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마이크로 구조물 및 마이크로 엑츄에이터 제조방법, 이 제조방법에 의해 제조된 마이크로 구조물 및 마이크로 엑츄에이터

  • 기술번호 : KST2015013029
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로 구조물의 제조방법에 관한 것으로서, 마이크로 구조물 위에 고도로 정렬된 건식 접착 특성을 가지는 나노 물질 어레이를 직접 합성하여 마이크로 구조물의 소성변형 공정 시 접착물질로 활용되도록 함으로써, 기존과 같은 복잡한 가공공정을 사용하지 않고서도 마이크로 엑츄에이터를 일괄공정으로 간단하고 손쉽게 제작할 수 있는 마이크로 구조물 제조방법을 제공한다.
Int. CL B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120060172 (2012.06.05)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1352941-0000 (2014.01.13)
공개번호/일자 10-2013-0085906 (2013.07.30) 문서열기
공고번호/일자 (20140123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110129274   |   2011.12.05
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.05)
심사청구항수 27

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종백 대한민국 경기 고양시 덕양구
2 은영기 대한민국 경기 용인시 수지구
3 이재익 대한민국 경기 고양시 일산동구
4 최정욱 대한민국 서울 광진구
5 송영섭 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0447640-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.12.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0001590-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0884863-52
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
마이크로 구조물 제조방법에 있어서,변형되기 전 상태의 초기형상을 갖는 마이크로 구조물에 건식 접착 특성을 가지는 나노 물질 어레이를 합성하여 일정시간 동안 성장시킨 후, 상기 마이크로 구조물을 원하는 형상으로 변형시킨 상태에서 고온의 비활성기체 환경에서 소성변형을 수행하여 상기 나노 물질 어레이의 접착력에 의해 마이크로 구조물이 변형상태를 유지하도록 한 다음에, 상기 소성변형된 마이크로 구조물에 잔류하는 상기 나노 물질 어레이를 제거하는 공정을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로 구조물 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 소성 변형된 마이크로 구조물에 잔류하는 나노 물질 어레이를 제거하는 공정은 상기 나노 물질 어레이를 고온의 산화기체 환경에서 산화시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 구조물의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 소성 변형된 마이크로 구조물에 잔류하는 나노 물질 어레이를 제거하는 공정은 상기 나노 물질 어레이를 식각유체를 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 구조물의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노 물질은 탄소(C), 산화아연(ZnO), 게르마늄-패럴린(Ge-parylene), 탄화규소-이산화규소(SiC-SiO2) 및 질화갈륨(GaN) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 구조물의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 나노 물질은 나노 튜브, 나노 벨트 및 나노 와이어 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 구조물 제조방법
6 6
제2항에 있어서, 상기 고온의 산화기체 환경에서 제거되지 않고 남은 잔류 나노 물질 어레이 및 오염물질은 피라나(piranha) 용액이나 옥시젼 플라즈마(oxygen plasma)를 이용하여 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 구조물 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 고온의 산화기체에 의한 산화공정에서 마이크로 구조물 표면에 형성된 산화층을 불산 용액을 이용하여 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 구조물 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 나노 물질 어레이는 CVD(chemical vapor deposition) 공정을 통해 합성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 구조물 제조방법
9 9
변형되기 전 상태의 초기형상을 갖는 마이크로 구조물에 건식 접착 특성을 가지는 나노 물질 어레이를 합성하여 일정시간 동안 성장시킨 후, 상기 마이크로 구조물을 원하는 형상으로 변형시킨 상태에서 고온의 비활성기체 환경에서 소성변형을 수행하여 상기 나노 물질 어레이의 접착력에 의해 마이크로 구조물이 변형상태를 유지하도록 한 다음에, 상기 소성변형된 마이크로 구조물에 잔류하는 상기 나노 물질 어레이를 제거하는 공정을 통해 제조된 마이크로 구조물
10 10
기판 위에 고정된 고정자에 대하여 구동자가 일정한 초기각도를 가질 수 있도록 토션 스프링이 비틀림 회전된 상태로 제작되는 마이크로 엑츄에이터 제조방법에 있어서,상기 고정자와 구동자가 평행을 이루는 초기상태의 마이크로 엑츄에이터 형상을 제작하는 단계와;상기 고정자와 구동자 사이에 건식 접착 특성을 가지는 나노 물질 어레이를 채워 넣은 후 일정시간 동안 성장시키는 단계와;상기 구동자가 고정자에 대하여 일정한 초기각도를 가지도록 토션 스프링을 비틀어 변형시킨 상태에서 상기 고정자와 구동자 사이에서 성장된 상기 나노 물질 어레이의 접촉력을 이용하여 상기 변형상태를 유지하도록 한 후에 고온의 비활성기체 환경에서 소성변형을 수행하는 단계와;상기 소성변형 후 마이크로 엑츄에이터에 잔류하는 상기 나노 물질 어레이를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 소성 변형된 마이크로 엑츄에이터에 잔류하는 나노 물질 어레이를 제거하는 공정은 상기 나노 물질 어레이를 고온의 산화기체 환경에서 산화시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터의 제조방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 소성 변형된 마이크로 엑츄에이터에 잔류하는 나노 물질 어레이를 제거하는 공정은 상기 나노 물질 어레이를 식각유체를 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터의 제조방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 나노 물질은 탄소(C), 산화아연(ZnO), 게르마늄-패럴린(Ge-parylene), 탄화규소-이산화규소(SiC-SiO2) 및 질화갈륨(GaN) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터 제조방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 나노 물질은 나노 튜브, 나노 벨트 및 나노 와이어 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터 제조방법
