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전해액이 통과하는 다공들이 형성된 베이스 필름;상기 베이스 필름의 표면에 결합되는 제1 작용기를 갖는 매개층; 및상기 매개층 상에 배치되며, 상기 전해액 내에서 생성된 생성물을 제거하기 위해 상기 제1 작용기 및 상기 생성물과 반응하여 결합되는 제2 작용기를 갖는 생성물 제거층을 포함하며,상기 생성물은 불산을 포함하며,상기 제1 작용기는 폴리비닐리덴디플루오리드(polyvinylidene fluoride,PVDF) 및 알코올기를 형성하는 물질을 혼합한 아세톤 용액을 상기 베이스 필름의 표면에 제공하여 형성되고,상기 제2 작용기는 매개층이 형성된 상기 베이스 필름에 올소실리케이트계 용액을 제공하여 형성된 2차 전지용 분리막
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제1항에 있어서,상기 베이스 필름은 폴리올레핀계열 수지를 포함하는 2차 전지용 분리막
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제2항에 있어서,상기 베이스 필름은 폴리에틸렌(polyethylene, PE) 수지 및 폴리프로피렌(polypropylene, PP) 수지 중 어느 하나를 포함하는 2차 전지용 분리막
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제1항에 있어서,상기 알코올기를 형성하는 물질은 실리카 및 주기율표(periodic table)의 3주기, 4주기 및 5주기에 포함된 금속의 산화물이며,상기 알코올기(OH)를 상기 베이스 필름 상에 형성하는 금속 산화물은 알루미늄 옥사이드, 마그네슘 옥사이드, 타이타늄 옥사이드, 바나듐 옥사이드, 크롬 옥사이드, 철 산화물, 망간 옥사이드, 코발트 옥사이드, 니켈 옥사이드, 구리 옥사이드, 아연 옥사이드, 셀레늄 옥사이드, 칼슘 옥사이드, 지르코늄 옥사이드, 몰리브덴 옥사이드, 로테늄 옥사이드, 인듐 옥사이드 및 주석 옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하며,상기 올소실리케이트계 용액은 테트라올소실리케이트(TEOS)인 Si(OR)4(상기 식에서 R은 탄소수 C1 내지 C20 범위의 지방족 포화 또는 불포화 탄화수소이거나, 탄소수 C1 내지 C20 범위의 방향족 포화 또는 불포화 탄화수소기이다)를 포함하는 2차 전지용 분리막
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전해액이 통과하는 다공들이 형성된 베이스 필름을 형성하는 단계;상기 베이스 필름의 표면에 상기 베이스 필름과 결합되는 제1 작용기를 갖는 매개층을 형성하는 단계; 및전해액 내에서 생성된 생성물을 제거하기 위해 상기 제1 작용기에 결합되는 제2 작용기를 갖는 생성물 제거층을 상기 매개층 상에 형성하는 단계를 포함하는 2차 전지용 분리막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 베이스 필름을 형성하는 단계는 폴리올레핀계열 수지를 연신하여 형성하는 2차 전지용 분리막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 베이스 필름은 폴리에텔렌 수지 및 폴리프로필렌 수지 중 어느 하나를 포함하는 2차 전지용 분리막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 생성물은 불산(HF)을 포함하며,상기 매개층을 형성하는 단계는 폴리비닐리덴디플루오리드(polyvinylidene fluoride,PVDF) 및 알코올기를 형성하는 물질을 1:1의 비율로 아세톤에 혼합한 아세톤 코팅 용액을 제조하는 단계;상기 베이스 필름에 상기 아세톤 코팅 용액을 제공하는 단계; 및상기 베이스 필름을 건조시켜 상기 베이스 필름의 표면에 상기 제1 작용기를 형성하는 단계를 포함하는 2차 전지용 