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물질의 표면 젖음 특성 조절 장치와 방법 및 이를 이용한 랩온어칩

  • 기술번호 : KST2015013101
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 물질의 표면 젖음 특성 조절 장치와 방법, 및 이를 이용한 랩온어칩에 관한 것으로, 기판과, 기판상에 형성되며 시료의 이동 경로를 형성하는 채널, 및 채널에 반응 기체를 공급하는 반응기체 공급부를 포함하며, 상기 채널은, 기판상에 형성되며 기판보다 큰 표면 거칠기를 갖는 거친 표면 물질, 및 거친 표면 물질에 형성되며, 상기 반응 기체와 반응하여 부피가 변화하는 반응 물질을 포함하는 랩온어칩을 제공한다.
Int. CL G01N 35/08 (2006.01) G01N 37/00 (2006.01)
CPC B01L 3/5027(2013.01) B01L 3/5027(2013.01) B01L 3/5027(2013.01) B01L 3/5027(2013.01) B01L 3/5027(2013.01)
출원번호/일자 1020120147475 (2012.12.17)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1411441-0000 (2014.06.18)
공개번호/일자 10-2014-0079591 (2014.06.27) 문서열기
공고번호/일자 (20140701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.17)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태윤 대한민국 서울특별시 서대문구
2 이우영 대한민국 서울 마포구
3 이순일 대한민국 서울특별시 서대문구
4 서정목 대한민국 경기 고양시 일산서구
5 한희탁 대한민국 인천광역시 남동구
6 정회봉 대한민국 충청남도 예산군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-1048161-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0090130-65
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0833129-84
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1191517-92
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1191513-10
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.26 무효 (Invalidation) 1-1-2013-1191447-94
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1191414-98
11 보정요구서
Request for Amendment		 2014.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0001585-24
12 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2014.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0021352-62
13 등록결정서
Decision to grant		 2014.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0391031-08
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성되며, 시료의 이동 경로를 형성하는 채널; 및상기 채널에 반응 기체를 공급하는 반응기체 공급부를 포함하며,상기 채널은,상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판보다 큰 표면 거칠기를 갖는 거친 표면 물질; 및상기 거친 표면 물질에 형성되며, 상기 반응 기체와 반응하여 상기 채널의 표면 젖음 특성을 조절하도록 부피가 변화하는 반응 물질을 포함하는 랩온어칩
2 2
제1 항에 있어서,상기 거친 표면 물질은, 나노와이어 및 다공성 물질 중의 하나 이상을 포함하는 랩온어칩
3 3
제1 항에 있어서,상기 반응 물질은, 상기 거친 표면 물질의 상부에 증착 형성되는 랩온어칩
4 4
기판;상기 기판상에 형성되며, 시료의 이동 경로를 형성하는 채널; 및상기 채널에 반응 기체를 공급하는 반응기체 공급부를 포함하며,상기 채널은,상기 기판상에 형성되며, 상기 기판보다 큰 표면 거칠기를 갖는 거친 표면 물질; 및상기 거친 표면 물질에 형성되며, 상기 반응 기체와 반응하여 부피가 변화하는 반응 물질을 포함하며,상기 반응 기체는, H2, O2, NH3, H2O 및 CO2 중의 하나 이상을 포함하며,상기 반응 물질은, Pd, Pt, Mg, MgO, ZnO, SnO2, 탄소나노튜브 및 그래핀 중의 하나 이상을 포함하는 랩온어칩
5 5
제1 항에 있어서,상기 기판은, 상면에 상기 채널에 대응하도록 홈이 형성되고,상기 거친 표면 물질은, 상기 홈의 바닥면에 형성되며, 상기 홈의 높이보다 낮은 높이로 형성되는 랩온어칩
6 6
제1 항에 있어서,상기 거친 표면 물질은, 상기 채널의 단면이 오목한 형상을 갖도록, 상기 채널의 단면 중심에서 멀어질수록 길이가 증가하도록 형성되는 랩온어칩
7 7
제1 항에 있어서,상기 반응기체 공급부는,상기 반응 기체를 공급하여 상기 시료를 상기 채널 상에서 정지시키고, 상기 반응 기체를 상기 채널 상에서 제거하여 상기 시료를 상기 채널을 통해 흐르게 하는 랩온어칩
