| 1 |
1
하나의 기판;상기 기판 상에 형성되는 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 분리 공간에 의하여 상호 이격되어 형성되는 복수의 전기 변색 패턴;상기 분리 공간에 삽입되어 상기 복수의 전기 변색 패턴 상호 간을 절연하는 절연성 폴리머 격벽; 및상기 전기 변색 패턴 상에 형성되는 제 2 전극을 포함하고,상기 제 1 전극과 상기 전기 변색 패턴 사이에 형성되는 에칭 정지층을 더 포함하는 셀 구조 일렉트로크로믹 소자
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 제 1 전극 및 제 2 전극은 투명 공통 전극으로 형성되는 셀 구조 일렉트로크로믹 소자
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 에칭 정지층은 투명 금속층으로 형성되는 셀 구조 일렉트로크로믹 소자
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 전기 변색 패턴은 이온 저장층, 고체 전해질층 및 전기 변색층을 포함하는 전고상(all solid state)의 적층 구조로 형성되는 셀 구조 일렉트로크로믹 소자
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 폴리머 격벽은 PI(PolyImide), BCB(Benzo Cyclo Butene), PBO(Poly Benz Oxazole), BT(BismaleimideTriazine), 페놀릭 수지(phenolic resin) 및 에폭시(epoxy) 중에서 선택된 어느 하나로 형성되는 셀 구조 일렉트로크로믹 소자
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 기판과 함께 상기 제 1 전극, 전기 변색 패턴 또는 제 2 전극의 노출면을 차폐하는 보호층을 더 포함하는 셀 구조 일렉트로크로믹 소자
|
| 8 |
8
하나의 기판을 준비하는 과정;상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 과정;상기 제 1 전극 상에 상호 이격되는 전고상의 복수의 전기 변색 패턴을 형성하는 과정;상기 복수의 전기 변색 패턴 사이에 절연성 폴리머 격벽을 형성하는 과정; 및상기 전기 변색 패턴 상에 제 2 전극을 형성하는 과정을 포함하고,상기 제 1 전극 상에 상기 전기 변색 패턴 형성 물질보다 낮은 식각율을 갖는 재료로 이루어진 에칭 정지층을 형성하는 과정을 더 포함하는 셀 구조 일렉트로크로믹 소자의 제조 방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
청구항 8에 있어서,상기 에칭 정지층은 투명 금속층으로 형성되는 셀 구조 일렉트로크로믹 소자의 제조 방법
|
| 11 |
11
청구항 8에 있어서,상기 폴리머 격벽을 형성하는 과정은,상기 복수의 전기 변색 패턴 사이의 이격 공간과 상기 복수의 전기 변색 패턴 상에 감광성 폴리머층을 형성하는 과정; 및상기 감광성 폴리머층의 일부를 광에 노출시키는 과정을 포함하는 셀 구조 일렉트로크로믹 소자의 제조 방법
|
