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메조포러스 무기산화물막의 패터닝 방법 및 이에 의하여 패턴화된 메조포러스 무기산화물막을 포함하는 전기소자

  • 기술번호 : KST2015013161
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 무기산화물 입자를 포함하는 조성물을 이용하여 메조포러스 무기산화물막을 형성하는 단계, 그리고 상기 메조포러스 무기산화물막에 대해 패턴형성용 탄성 스탬프를 이용하여 패턴을 형성한 후 소성하는 단계를 포함하는 메조포러스 무기산화물막의 패터닝 방법 및 이에 의해 패턴화된 메조포러스 무기산화물막을 포함하는 전자소자를 제공한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120072844 (2012.07.04)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1437552-0000 (2014.08.28)
공개번호/일자 10-2014-0007037 (2014.01.16) 문서열기
공고번호/일자 (20140916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.04)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은경 대한민국 서울특별시 용산구
2 김종학 대한민국 서울특별시 도봉구
3 김정훈 대한민국 서울특별시 금천구
4 고종관 대한민국 서울특별시 강서구
5 나종범 대한민국 서울특별시 강남구
6 박치현 대한민국 경기도 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0535599-25
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0089103-13
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0574902-26
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0062628-99
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0658707-58
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-1070125-48
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-1163882-30
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0067099-88
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0067096-41
13 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0373606-28
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
무기산화물 입자를 포함하는 중성의 조성물을 이용하여 메조포러스 무기산화물막을 형성하는 단계, 그리고상기 메조포러스 무기산화물막 위에 패턴형성용 탄성 스탬프를 위치시킨 후 유지하고 건조시켜 패턴을 형성하고, 형성된 패턴으로부터 패턴형성용 탄성 스탬프를 분리한 후 형성된 패턴을 소성하는 단계를 포함하며,상기 무기산화물 입자가 2nm 내지 60㎛의 입자직경을 갖는 것인 메조포러스 무기산화물막의 패터닝 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 무기산화물이 티타늄(Ti), 아연(Zn), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr), 스트론튬(Sr), 인듐(In), 란타늄(La), 바나듐(V), 몰리브데늄(Mo), 틴(Sn), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 이트륨(Y), 스칸듐(Sc), 사마륨(Sm), 갈륨(Ga), 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속원소를 포함하는 산화물인 메조포러스 무기산화물막의 패터닝 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 패턴형성용 탄성 스탬프가 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 실리콘고무(silicone rubber), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리메타크릴산메틸(polymethylmethacrylate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리락틱코글리코릭산(polylactic-co-glycolic acid), 하이드로겔(hydrogel) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 메조포러스 무기산화물막의 패터닝 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 소성공정이 200 내지 450℃에서 실시되는 메조포러스 무기산화물막의 패터닝 방법
5 5
제1항에 따른 메조포러스 무기산화물막의 패터닝 방법에 따라, 전도성 기판 위에 패턴화된 메조포러스 무기산화물층을 형성하는 단계;상기 패턴화된 메조포러스 무기산화물층에 염료를 흡착시키는 염료흡착단계; 그리고 상기 염료가 흡착된 메조포러스 무기산화물층 내에 정공전달물질을 주입하는 정공전달물질 주입단계를 포함하는 광전극의 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 무기산화물이 티타늄(Ti), 아연(Zn), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 지르코늄(Zr), 스트론튬(Sr), 인듐(In), 란타늄(La), 바나듐(V), 몰리브데늄(Mo), 틴(Sn), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 이트륨(Y), 스칸듐(Sc), 사마륨(Sm), 갈륨(Ga), 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속원소를 포함하는 산화물인 광전극의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제5항에 있어서,상기 패턴화된 메조포러스 무기산화물층을 형성하는 단계가 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 실리콘고무(silicone rubber), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리메타크릴산메틸(polymethylmethacrylate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리락틱코글리코릭산(polylactic-co-glycolic acid), 하이드로겔(hydrogel) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 패턴형성용 탄성 스탬프를 이용하여 실시되는 것인 광전극의 제조방법
9 9
제5항에 있어서,상기 패턴화된 메조포러스 무기산화물층을 형성하는 단계 전에 무기산화물의 전구체 함유 조성물을 이용하여 전도성 기판 상에 계면 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 광전극의 제조방법
10 10
삭제
11 11
제5항에 있어서,상기 정공전달물질 주입단계는 정공전달물질 형성용 전도성 고분자의 단량체를 포함하는 조성물을 패턴화된 메조포러스 무기산화물층에 침투시킨 후 열중합하여 정공전달물질용 전도성 고분자를 형성하는 것인 광전극의 제조방법
12 12
제5항에 있어서,상기 정공전달물질 주입 단계 후, 비휘발성 이온성 액체 및 이온염을 포함하는 첨가제를 주입하는 첨가제 주입 단계를 더 포함하는 광전극의 제조방법
13 13
제5항, 제6항, 제8항, 제9항, 제11항 및 제12항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 제조된 광전극을 포함하는 태양전지
14 14
도전체층;절연체층; 및반도체층을 포함하며,상기 절연체층이 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 메조포러스 무기산화물막의 패터닝 방법에 의해 패턴화된 메조포러스 무기산화물막을 포함하는 것인 전계 효과 트랜지스터
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1 US09406447 US 미국 FAMILY
2 US09892959 US 미국 FAMILY
3 US20140007936 US 미국 FAMILY
4 US20160315006 US 미국 FAMILY

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1 US2014007936 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2016315006 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US9406447 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9892959 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 선도연구센터 이공학분야 패턴집적형 능동 폴리머 소재센터