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백색 LED와 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015014487
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 육각형 GaN의 피라미드의 반도체층의 꼭대기영역에만 선택적 결정성장을 실시하여, 백색 LED 제조를 위해 청색에서 적색까지의 파장범위를 가지는 활성층을 형성할 수 있도록 하는 LED의 제조방법 및 이에 의해 제조된 LED에 관한 것으로, 제 1 반도체층(1)을 형성하는 단계, 제 1 반도체층(1) 위에 선택적 결정 성장에 의해 꼭지점 부분이 뾰족한 형태의 제 2 반도체층(5)을 형성하는 단계, 제 2 반도체층(5)의 꼭지점 부분에 선택적 결정성장에 의해 다양한 결정면을 가지는 제 3 반도체층(8)을 형성하는 단계 및 제 3 반도체층(8) 위에 활성층을 포함하는 반도체층(9)을 형성하는 단계로 구성된다.
Int. CL H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130060172 (2013.05.28)
출원인 부경대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1365229-0000 (2014.02.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부경대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양민 대한민국 부산 수영구
2 안형수 대한민국 부산 금정구
3 유영문 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 동원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, ****호 (서초동, 현대전원오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부경대학교 산학협력단 부산광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0471183-02
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0062234-43
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0521197-47
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0751981-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0638380-53
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0970208-71
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0970205-34
8 등록결정서
Decision to grant
2014.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0012237-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5132722-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5161225-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2019-5277245-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2020-5172403-90
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번호 청구항
1 1
제 1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 1 반도체층 위에 선택적 결정 성장에 의해 꼭지점 부분이 뾰족한 형태의 제 2 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 2 반도체층의 꼭지점 부분에 선택적 결정성장에 의해 다양한 결정면을 가지며, MOVPE 반응관의 압력을 상압 이상으로 유지하여 제 3 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제 3 반도체층 위에 활성층을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 백색 LED 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층을 형성하고, 전면에 SiO2막을 형성하는 단계;상기 제 2 반도체층의 꼭지점 부분의 SiO2막을 제거하는 단계;를 더 포함하며, 상기 SiO2막을 PR 코팅(coating)시의 회전 수, 노광시간, 현상시간을 조절하여 습식식각하는 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 제 2 반도체층은 피라미드(pyramid) 형태 또는 스트라이프(stripe) 형태이며, 상기 제 2 반도체층의 상부로부터 1/10 내지 1/5 미만의 영역의 SiO2막이 제거되도록 하고,결정성장시 원료가스로부터 분해된 원자들의 상대적인 밀도가 상기 꼭지점 부분의 영역에서 커지도록 상기 피라미드(pyramid) 또는 스트라이프(stripe) 사이의 간격을 조절하여 평균 확산 거리를 짧게 하는 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층의 꼭지점 부분에 선택적 결정성장에 의해 다양한 결정면을 가지는 제 3 반도체층을 형성하는 단계에서,결정 성장에 기여하는 원자들의 평균 확산거리를 짧게 하여 인접한 피라미드 형태의 제 2 반도체층의 꼭지점에서 성장되는 제 3 반도체층의 모양과 크기를 서로 다르게 형성시키는 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법
5 5
제 1 항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 반도체층은 n형 GaN인 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 활성층은 InGaN인 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 활성층은 청색부터 적색까지의 파장범위를 가지고, 상기 활성층 위에 p-AlGaN층 및 p-GaN층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법
8 8
제 1 항의 제조방법에 의해 제조된 백색 LED로서,활성층의 파장범위가 청색부터 적색까지인 것을 특징으로 하는 백색 LED
지정국 정보가 없습니다
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