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발광다이오드 패키지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015014426
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 발광다이오드(Light Emitting Diode: LED)패키지에 관한 것으로, 발광면적을 증가시킴으로써, 발광효율을 높이고 한번에 6개의 cell을 동시에 발광 시킴으로서 동작전압을 감소시키고 동작전류를 증가시킬 수 있는 질화물계 발광다이오드패키지에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/48 (2010.01.01) H01L 33/62 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020120045620 (2012.04.30)
출원인 부경대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1315939-0000 (2013.10.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.30)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부경대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안형수 대한민국 부산 금정구
2 양민 대한민국 부산 수영구
3 신기삼 대한민국 부산광역시 남구
4 이삼녕 대한민국 부산 수영구
5 이효종 대한민국 부산 북구
6 유영문 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 동원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, ****호 (서초동, 현대전원오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 유영문 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0345968-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2012-0091834-22
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0098194-45
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0301187-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0301188-32
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0450888-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5132722-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5161225-98
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2019-5277245-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2020-5172403-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판상에 형성된 복수의 led 셀;상기 복수의 led 셀로 이루어진 두 개 이상의 그룹; 상기 복수의 led 셀의 상부에 형성된 p형 전극;상기 복수의 led 셀의 주위를 둘러싸며, 칩주위 면적의 일부가 식각되어 트렌치를 형성하여 하부의 n층을 노출시키는 절연층;상기 복수의 led 셀의 n층으로부터 연장되며 절연층의 트렌치에 의해 노출된 n형 질화물 반도체층에 형성된 n형 콘택전극;상기 두 개의 그룹의 각각의 p형 전극과 이를 연장하여 n 형 반도체 위에 형성된 절연층위에 형성된 두 개의 p형 콘택전극;을 포함하는 발광다이오드 패키지
2 2
제1항에 있어서,상기 복수의 셀이 6개 이상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 셀이 대칭 혹은 비대칭으로 배치되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
4 4
제1항에 있어서, 상기 기판의 아래방향이 열방출 기구에 설치되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
5 5
제1항에 있어서,상기 복수의 셀에 같은 전압을 흘려 구동하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
6 6
제1항에 있어서상기 복수의 셀에 같은 전압을 인가하면서 전류는 각각의 셀에 작용하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
7 7
제1항에 있어서,각 셀의 일부 부분에 전류 패스를 더 포함하며, 과전류 및 정전기가 상기 전류패스를 따라 LED 셀 외부로 흐르는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
8 8
기판을 준비하는 단계;상기 기판상에 n층, 활성층, p층을 포함하는 다수의 반도체층을 형성하는 단계;상기 다수의 반도체층을 식각하여 n층을 노출시키며 다수의 led 셀을 형성하는 단계;상기 다수의 셀의 상부에 p전극을 형성하는 단계;상기 다수의 셀을 제외한 면적에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층의 일부를 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치에 의해 드러난 n층에 n형 전극패드를 형성하는 단계;상기 다수의 셀의 상부에 리플렉터를 형성하는 단계;상기 다수의 셀의 상부와 절연층의 일부에 p형 전극패드를 형성하는 단계;를 포함하는 발광다이오드 패키지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09595638 US 미국 FAMILY
2 US20140306248 US 미국 FAMILY
3 WO2013165124 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 DE112013002261 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 GB201407475 GB 영국 DOCDBFAMILY
3 GB2515874 GB 영국 DOCDBFAMILY
4 GB2515874 GB 영국 DOCDBFAMILY
5 GB2515874 GB 영국 DOCDBFAMILY
6 US2014306248 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US9595638 US 미국 DOCDBFAMILY
8 WO2013165124 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.