8 8
제1 항에 있어서,상기 채널의 상부 공간을 외부로부터 차단하도록, 상기 채널의 패턴과 대응하는 형상으로 상기 기판에 형성되는 차단부재를 더 포함하며,상기 반응기체 공급부는, 상기 기판과 상기 차단부재 사이에 형성되는 내부 공간으로 상기 반응 기체를 공급하는 랩온어칩
9 9
기판;상기 기판상에 형성되며, 시료의 이동 경로를 형성하는 채널; 및상기 채널에 반응 기체를 공급하는 반응기체 공급부를 포함하며,상기 채널은,상기 기판상에 형성되며, 상기 기판보다 큰 표면 거칠기를 갖는 거친 표면 물질; 및상기 거친 표면 물질에 형성되며, 상기 반응 기체와 반응하여 부피가 변화하는 반응 물질을 포함하며,상기 채널은, 상기 시료가 유입되는 시료 유입구로부터 하향 경사지도록 형성되는 랩온어칩
10 10
물질;상기 물질 상에 형성되며, 상기 물질보다 큰 표면 거칠기를 갖는 거친 표면 물질;상기 거친 표면 물질에 형성되며, 반응 기체와 반응하여 상기 거친 표면 물질의 표면 젖음 특성을 조절하도록 부피가 변화하는 반응 물질; 및상기 물질 상으로 상기 반응 기체를 공급하는 반응기체 공급부를 포함하는 물질의 표면 젖음 특성 조절 장치
11 11
제10 항에 있어서,상기 거친 표면 물질은, 나노와이어 및 다공성 물질 중의 하나 이상을 포함하며,상기 반응 물질은, 상기 거친 표면 물질의 상부에 증착 형성되는 물질의 표면 젖음 특성 조절 장치
12 12
물질;상기 물질상에 형성되며, 상기 물질보다 큰 표면 거칠기를 갖는 거친 표면 물질;상기 거친 표면 물질에 형성되며, 반응 기체와 반응하여 부피가 변화하는 반응 물질; 및상기 물질상으로 상기 반응 기체를 공급하는 반응기체 공급부를 포함하며,상기 반응기체 공급부는,상기 반응 기체를 공급하여 상기 거친 표면 물질의 표면 젖음 특성을 소수성 또는 친수성으로 조절하고, 상기 물질상에서 상기 반응 기체를 제거하여 상기 거친 표면 물질의 표면 젖음 특성을 초소수성으로 조절하는 물질의 표면 젖음 특성 조절 장치
13 13
기판 상에 상기 기판보다 큰 표면 거칠기를 갖는 거친 표면 물질을 시료의 이동 경로를 따라 형성하는 단계;상기 거친 표면 물질에 반응 기체와 반응하여 부피가 변화하는 반응 물질을 형성하는 단계;상기 거친 표면 물질의 표면 젖음 특성을 조절하기 위해 상기 기판 상으로 상기 반응 기체를 공급하는 단계; 및상기 기판으로부터 상기 반응 기체를 제거하는 단계를 포함하며,상기 반응 물질은,상기 반응 기체가 공급되는 경우, 상기 반응 기체와 반응하여 부피가 팽창하고,상기 반응 기체가 제거되는 경우, 상기 반응 기체가 상기 반응 물질로부터 분리되어 팽창 전의 부피로 수축하는 시료의 이동 제어 방법
14 14
제13 항에 있어서,상기 거친 표면 물질은, 나노와이어 및 다공성 물질 중의 하나 이상을 포함하는 시료의 이동 제어 방법
15 15
기판상에 상기 기판보다 큰 표면 거칠기를 갖는 거친 표면 물질을 시료의 이동 경로를 따라 형성하는 단계;상기 거친 표면 물질에 반응 기체와 반응하여 부피가 변화하는 반응 물질을 형성하는 단계; 및상기 기판상으로 상기 반응 기체를 공급하는 단계를 포함하며,상기 반응 기체는, H2, O2, NH3, H2O 및 CO2 중의 하나 이상을 포함하며,상기 반응 물질은, Pd, Pt, Mg, MgO, ZnO, SnO2, 탄소나노튜브 및 그래핀 중의 하나 이상을 포함하는 시료의 이동 제어 방법
16 16
제13 항 내지 제15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반응기체를 공급하는 단계는,상기 반응 기체를 공급하여 상기 시료를 상기 이동 경로 상에서 정지시키고, 상기 반응 기체를 제거하여 상기 시료를 상기 이동 경로를 통해 흐르게 하는 시료의 이동 제어 방법
17 17
물질상에 상기 물질보다 큰 표면 거칠기를 갖는 거친 표면 물질을 형성하는 단계;상기 거친 표면 물질에 반응 기체와 반응하여 부피가 변화하는 반응 물질을 형성하는 단계; 상기 거친 표면 물질의 표면 젖음 특성을 조절하기 위해 상기 물질상으로 상기 반응 기체를 공급하는 단계; 및상기 물질로부터 상기 반응 기체를 제거하는 단계를 포함하며,상기 반응 물질은,상기 반응 기체가 공급되는 경우, 상기 반응 기체와 반응하여 부피가 팽창하고,상기 반응 기체가 제거되는 경우, 상기 반응 기체가 상기 반응 물질로부터 분리되어 팽창 전의 부피로 수축하는 물질의 표면 젖음 특성 조절 방법
18 18
제17 항에 있어서,상기 거친 표면 물질은, 나노와이어 및 다공성 물질 중의 하나 이상을 포함하며,상기 반응 물질은, 상기 거친 표면 물질의 상부에 증착 형성되는 물질의 표면 젖음 특성 조절 방법
19 19
물질상에 상기 물질보다 큰 표면 거칠기를 갖는 거친 표면 물질을 형성하는 단계;상기 거친 표면 물질에 반응 기체와 반응하여 부피가 변화하는 반응 물질을 형성하는 단계; 및상기 물질상으로 상기 반응 기체를 공급하는 단계를 포함하며,상기 반응 기체를 공급하는 단계는,상기 반응 기체를 공급하여 상기 거친 표면 물질의 표면 젖음 특성을 소수성 또는 친수성으로 조절하고, 상기 물질상에서 상기 반응 기체를 제거하여 상기 거친 표면 물질의 표면 젖음 특성을 초소수성으로 조절하는 물질의 표면 젖음 특성 조절 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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