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표면증강 라만 산란 센서 및 그 센싱방법

  • 기술번호 : KST2015013174
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 나노잔디 구조, 이의 성장 방법 및 이를 포함하는 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 표면증강 라만 활성 금속 나노잔디 구조는 반도체 또는 마이크로어레이와 같은 장치에 직접 패터닝할 수 있으며, 강한 전자기증강을 발생하여 높은 민감도 및 신호 증강을 기대할 수 있다.
Int. CL G01J 3/44 (2006.01) G01N 21/65 (2006.01)
CPC G01N 21/658(2013.01) G01N 21/658(2013.01)
출원번호/일자 1020120110068 (2012.10.04)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1412420-0000 (2014.06.19)
공개번호/일자 10-2014-0046517 (2014.04.21) 문서열기
공고번호/일자 (20140701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 함승주 대한민국 서울 마포구
2 허용민 대한민국 서울 광진구
3 방도연 대한민국 서울시 서대문구
4 박요셉 대한민국 서울 종로구
5 김은정 대한민국 서울시 서대문구
6 최지혜 대한민국 인천 남구
7 장은지 대한민국 서울시 서대문구
8 이택수 대한민국 서울시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0804444-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0080361-15
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0735538-78
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-1175074-92
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1175075-37
9 등록결정서
Decision to grant
2014.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0271775-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전극이 형성된 기판에 금속 시안화물 및 pH 조절제를 포함하는 성장 용액을 가하는 단계; 전압을 인가하여 금속 나노잔디 구조를 성장시키는 단계; 및성장된 금속 나노잔디 구조 표면을 표지물질을 이용하여 개질하는 단계 포함하는 표면증강 라만 산란 센서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속은 은, 백금, 금, 구리 및 아연으로 루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 산란 센서의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 각 금속 나노잔디 구조의 직경은 50 내지 150 nm이고, 길이는 400 내지 600 nm인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 산란 센서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,금속 나노잔디 구조는 기판 상에 패턴화된 형태인 것을 특징으로 하는 표면증강 라만 산란 센서의 제조방법
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8 8
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9 9
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10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.