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반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 위에 SiO2 층을 증착하는 단계;상기 SiO2 층을 식각하여 상기 반도체층을 부분 노출시키는 단계;반도체층을 성장시켜 단면이 삼각형인 패턴을 선택성장시키는 단계;SiO2 층을 형성하는 단계;PR을 코팅, 베이킹, 현상하여 상기 패턴 상부 꼭지점의 미세영역 상의 SiO2를 노출시키는 단계;상기 패턴 상부 꼭지점 첨단부의 미세영역 상의 SiO2를 습식식각으로 제거하는 단계;상기 패턴 상부 꼭지점 부분에서 SiO2가 제거되지 않은 부분을 마스크로 하여 선택적 성장이 이루어지는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 SiO2를 습식식각으로 제거하는 단계; 에 이어,상기 패턴 상부 꼭지점 첨단부 부근에만 금속을 증착하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 패턴 상부 꼭지점 부분에서 선택적 성장이 이루어지는 단계;가 상기 패턴 상부 꼭지점 부분에서 형성되는 층의 형상이 방향성을 가지는 방사형 다발 형태의 결정 성장이 이루어지는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 금속은 Au 또는 Cr 중 어느 하나를 포함하는 촉매 작용이 가능한 금속인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단면이 삼각형인 패턴은 피라미드 또는 삼각형 스트라이프 패턴 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 다발 형태의 결정이 나노 및 마이크로 크기를 가지며 가스센서, 필드에미터 등에 적용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 패턴 상부 꼭지점 부분에서 SiO2가 제거되지 않은 부분을 마스크로 하여 선택적 성장이 이루어지는 단계에 이어, 상기 선택적 성장이 이루어진 측면에 양자우물구조를 포함하는 적층구조를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 반도체소자가 발광소자인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 패턴 상부 꼭지점 부분에서 SiO2가 제거되지 않은 부분을 마스크로 하여 선택적 성장이 이루어지는 단계에 이어, 상기 선택적 성장이 이루어진 측면에 양자우물구조를 포함하는 적층구조를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 반도체가 질화물 반도체인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 패턴 상부 꼭지점 부분에서 SiO2가 제거되지 않은 부분을 마스크로 하여 선택적 성장이 이루어지는 단계에 이어, 상기 선택적 성장이 이루어진 측면에 양자우물구조를 포함하는 적층구조를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 반도체는 선택성장이 가능한 화합물반도체인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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반도체층;상기 반도체층 위에 부분적으로 형성된 SiO2 층;상기 반도체층상에 추가성장된 단면이 삼각형인 반도체 패턴;상기 반도체패턴상에 상기 패턴의 상부 꼭지점을 제외한 부분에 형성된 SiO2 층;상기 SiO2가 습식식각으로 제거된 상기 패턴의 상부 꼭지점 첨단부의 미세영역 상에 선택적으로 성장된 반도체층;과상기 선택적으로 성장된 반도체층의 측면의 양자우물구조를 포함하는 적층구조를 포함하는 반도체 소자
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반도체층;상기 반도체층 위에 부분적으로 형성된 SiO2 층;상기 반도체층상에 추가성장된 단면이 삼각형인 반도체 패턴;상기 반도체패턴상에 상기 패턴의 상부 꼭지점을 제외한 부분에 형성된 SiO2 층;상기 SiO2가 습식식각으로 제거된 상기 패턴의 상부 꼭지점 첨단부의 미세영역 상에 선택적으로 성장된 반도체층;을 포함하는 반도체 소자에 있어서,상기 패턴의 상부 꼭지점부분에 형성된 촉매;를 더 포함하며,상기 패턴의 상부 꼭지점에 성장된 반도체층이 선택적 성장을 통해 방사형 다발성 결정구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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