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구조체가 형성된 반도체 기판을 반응챔버의 선반에 배치하는 단계(S10);상기 반응챔버 내로 초임계 또는 액체 이산화탄소를 공급하고 불산을 포함하는 식각액을 주입하여 반도체 기판의 실리콘 산화막을 식각하는 단계(S20);상기 반응챔버의 상부에서 이산화탄소와 섞이지 않는 초임계 헬륨을 주입하면서 반응챔버의 하부로 초임계 또는 액체 이산화탄소의 식각액 잔여 불산을 배출하는 단계(S30);초임계 또는 액체 이산화탄소를 상기 반응챔버의 하부로부터 주입하여 상기 초임계 헬륨을 반응챔버의 상부로 배출시키고 헹굼을 수행하는 단계(S40); 및상기 반응챔버의 내부를 감압함으로써 반도체 기판을 건조하는 단계(S50);를 포함하는 반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판 상에 형성된 구조체는 MEMS 미소 구조체, NEMS 미소 구조체 또는 DRAM 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법
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제1항에 있어서,상기 식각액은 불소 화합물과 조용매의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법
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제3항에 있어서,상기 불소 화합물은 불산(hydrofluoric Acid, HF), 플루오르화 수소 에테르(hydro Fluoro Ether, HFE), 폴리-4-비닐피리디늄 폴리(하이드로겐 플루오라이드(poly-4-vinylpyridinium poly(hydrogen fluoride)), 하이드로겐 플루오라이드 2,4,6-트리메틸피리딘(hydrogen fluoride 2,4,6-trimethylpyridine) 및 플루오르화 암모늄(ammonium fluoride, NH4F)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법
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제3항에 있어서,상기 조용매는 탈이온수 또는 탈이온수와 알코올의 혼합용매인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법
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제5항에 있어서,상기 알코올은 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올 또는 부탄올인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법
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제1항에 있어서,상기 S20 단계에서 식각액은 초임계 또는 액체 이산화탄소에 0
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제1항에 있어서,상기 초임계 또는 액체 이산화탄소는 20℃ 내지 100℃ 의 온도 범위 및 5
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제1항에 있어서,상기 실리콘 산화막은 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)막, PSG(Phospho Silicate Glass)막, BSG(Boro Silicate Glass)막, BPSG(Boro Phospho Silicate Glass)막 또는 열산화 SiO2 막(Thermal SiO2)인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법
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