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n-마이크로 층;상기 n-마이크로 층상에 적층된 n-클래드 층;상기 n-클래드 층상의 일부분에 적층된 활성층, p-클래드 층, 과 p-캡 층;상기 p-캡층의 일부분에 형성된 p-전극;상기 n-클래드 층상의 타부분를 덮으며, 활성층, p-클래드, p-캡층 옆면에 접하고, p-캡층의 상부에 걸쳐서 형성된 n-전극;상기 p-전극과 n-전극 사이에 형성된 절연층;을 포함하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 n-마이크로층의 외부면이 요철을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 p-전극이 투명전극인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 p-전극이 투명전극과 메탈전극의 이중구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 p-전극이 이종의 메탈층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,상기 n-전극의 최상부 높이와 p-전극의 최상부 높이가 수평인 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 절연층이 p-캡층상의 n-전극 하부까지 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 p-전극과 n-전극이 PCB상의 각각의 메탈패드와 본딩된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 닷패턴을 형성하는 단계;상기 기판 상에 n-마이크로층, n-클래드 층, 활성층, p-클래드 층, p-캡 층을 순차 성장시키는 단계;상기 p-캡, p-클래드, 활성층과 n-클래드 일부를 식각시키는 단계; 상기 p-캡층에 p-전극을 성장시키는 단계;절연층을 성장시킨 후 상기 p-전극의 측면에 일부를 남기고 식각하는 단계;상기 n-클래드 층에 n-전극을 증착하면서 활성층, p-클래드, p-캡층의 옆면과 p-캡층의 상부에 걸쳐서 접하도록 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 n-전극의 최상부 높이가 p-전극의 최상부 높이와 수평을 이루는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 기판과 n-마이크로층을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 절연층이, p-캡층의 상부와 n-전극의 하부사이에 남겨지는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 n-전극과 p-전극을 PCB상의 각각의 메탈패드에 본딩하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 발광소자의 제조방법
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