소실로 배출하기 위한 가스 토출구가 형성된 챔버와; 상기 챔버의 내부 공간에 설치되며, 상기 챔버의 가스 투입구를 통해 투입된 가스를 저온 플라즈마 방전 처리하여 다량의 라디칼(radical)과 이온을 포함하는 가스로 변화시키는 유전체 장벽 방전장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H05H 15/00 (2006.01) C10J 3/00 (2006.01) C01B 3/02 (2006.01)
CPC C10J 3/20(2013.01) C10J 3/20(2013.01) C10J 3/20(2013.01) C10J 3/20(2013.01)
출원번호/일자 1020120120449 (2012.10.29)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1405543-0000 (2014.05.30)
공개번호/일자 10-2014-0054676 (2014.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20140609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.09)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황정호 대한민국 서울 용산구
2 박상신 대한민국 충북 청원군
3 정효재 대한민국 부산 기장군
4 이정훈 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤병국 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)
2 이영규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 신한이엔지 대전광역시 대덕구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0882525-18
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0922956-00
3 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee
2012.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-1056189-96
4 수수료 사후 감면안내서
Notification of Follow-up Reduction of Official Fee
2012.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0151073-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.07.31 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.23 수리 (Accepted) 9-1-2013-0069632-80
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0064569-67
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0191128-45
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0297824-67
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0297834-13
13 등록결정서
Decision to grant
2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0342191-56
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
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가스화 및 연소 반응 활성화를 위하여 연소실의 전방측에 설치되는 플라즈마 장치에 있어서,일측에 가스가 투입되는 가스 투입구가 형성되고 다른 일측에는 내부의 가스를 연소실로 배출하기 위한 가스 토출구가 형성된 챔버와;상기 챔버의 내부 공간에 설치되며, 상기 챔버의 가스 투입구를 통해 투입된 가스를 저온 플라즈마 방전 처리하여 다량의 라디칼(radical)과 이온을 포함하는 가스로 변화시키는 유전체 장벽 방전장치; 및 상기 유전체 장벽 방전장치의 전방측에는 상기 가스 투입구를 통해 투입된 가스를 균일하게 확산시켜주는 유동 분리판이 설치되고, 상기 유동 분리판 내부에는 가스가 통과되는 다수의 통공들이 구비되며, 상기 통공들은 상기 유동 분리판의 중심부에서 외곽으로 갈수록 구멍의 크기가 점차 커지는 형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 가스화 및 연소 반응 활성화를 위한 저온 플라즈마 장치
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제9항에 있어서, 상기 유전체 장벽 방전장치는, 유전체 물질(dielectric substance)로 이루어진 판 형상의 구조물로서, 복수 개가 상하방향으로 일정간격을 두고 적층되어 서로 평행하게 배치된 복수의 유전체판과;상기 적층된 홀수 번째 유전체판 내부에 설치되며 일부분이 외부로 노출되어 외부전원과 연결되는 제1전극판과;상기 적층된 짝수 번째 유전체판 내부에 설치되며 상기 제1전극판의 반대편 방향으로 일부분이 노출되어 외부전원과 연결되는 제2전극판과;상기 적층된 유전체판들 사이에 설치되며 상기 유전체판들 사이 간격을 일정하게 유지시켜 주도록 하는 적어도 2개 이상의 스페이서(spacer);를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스화 및 연소 반응 활성화를 위한 저온 플라즈마 장치
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제10항에 있어서, 상기 유전체 장벽 방전장치의 상부 및 하부 끝단에 각각 설치되는 상부 플레이트 및 하부 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스화 및 연소 반응 활성화를 위한 저온 플라즈마 장치
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제11항에 있어서, 상기 상부 및 하부 플레이트와 이들과 인접하는 각각의 유전체판들 사이에는 적어도 2개 이상의 스페이서가 추가적으로 설치되는 것을 특징으로 하는 가스화 및 연소 반응 활성화를 위한 저온 플라즈마 장치
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제11항에 있어서, 상기 상부 및 하부 플레이트는 아크릴(Acryl) 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가스화 및 연소 반응 활성화를 위한 저온 플라즈마 장치
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제10항에 있어서, 상기 유전체판은 산화 알루미늄(Alumina)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 가스화 및 연소 반응 활성화를 위한 저온 플라즈마 장치
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제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극판에 공급되는 외부전원은 교류(AC) 전원인 것을 특징으로 하는 가스화 및 연소 반응 활성화를 위한 저온 플라즈마 장치
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제10항 또는 제12항에 있어서, 상기 스페이서는 아크릴 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가스화 및 연소 반응 활성화를 위한 저온 플라즈마 장치
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제10항 또는 제12항에 있어서, 상기 스페이서의 두께는 수 밀리미터(mm) 범위 내의 두께로 적용되는 것을 특징으로 하는 가스화 및 연소 반응 활성화를 위한 저온 플라즈마 장치
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 연세대학교 산학협력단 신재생에너지융합원천기술개발(전력기금) 고 H2/CO 비 합성가스 생산을 위한, 바이오매스 혼합 석탄 가스화기 화학반응 유동 설계기술개발