15 15
제11항에 있어서, 상기 고온의 산화기체 환경에서 제거되지 않고 남은 잔류 나노 물질 어레이 및 오염물질은 피라나(piranha) 용액이나 옥시젼 플라즈마(oxygen plasma)를 이용하여 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터 제조방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 고온의 산화기체에 의한 산화공정에서 마이크로 구조물 표면에 형성된 산화층을 불산 용액을 이용하여 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터 제조방법
17 17
제10항에 있어서, 상기 나노 물질 어레이는 CVD(chemical vapor deposition) 공정을 통해 합성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터 제조방법
18 18
기판 위에 고정된 고정자에 대하여 구동자가 일정한 초기각도를 가질 수 있도록 토션 스프링이 비틀림 회전된 상태로 제작되는 마이크로 엑츄에이터에 있어서,상기 고정자와 구동자가 평행을 이루는 초기상태의 마이크로 엑츄에이터 형상을 제작한 다음에, 상기 고정자와 구동자 사이에 건식 접착 특성을 가지는 나노 물질 어레이를 채워 넣은 후 일정시간 동안 성장시키고, 상기 구동자가 고정자에 대하여 일정한 초기각도를 가지도록 토션 스프링을 비틀어 변형시킨 상태에서 상기 고정자와 구동자 사이에서 성장된 상기 나노 물질 어레이의 접촉력을 이용하여 상기 변형상태를 유지하도록 한 후에 고온의 비활성기체 환경에서 소성변형을 수행한 다음에, 상기 소성변형 후 마이크로 엑츄에이터에 잔류하는 상기 나노 물질 어레이를 제거하는 공정을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터
19 19
기판 위에 고정된 고정자에 대하여 구동자가 일정한 초기위치를 가질 수 있도록 리니어 스프링이 변형된 상태로 제작되는 마이크로 엑츄에이터 제조방법에 있어서,상기 고정자와 구동자가 동일 평면상에 위치되는 초기상태의 마이크로 엑츄에이터 형상을 제작하는 단계와;상기 고정자와 구동자 사이에 건식 접착 특성을 가지는 나노 물질 어레이를 채워 넣은 후 일정시간 동안 성장시키는 단계와;상기 구동자가 고정자에 대하여 일정한 초기위치를 가지도록 상기 리니어 스프링을 변형시킨 상태에서 상기 고정자와 구동자 사이에서 성장된 상기 나노 물질 어레이의 접촉력을 이용하여 상기 변형상태를 유지하도록 한 후에 고온의 비활성기체 환경에서 소성변형을 수행하는 단계와;상기 소성변형 후 마이크로 엑츄에이터에 잔류하는 상기 나노 물질 어레이를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터 제조방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 소성 변형된 마이크로 엑츄에이터에 잔류하는 나노 물질 어레이를 제거하는 공정은 상기 나노 물질 어레이를 고온의 산화기체 환경에서 산화시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터의 제조방법
21 21
제19항에 있어서, 상기 소성 변형된 마이크로 엑츄에이터에 잔류하는 나노 물질 어레이를 제거하는 공정은 상기 나노 물질 어레이를 식각유체를 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 구조물의 제조방법
22 22
제19항에 있어서, 상기 나노 물질은 탄소(C), 산화아연(ZnO), 게르마늄-패럴린(Ge-parylene), 탄화규소-이산화규소(SiC-SiO2) 및 질화갈륨(GaN) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터 제조방법
23 23
제19항에 있어서, 상기 나노 물질은 나노 튜브, 나노 벨트 및 나노 와이어 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터 제조방법
24 24
제20항에 있어서, 상기 고온의 산화기체 환경에서 제거되지 않고 남은 잔류 나노 물질 어레이 및 오염물질은 피라나(piranha) 용액이나 옥시젼 플라즈마(oxygen plasma)를 이용하여 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터 제조방법
25 25
제24항에 있어서, 상기 고온의 산화기체에 의한 산화공정에서 마이크로 구조물 표면에 형성된 산화층을 불산 용액을 이용하여 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터 제조방법
26 26
제19항에 있어서, 상기 나노 물질 어레이는 CVD(chemical vapor deposition) 공정을 통해 합성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터 제조방법
27 27
기판 위에 고정된 고정자에 대하여 구동자가 일정한 초기위치를 가질 수 있도록 리니어 스프링이 변형된 상태로 제작되는 마이크로 엑츄에이터에 있어서,상기 고정자와 구동자가 평행을 이루는 초기상태의 마이크로 엑츄에이터 형상을 제작한 다음에, 상기 고정자와 구동자 사이에 건식 접착 특성을 가지는 나노 물질 어레이를 채워 넣은 후 일정시간 동안 성장시키고, 상기 구동자가 고정자에 대하여 일정한 초기위치를 가지도록 리니어 스프링을 변형시킨 상태에서 상기 고정자와 구동자 사이에서 성장된 상기 나노 물질 어레이의 접촉력을 이용하여 상기 변형상태를 유지하도록 한 후에 고온의 비활성기체 환경에서 소성변형을 수행한 다음에, 상기 소성변형 후 마이크로 엑츄에이터에 잔류하는 상기 나노 물질 어레이를 제거하는 공정을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로 엑츄에이터
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2 US20130141769 US 미국 FAMILY

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1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 기반형융합녹색연구 MEMS 하베스터 소자 설계 및 하이브리드 시스템 통합 기술
2 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 글로벌프론티어사업 지능형 군집기반 환경센서 시스템