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산화물 반도체 장치 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015013117
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 멀티-액티브층을 갖는 트랜지스터가 제공된다. 멀티-액티브층은 트랜지스터의 채널로 작용하며, 제1 채널층과 제2 채널층을 포함한다. 제1 채널층이 주로 채널로 작용을 하고, 제2 채널층은 제1 채널층을 보호하고, 소스/드레인 전극과 저항접촉을 형성한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020120050864 (2012.05.14)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1406838-0000 (2014.06.05)
공개번호/일자 10-2013-0127150 (2013.11.22) 문서열기
공고번호/일자 (20140616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.14)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울 송파구
2 김철호 대한민국 경기 고양시 일산서구
3 김득종 대한민국 서울특별시 서대문구
4 정웅희 대한민국 서울특별시 서대문구
5 김동림 대한민국 서울특별시 서대문구
6 임유승 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0382968-25
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0503383-87
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0037626-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0429278-57
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0774275-77
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0774276-12
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0887640-03
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0131835-11
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0131833-20
13 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0352354-81
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
게이트 전극;절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극 상에 제공되는 산화물 반도체 박막; 그리고 상기 산화물 반도체 박막 상에 이격되어 구비된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하되, 상기 산화물 반도체 박막은 상기 게이트 전극에 가까운 IGZO층을 포함하는 제1 산화물 반도체 박막 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 가까우며 ZTO층을 포함하는 제2 산화물 반도체 박막을 포함하는 트랜지스터
3 3
청구항 2에 있어서,상기 ZTO층은 0
4 4
청구항 3에 있어서,상기 ZTO층은 2:1 원자% 비율로 아연과 주석을 포함하는 트랜지스터
5 5
청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,상기 IGZO층의 인듐, 갈륨 및 아연은 어느 한 성분이 다른 성분에 대해서 0
6 6
청구항 5에 있어서,상기 IGZO층은 3:1:2 원자% 비율로 인듐, 갈륨 및 아연을 포함하는 트랜지스터
7 7
청구항 5에 있어서,상기 제1 산화물 반도체 박막 및 상기 제2 산화물 반도체 박막 사이에 제3 산화물 반도체 박막을 더 포함하며,상기 제3 산화물 반도체 박막은 상기 제1 산화물 반도체 박막 및 상기 제2 산화물 반도체 박막과 다른 성분으로 구성되는 트랜지스터
8 8
삭제
9 9
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 절연막을 사이에 두고 IGZO층을 포함하는 제1 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 상기 제1 산화물 반도체 박막 상에 상기 IGZO층과 다른 성분의 제2 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 그리고,상기 제2 산화물 반도체 박막 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계는 ZTO층을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터 형성 방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 IGZO층을 포함하는 제1 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계는:인듐 전구체, 갈륨 전구체 그리고 아연 전구체를 포함하는 제1 전구체 용액을 준비하는 단계; 그리고,상기 제1 전구체 용액을 도포하는 단계를 포함하며,상기 제1 전구체 용액은 3:1:2의 몰비로 인듐, 갈륨, 아연을 포함하고,상기 제1 전구체 용액은 0
11 11
청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,상기 ZTO층을 형성하는 단계는아연 전구체 및 주석 전구체를 포함하는 제2 전구체 용액을 준비하는 단계; 그리고,상기 제2 전구체 용액을 도포하는 단계를 포함하며,상기 제2 전구체 용액은 2:1의 몰비로 아연 및 주석을 포함하고,상기 제2 전구체 용액은 0
12 12
삭제
13 13
기판 상에 형성된 트랜지스터; 그리고,상기 트랜지스터에 연결된 화소전극을 포함하는 LCD 패널로서,상기 트랜지스터는:기판 상에 형성된 게이트 전극, 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극 상에 형성된 멀티-액티브층 그리고 상기 멀티-액티브층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 멀티-액티브층은 상기 게이트 전극에 인접한 IGZO층; 그리고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 인접한 ZTO층을 포함하는LCD 패널
14 14
TFT 기판과 유기 발광층을 포함하는 OLED 패널로서,상기 TFT 기판은:기판 상에 형성된 게이트 전극, 절연층을 사이에 두고 상기 게이트 전극 상에 형성된 멀티-액티브층, 그리고 상기 멀티-액티브층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 멀티-액티브층은 상기 게이트 전극에 인접한 IGZO층; 그리고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 인접한 ZTO층을 포함하는OLED 패널
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(도약연구사업) 차세대 디스플레이를 위한 SBS (Solution Based Si) 박막 및 ASB (All Solution Based) TFT 기술개발