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제 1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 1 반도체층 위에 선택적 결정 성장에 의해 꼭지점 부분이 뾰족한 형태의 제 2 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 2 반도체층의 꼭지점 부분에 선택적 결정성장에 의해 다양한 결정면을 가지며, MOVPE 반응관의 압력을 상압 이상으로 유지하여 제 3 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제 3 반도체층 위에 활성층을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 백색 LED 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층을 형성하고, 전면에 SiO2막을 형성하는 단계;상기 제 2 반도체층의 꼭지점 부분의 SiO2막을 제거하는 단계;를 더 포함하며, 상기 SiO2막을 PR 코팅(coating)시의 회전 수, 노광시간, 현상시간을 조절하여 습식식각하는 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 반도체층은 피라미드(pyramid) 형태 또는 스트라이프(stripe) 형태이며, 상기 제 2 반도체층의 상부로부터 1/10 내지 1/5 미만의 영역의 SiO2막이 제거되도록 하고,결정성장시 원료가스로부터 분해된 원자들의 상대적인 밀도가 상기 꼭지점 부분의 영역에서 커지도록 상기 피라미드(pyramid) 또는 스트라이프(stripe) 사이의 간격을 조절하여 평균 확산 거리를 짧게 하는 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층의 꼭지점 부분에 선택적 결정성장에 의해 다양한 결정면을 가지는 제 3 반도체층을 형성하는 단계에서,결정 성장에 기여하는 원자들의 평균 확산거리를 짧게 하여 인접한 피라미드 형태의 제 2 반도체층의 꼭지점에서 성장되는 제 3 반도체층의 모양과 크기를 서로 다르게 형성시키는 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법
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제 1 항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 반도체층은 n형 GaN인 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 활성층은 InGaN인 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 활성층은 청색부터 적색까지의 파장범위를 가지고, 상기 활성층 위에 p-AlGaN층 및 p-GaN층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법
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제 1 항의 제조방법에 의해 제조된 백색 LED로서,활성층의 파장범위가 청색부터 적색까지인 것을 특징으로 하는 백색 LED
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