실리콘 기판의 표면 중앙 상에 형성된 사각형의 다이아프램 영역;

상기 다이아프램 영역내에서 상기 다이아프램 영역의 각 측면의 중간부분과 인접하여 배열된 4개의 압저항들;

브릿지 회로를 형성하도록 상기 압저항들과 전기적으로 연결된 저항층들;

상기 다이아프램 영역의 밖에서 상기 저항층들을 전기적으로 연결하는 금속층으로 구성된 압저항형 압력 센서에 있어서,

상기 압저항들은 상기 저항층들과 동일한 도전층으로 형성되면서 복수개의 저항 성분들이 직렬 연결된 형태로 되어 있고, 상기 복수개의 저항 성분들을 연결하는 모서리 부분과 상기 저항층은 상기 다이아프램 영역의 각 측면에서 예각을 갖게 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 압저항형 압력센서

제1항에 있어서, 상기 복수개의 저항 성분들은 3개인 것을 특징으로 하는 압저항형 압력센서

제1항에 있어서, 상기 예각은 45도 인것을 특징으로 하는 압저항형 압력센서

제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 (100) 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 압저항형 압력센서

제4항에 있어서, 상기 압저항은 [110]방향으로 배열되고 저항층은 [100] 방향으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 압저항형 압력센서

실리콘 기판 상에 상기 실리콘 기판의 표면 일부를 노출시키는 제1 산화막 패턴을 형성하는 단계;

상기 제1 산화막 패턴에 의하여 노출된 실리콘 기판 상에 제2 산화막을 형성하는 단계;

상기 제1 산화막 패턴을 마스크로 상기 제2 산화막이 형성된 결과물 전면에 불순물을 이온주입하여 상기 제2 산화막 하부의 실리콘 기판에 각각 압저항과 저항층을 형성함과 동시에 상기 실리콘 기판 상에 제3 산화막을 형성하는 단계;

상기 제3 산화막을 패터닝하여 상기 저항층을 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계;

상기 콘택홀에 매립하는 금속층을 형성하여 상기 저항층과 전기적으로 연결하는 단계; 및

상기 금속층이 형성된 실리콘 기판을 뒤집은 후 상기 실리콘 기판을 소정깊이로 식각하여 다이아프램 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 압저항형 압력센서의 제조방법