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투명 전극; 및상기 투명 전극의 일면 또는 양면에 형성된 금속 산화물층을 포함하며,상기 금속 산화물층은 금속 산화물 매트릭스 구조에 염료 및 유기반도체 물질이 분산된 구조이고, 상기 유기반도체 물질은 하기 화학식 1 내지 7로 나타내는 화합물 중 1 종 이상을 포함하며,상기 금속 산화물층은 하기 화학식 8로 표시되는 화합물을 포함하는 광전극:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6][화학식 7]상기 화학식 1 내지 화학식 7에서,X1 내지 X10은 각각 독립적으로 S, NR21, Se 또는 Te을 나타내고,Y1 내지 Y14는 각각 독립적으로 H, I, Br, Cl 또는 F를 나타내고,Z1 내지 Z12는 각각 독립적으로 CR22R23, NR24, O 또는 S을 나타내고,R1 내지 R24는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 60을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 헤테로알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 알킬에스테르기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 알킬카보네이트기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 헤테로시클로알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 아릴기 또는 탄소수 1 내지 60을 갖는 헤테로아릴기를 나타내고,n 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 100의 정수를 나타내며,상기 화학식 1 내지 화학식 7의 수소들 중 하나 이상은 할로겐 원자, 하이드록시기, 카르복시기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 사이오기, 메틸사이오기, 알콕시기, 나이트릴기, 알데하이드기, 에폭시기, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 아세탈기, 케톤기, 벤질기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 헤테로시클로알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 아릴기 및 탄소수 1 내지 60을 갖는 헤테로아릴기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되며,[화학식 8]M1-O-M2상기 화학식 8에서, M1 및 M2는 각각 독립적으로 티타늄, 아연, 니오븀 및 텅스텐으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1 종 이상이다
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제 1 항에 있어서, 화학식 1 내지 7의 정의 부분에서,X1 내지 X10은 각각 독립적으로 S를 나타내고,Y1 내지 Y14는 각각 독립적으로 H, I, Br, Cl 또는 F를 나타내고,Z1 내지 Z12는 각각 독립적으로 C 또는 O를 나타내고,R1 내지 R20는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 60을 갖는 알킬기 또는 탄소수 1 내지 60을 갖는 아릴기를 나타내고,n 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수를 나타내는 것을 특징으로 하는 광전극
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제 1 항에 있어서,금속 산화물층의 두께는 1 내지 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 광전극
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제 1 항에 있어서,상기 염료는 알루미늄, 백금, 팔라듐, 유로퓸, 납, 이리듐 및 루테늄으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속 복합체; 인돌린계 염료; 및 트리페닐아민계 염료 중 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 광전극
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다공성 금속 산화물층에 염료 및 유기반도체 물질을 공급하는 단계를 포함하며,상기 유기반도체 물질은 하기 화학식 9 내지 15로 표시되는 화합물 중 1 종 이상이며,상기 금속 산화물층은 하기 화학식 16으로 표시되는 화합물을 포함하는 광전극 제조방법:[화학식 9][화학식 10][화학식 11][화학식 12][화학식 13][화학식 14][화학식 15]상기 화학식 9 내지 화학식 15에서,X1 내지 X10은 각각 독립적으로 S, NR21, Se 또는 Te을 나타내고,Y1 내지 Y14는 각각 독립적으로 H, I, Br, Cl 또는 F를 나타내고,Z1 내지 Z12는 각각 독립적으로 CR22R23, NR24, O 또는 S을 나타내고,R1 내지 R24는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 60을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 헤테로알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 알킬에스테르기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 알킬카보네이트기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 헤테로시클로알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 아릴기 또는 탄소수 1 내지 60을 갖는 헤테로아릴기를 나타내고,n 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 100의 정수를 나타내며,상기 화학식 1 내지 화학식 7의 수소들 중 하나 이상은 할로겐 원자, 하이드록시기, 카르복시기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 사이오기, 메틸사이오기, 알콕시기, 나이트릴기, 알데하이드기, 에폭시기, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 아세탈기, 케톤기, 벤질기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 헤테로시클로알킬기, 탄소수 1 내지 60을 갖는 아릴기 및 탄소수 1 내지 60을 갖는 헤테로아릴기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되며,[화학식 16]M1-O-M2상기 화학식 16에서, M1 및 M2는 각각 독립적으로 티타늄, 아연, 니오븀 및 텅스텐으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1 종 이상이다
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제 6 항에 있어서,다공성 금속 산화물층은 투명 전극 상에 형성된 것을 특징으로 하는 광전극 제조방법
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제 6 항에 있어서,다공성 금속 산화물층은 금속 산화물 나노입자 졸을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광전극의 제조방법
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제 8 항에 있어서,금속 산화물 나노입자 졸에 함유된 나노입자의 평균 입경은 1 내지 1,000 nm인 것을 특징으로 하는 광전극의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 광전극 제조방법은,다공성 금속 산화물층에 염료를 흡착시키는 단계; 및염료가 흡착된 다공성 금속 산화물층에 유기반도체 물질을 침투시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전극 제조방법
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제 10 항에 있어서,다공성 금속 산화물층에 염료를 흡착시키는 단계에서,상기 염료는 알루미늄, 백금, 팔라듐, 유로퓸, 납, 이리듐 및 루테늄으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속 복합체; 인돌린계 염료; 및 트리페닐아민계 염료 중 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 광전극 제조방법
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제 10 항에 있어서,염료가 흡착된 다공성 금속 산화물층에 유기반도체 물질을 침투시키는 단계에서,상기 유기반도체 물질은 유기반도체 물질의 분산액 상태이며, 상기 유기반도체 물질의 분산액은 비수성 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전극 제조방법
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제 12 항에 있어서,유기반도체 물질 분산액은, 비수성 용매 100 중량부를 기준으로, 유기반도체 물질 10-7 내지 103 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전극의 제조방법
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제 10 항에 있어서,염료가 흡착된 다공성 금속 산화물층에 유기반도체 물질을 침투시키는 단계 이후에, 다공성 금속 산화물층에 비휘발성 이온성 액체와 이온염을 포함하는 첨가액을 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전극의 제조방법
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제 14 항에 있어서,첨가액은, 비휘발성 이온성 액체 100 중량부를 기준으로, 이온염 10-7 내지 200 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전극의 제조방법
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제 1 항 내지 제 2 항 및 제 4 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 광전극을 포함하는 태양전지
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