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압저항형 압력센서 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015014258
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 멤브레인 영역을 간편하게 특정할 수 있고, 압력이 가해지는 방향의 두께를 감소시켜 미소 센서를 구현할 수 있는 압저항형 압력센서 및 그의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 위해, 본 발명은 하부전극으로 기능하는 제1 반도체층, 절연층 및 제2 반도체층이 적층된 기판과, 상기 제2 반도체층과 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 반도체층 내로 확장된 식각 장벽층과, 상기 식각 장벽층에 의해 정의되어 상기 제1 반도체층 내에 형성된 공동과, 상기 제2 반도체층과 상기 절연층을 관통하여 상기 공동까지 확장된 개구부를 매립하는 밀봉막과, 상기 공동과 중첩되도록 상기 제2 반도체층 내에 형성된 상부전극과, 상기 상부전극과 접속된 제1 전극단자와, 상기 제2 반도체층과 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 반도체층과 접속된 제2 전극단자를 포함하는 압저항형 압력센서를 제공한다.따라서, 본 발명에 의하면, 식각 선택비가 우수한 플루오르화크세논(XeF2) 가스를 이용한 식각공정을 실시하여 공동을 형성함으로써 공동의 크기를 용이하게 제어할 수 있다. 또한, 공동을 밀봉하기 위한 밀봉막을 산화공정으로 형성함으로써 종래기술에 따른 증착공정에 비해 밀봉 특성을 개선시킬 수 있다. 더욱이, 공동 상부에 형성되는 밀봉막의 두께를 얇게 제어하는 것이 가능하여 미소 센서를 구현할 수 있다.
Int. CL H01L 29/84 (2006.01) G01L 9/02 (2006.01)
CPC G01L 9/06(2013.01) G01L 9/06(2013.01) G01L 9/06(2013.01) G01L 9/06(2013.01)
출원번호/일자 1020100078776 (2010.08.16)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1197570-0000 (2012.10.30)
공개번호/일자 10-2012-0016426 (2012.02.24) 문서열기
공고번호/일자 (20121106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황학인 대한민국 서울특별시 성북구
2 이대성 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 신규식 대한민국 서울특별시 영등포구
4 조남규 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 심재만 대한민국 대구광역시 달서구 호산로 ** ,(주)공성 *층 (파호동)(특허법인 스마트(대구분사무소))
3 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0524824-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0012162-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0290443-34
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0569133-15
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0573591-41
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0654520-43
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0654506-14
9 등록결정서
Decision to grant
2012.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0649701-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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하부전극으로 기능하는 제1 반도체층, 절연층 및 제2 반도체층이 적층된 기판;상기 제2 반도체층과 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 반도체층 내로 확장된 식각 장벽층;상기 식각 장벽층에 의해 정의되어 상기 제1 반도체층 내에 형성된 공동;상기 제2 반도체층의 상부와 상기 절연층을 관통하여 상기 공동까지 확장된 개구부를 매립하도록 제2 반도체 층을 시드로 이용하는 산화공정에 의해 형성된 밀봉막;상기 공동과 중첩되도록 상기 제2 반도체층 내에 형성된 상부전극 - 상부전극 사이에 상기 개구부가 형성되어 있음; 상기 상부전극과 접속된 제1 전극단자; 및 상기 제2 반도체층과 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 반도체층과 접속된 제2 전극단자를 포함하는 압저항형 압력센서
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제 1 항에 있어서,상기 공동은 플루오르화크세논(XeF2) 가스를 이용한 식각공정으로 형성된 압저항형 압력센서
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삭제
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제1 반도체층, 절연층 및 제2 반도체층이 적층된 기판을 준비하는 단계;상기 제2 반도체층 내에 이온주입공정을 실시하여 상부전극을 형성하는 단계;상기 제2 반도체층과 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 반도체층 내로 확장된 식각 장벽층을 형성하는 단계;상기 제2 반도체층과 상기 절연층을 식각하여 상부전극 사이에 개구부를 형성하는 단계;상기 개구부를 매개로 플루오르화크세논(XeF2) 가스를 이용한 식각공정을 실시하여 상기 식각 장벽층에 의해 정의된 상기 제1 반도체층 내에 공동을 형성하는 단계;상기 개구부가 매립되도록 제2 반도체층을 시드로 이용하는 산화공정에 의해 제2 반도체층의 상부에 밀봉막을 형성하는 단계; 상기 상부전극과 접속된 제1 전극단자를 형성하는 단계; 및상기 제2 반도체층과 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 반도체층과 접속된 제2 전극단자를 형성하는 단계를 포함하는 압저항형 압력센서의 제조방법
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삭제
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제 4 항에 있어서, 상기 제1 전극단자는 리프트-오프 공정으로 형성하는 압저항형 압력센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.