분리막의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 알코올기를 형성하는 물질은 실리카 및 주기율표(periodic table)의 3주기, 4주기 및 5주기에 포함된 금속의 산화물이며,상기 알코올기(OH)를 상기 베이스 필름 상에 형성하는 금속 산화물은 알루미늄 옥사이드, 마그네슘 옥사이드, 타이타늄 옥사이드, 바나듐 옥사이드, 크롬 옥사이드, 철 산화물, 망간 옥사이드, 코발트 옥사이드, 니켈 옥사이드, 구리 옥사이드, 아연 옥사이드, 셀레늄 옥사이드, 칼슘 옥사이드, 지르코늄 옥사이드, 몰리브덴 옥사이드, 로테늄 옥사이드, 인듐 옥사이드 및 주석 옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 2차 전지용 분리막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 생성물은 불산(HF)을 포함하며,상기 생성물 제거층은올소실리케이트계 물질을 포함하는 올소실리케이트계 용액을 상기 베이스 필름의 상기 매개층에 제공하여 상기 제1 작용기와 반응하여 결합되는 상기 제2 작용기를 형성하는 단계;상기 베이스 필름에 도포된 상기 올소실리케이트계 용액을 건조시키는 단계; 및상기 베이스 필름에 남아 있는 상기 올소실리케이트 용액 및 부산물을 제거하는 단계를 포함하는 2차 전지용 분리막의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 올소실리케이트계 물질은 테트라올소실리케이트(tetraehylorthosilicate,TEOS)인 Si(OR)4(상기 식에서 R은 탄소수 C1 내지 C20 범위의 지방족 포화 또는 불포화 탄화수소이거나, 탄소수 C1 내지 C20 범위의 방향족 포화 또는 불포화 탄화수소기이다)를 포함하는 2차 전지용 분리막의 제조 방법
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양극 활물질을 포함하는 양극 극판;음극 활물질을 포함하는 음극 극판;상기 양극 극판 및 상기 음극 극판 사이에 채워진 전해액; 및상기 전해액이 통과하는 다공들이 형성된 베이스 필름, 상기 베이스 필름의 표면에 결합되는 제1 작용기를 갖는 매개층 및 상기 전해액 내에서 생성된 생성물을 제거하기 위해 상기 제1 작용기 및 상기 생성물과 결합되는 제2 작용기를 갖는 생성물 제거층을 포함하는 분리막을 포함하며,상기 생성물은 불산을 포함하며,상기 제1 작용기는 폴리비닐리덴디플루오리드(polyvinylidene fluoride,PVDF) 및 알코올기를 형성하는 물질을 혼합한 아세톤 용액을 상기 베이스 필름의 표면에 제공하여 형성되고,상기 제2 작용기는 매개층이 형성된 상기 베이스 필름에 올소실리케이트계 용액을 제공하여 형성된 2차 전지
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제13항에 있어서,상기 알코올기를 형성하는 물질은 실리카 및 주기율표(periodic table)의 3주기, 4주기 및 5주기에 포함된 금속의 산화물이며,상기 알코올기(OH)를 상기 베이스 필름 상에 형성하는 금속 산화물은 알루미늄 옥사이드, 마그네슘 옥사이드, 타이타늄 옥사이드, 바나듐 옥사이드, 크롬 옥사이드, 철 산화물, 망간 옥사이드, 코발트 옥사이드, 니켈 옥사이드, 구리 옥사이드, 아연 옥사이드, 셀레늄 옥사이드, 칼슘 옥사이드, 지르코늄 옥사이드, 몰리브덴 옥사이드, 로테늄 옥사이드, 인듐 옥사이드 및 주석 옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하며,상기 올소실리케이트계 용액은 테트라올소실리케이트(TEOS)인 Si(OR)4(상기 식에서 R은 탄소수 C1 내지 C20 범위의 지방족 포화 또는 불포화 탄화수소이거나, 탄소수 C1 내지 C20 범위의 방향족 포화 또는 불포화 탄화수소기이다)를 포함하는 2차 전지
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