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불투명 전도성 산화물 박막 및 그를 이용한 액정표시장치

기술번호 : KST2015013091
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 불투명 전도성 산화물 박막 및 그를 이용한 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 투명한 전도성 산화물에 전이금속이 도핑되어 광의 투과율이 저하된 박막 및 그를 이용한 화소전극과 공통전극을 구비함으로써 콘트라스트비가 향상된 액정표시장치에 관한 것이다.이러한 본 발명에 따른 전도성 박막은, 투명한 전도성 산화물; 상기 투명한 전도성 산화물에 도핑된 전이금속; 을 포함하여 구성된다. 그리고, 상기 전도성 박막을 이용한 본 발명에 따른 액정표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 종횡으로 교차되어 화소를 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 화소마다 형성되며, 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터; 투명한 전도성 산화물에 불투명한 전이금속이 도핑되어 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 접속된 화소전극; 상기 화소마다 형성되어 화소전극과 함께 수평전계를 이루는 공통전극; 을 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 공통전극 또한 투명한 전도성 산화물에 전이금속이 도핑되어 형성된다.전도성 박막, 광 투과율, 액정표시장치, 화소전극, 공통전극
Int. CL	G02F 1/1343 (2006.01) C01G 15/00 (2006.01) C01G 19/00 (2006.01)
CPC	H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01) H01L 29/786(2013.01)
출원번호/일자	1020070100020 (2007.10.04)
출원인	엘지디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1386562-0000 (2014.04.11)
공개번호/일자	10-2009-0034658 (2009.04.08) 문서열기
공고번호/일자	(20140421) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.10.04)
심사청구항수	25

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구
2	연세대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 서대문구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김강석	대한민국	경기도 용인시 기흥구
2	안유경	대한민국	서울특별시 송파구
3	오병윤	대한민국	인천광역시 남동구
4	명재민	대한민국	경기 고양시 일산구
5	정민창	대한민국	인천광역시 부평구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	박장원	대한민국	서울특별시 강남구 강남대로 **, 층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사		서울특별시 영등포구
2	연세대학교 산학협력단		서울특별시 서대문구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.10.04	수리 (Accepted)	1-1-2007-0714530-23
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2011-5252006-10
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
7	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2012.10.04	수리 (Accepted)	1-1-2012-0805078-61
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5062749-37
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.06.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5088566-87
10	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.07.04	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
11	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.08.07	수리 (Accepted)	9-1-2013-0062765-35
12	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.09.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0667979-60
13	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.11.25	수리 (Accepted)	1-1-2013-1072838-29
14	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.11.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1072850-78
15	등록결정서 Decision to grant	2014.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0218796-37
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.09.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5114224-78

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 투명한 전도성 산화물; 및상기 투명한 전도성 산화물에 도핑된 전이금속을 포함하고,상기 전이금속은 망간(Mn)인 것을 특징으로 하는 전도성 박막
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 투명한 전도성 산화물은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 옥사이드(ZnO) 중 어느 하나를 포함하며,상기 인듐 틴 옥사이드(ITO)에는 주석(Sn)이 도핑되고, 상기 징크 옥사이드(ZnO)에는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), In(인듐) 중 어느 하나가 도핑된 것을 특징으로 하는 전도성 박막
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 망간의 함유량은 5wt
4	4 제 1 항에 있어서,투명한 전도성 물질로 이루어진 투명층이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 전도성 박막
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 투명한 전도성 산화물은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 옥사이드(ZnO) 중 어느 하나를 포함하며,상기 인듐 틴 옥사이드(ITO)에는 주석(Sn)이 도핑되고, 상기 징크 옥사이드(ZnO)에는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), In(인듐) 중 어느 하나가 도핑된 것을 특징으로 하는 전도성 박막
6	6 제 4 항에 있어서, 상기 망간의 함유량은 8
7	7 기판을 제공하는 단계; 및투명한 전도성 산화물로 이루어진 타겟과 전이금속으로 이루어진 타겟을 동시에 스퍼터링하여 상기 기판 상에 불투명 전도성 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전이금속은 망간(Mn)인 것을 특징으로 하는 전도성 박막의 제조 방법
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 투명한 전도성 산화물은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 옥사이드(ZnO) 중 어느 하나를 포함하며,상기 인듐 틴 옥사이드(ITO)에는 주석(Sn)이 도핑되고, 상기 징크 옥사이드(ZnO)에는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), In(인듐) 중 어느 하나가 도핑된 것을 특징으로 하는 전도성 박막의 제조 방법
9	9 제 7 항에 있어서, 상기 망간의 함유량은 5wt
10	10 제 7 항에 있어서, 상기 투명한 전도성 산화물로 이루어진 타겟과 전이금속으로 이루어진 타겟을 동시에 스퍼터링하는 과정은, 챔버 내부에 아르곤(Ar) 가스가 3sccm ~ 15sccm 공급되고 1mTorr ~ 20mTorr의 압력 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 박막의 제조 방법
11	11 제 7 항에 있어서, 상기 불투명 전도성 산화물 박막 상에 투명한 전도성 산화물로 이루어진 타겟을 스퍼터링하여 투명층을 증착하는 단계가 추가로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 박막의 제조 방법
12	12 제 11 항에 있어서, 상기 투명층을 형성하는 투명한 전도성 산화물은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 옥사이드(ZnO) 중 어느 하나를 포함하며,상기 인듐 틴 옥사이드(ITO)에는 주석(Sn)이 도핑되고, 상기 징크 옥사이드(ZnO)에는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), In(인듐) 중 어느 하나가 도핑된 것을 특징으로 하는 전도성 박막의 제조 방법
13	13 제 11 항에 있어서, 상기 망간의 함유량은 8
14	14 기판;상기 기판 상에 종횡으로 교차되어 화소를 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인;상기 화소마다 형성되며, 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터;투명한 전도성 산화물에 불투명한 전이금속이 도핑되어 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 접속된 화소전극;상기 화소마다 형성되어 상기 화소전극과 함께 수평전계를 이루는 공통전극을 포함하고,상기 전이금속은 망간(Mn)인 것을 특징으로 하는 액정표시장치
15	15 제 14 항에 있어서, 상기 공통전극은 투명한 전도성 산화물에 불투명한 전이금속이 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
16	16 제 14 항에 있어서, 상기 투명한 전도성 산화물은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 옥사이드(ZnO) 중 어느 하나를 포함하며,상기 인듐 틴 옥사이드(ITO)에는 주석(Sn)이 도핑되고, 상기 징크 옥사이드(ZnO)에는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), In(인듐) 중 어느 하나가 도핑된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
17	17 제 15 항에 있어서, 상기 투명한 전도성 산화물은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 옥사이드(ZnO) 중 어느 하나를 포함하며, 상기 인듐 틴 옥사이드(ITO)에는 주석(Sn)이 도핑되고, 상기 징크 옥사이드(ZnO)에는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), In(인듐) 중 어느 하나가 도핑된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
18	18 제 14 항에 있어서, 상기 망간의 함유량은 5wt
19	19 제 15 항에 있어서, 상기 망간의 함유량은 5wt
20	20 제 14 항에 있어서, 상기 화소전극과 접촉되며, 투명한 전도성 산화물로 형성된 제 1 투명층이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
21	21 제 20 항에 있어서, 상기 제 1 투명층을 형성하는 투명한 전도성 산화물은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 옥사이드(ZnO) 중 어느 하나를 포함하며,상기 인듐 틴 옥사이드(ITO)에는 주석(Sn)이 도핑되고, 상기 징크 옥사이드(ZnO)에는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), In(인듐) 중 어느 하나가 도핑된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
22	22 제 20 항에 있어서, 상기 망간의 함유량은 8
23	23 제 15 항에 있어서, 상기 공통전극과 접촉되며, 투명한 전도성 산화물로 형성된 제 2 투명층이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
24	24 제 23 항에 있어서, 상기 제 2 투명층을 형성하는 투명한 전도성 산화물은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 징크 옥사이드(ZnO) 중 어느 하나를 포함하며,상기 인듐 틴 옥사이드(ITO)에는 주석(Sn)이 도핑되고, 상기 징크 옥사이드(ZnO)에는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), In(인듐) 중 어느 하나가 도핑된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
25	25 제 23 항에 있어서, 상기 망간의 함유량은 8

