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플라즈마가 발생되는 플라즈마 챔버;상기 플라즈마 챔버 내에 자기장을 인가하는 자석부; 상기 플라즈마 챔버 내에 마이크로파를 인가하는 마이크로파 발생부;상기 자기장 및 상기 마이크로파에 의한 전자 맴돌이 공명에 의하여 상기 플라즈마로부터 발생된 이온을 상기 플라즈마 챔버로부터 인출하는 이온 인출부; 및상기 자석부에 의해 인가되는 자기장에 의하여 자화됨으로써 상기 자석부에 의해 인가되는 자기장의 크기를 조정하는 자기장 조절부를 포함하되,상기 자기장 조절부는 상기 플라즈마 챔버의 내부에 위치하는 제1 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치
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제 1항에 있어서,상기 자기장 조절부는, 하나 이상의 자기장 조절 재료; 및 상기 하나 이상의 자기장 조절 재료의 위치를 제어하기 위한 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치
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제 2항에 있어서,상기 자기장 조절 재료는 자성체 또는 강자성체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치
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제 1항에 있어서,상기 자기장 조절부는,상기 플라즈마 챔버 외부에 위치하는 제2 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치
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플라즈마 챔버 내에 자기장을 인가하는 단계;상기 플라즈마 챔버 내에 마이크로파를 인가하는 단계;인가된 자기장에 의하여 하나 이상의 자기장 조절 재료를 자화시킴으로써 상기 플라즈마 챔버 내의 자기장의 크기를 조정하는 단계; 상기 플라즈마 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 단계; 및상기 자기장 및 상기 마이크로파에 의한 전자 맴돌이 공명에 의하여 상기 플라즈마로부터 발생된 이온을 상기 플라즈마 챔버로부터 인출하는 단계를 포함하되,상기 하나 이상의 자기장 조절 재료는 상기 플라즈마 챔버 내부에 위치하는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치의 인출 전류를 증가시키는 방법
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제 5항에 있어서,상기 자기장의 크기를 조정하는 단계는, 상기 자기장 조절 재료의 위치를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치의 인출 전류를 증가시키는 방법
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제 5항에 있어서,상기 자기장 조절 재료는 자성체 또는 강자성체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 맴돌이 공명 이온원 장치의 인출 전류를 증가시키는 방법
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