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특허 등록번호	10-1386562-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20071004 출원 번호 : 1020070100020 공고 연월일 : 20140421 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140328 청구범위의 항수 : 25 유별 : G02F 1/1343 발명의 명칭 : 불투명 전도성 산화물 박막 및 그를 이용한 액정표시장치 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구...
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	1,020,000 원	2014년 04월 14일	납입
제 4 년분	금 액	590,000 원	2017년 03월 20일	납입
제 5 년분	금 액	590,000 원	2018년 03월 15일	납입
제 6 년분	금 액	590,000 원	2019년 03월 18일	납입
제 7 년분	금 액	1,050,000 원	2020년 03월 19일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.10.04	수리 (Accepted)	1-1-2007-0714530-23
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2011-5252006-10
6	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
7	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2012.10.04	수리 (Accepted)	1-1-2012-0805078-61
8	출원인정보변경(경정)신고서	2013.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5062749-37
9	출원인정보변경(경정)신고서	2013.06.24	수리 (Accepted)	4-1-2013-5088566-87
10	선행기술조사의뢰서	2013.07.04	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
11	선행기술조사보고서	2013.08.07	수리 (Accepted)	9-1-2013-0062765-35
12	의견제출통지서	2013.09.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0667979-60
13	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.11.25	수리 (Accepted)	1-1-2013-1072838-29
14	[명세서등 보정]보정서	2013.11.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1072850-78
15	등록결정서	2014.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0218796-37
16	출원인정보변경(경정)신고서	2014.09.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5114224-78


기술번호	KST2015013091
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	불투명 전도성 산화물 박막 및 그를 이용한 액정표시장치
기술개요	본 발명은 불투명 전도성 산화물 박막 및 그를 이용한 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 투명한 전도성 산화물에 전이금속이 도핑되어 광의 투과율이 저하된 박막 및 그를 이용한 화소전극과 공통전극을 구비함으로써 콘트라스트비가 향상된 액정표시장치에 관한 것이다.이러한 본 발명에 따른 전도성 박막은, 투명한 전도성 산화물; 상기 투명한 전도성 산화물에 도핑된 전이금속; 을 포함하여 구성된다. 그리고, 상기 전도성 박막을 이용한 본 발명에 따른 액정표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 종횡으로 교차되어 화소를 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 화소마다 형성되며, 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터; 투명한 전도성 산화물에 불투명한 전이금속이 도핑되어 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 접속된 화소전극; 상기 화소마다 형성되어 화소전극과 함께 수평전계를 이루는 공통전극; 을 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 공통전극 또한 투명한 전도성 산화물에 전이금속이 도핑되어 형성된다.전도성 박막, 광 투과율, 액정표시장치, 화소전극, 공통전극
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야	디스플레이/전극/전극
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,
사업화적용실적
도입시고려사항

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