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디램 소자의 메모리 셀을 구성하는 캐패시터 제조 및 MEMS 라고 불리는 미소 구동체 등의 미소구조를 갖는 구조체의 제작에 있어서, 희생막을 형성하는 단계; 에칭 약품(etching chemical)이 용해된 초임계이산화탄소를 사용하여, 상기 희생막을 에칭하는 단계; 및 상기 에칭 약품의 반응으로부터 생성되는 에칭 잔여물을 제거하는 단계로 nitromethane, bis(2-methoxyethyl)ether 중 적어도 하나를 반드시 포함하는 초임계이산화탄소를 사용하여 상기 희생막이 에칭된 결과물을 세정하는 제 1 세정 단계; 및 초임계이산화탄소 만을 사용하여, 상기 제 1 세정 단계가 실시된 결과물을 세정하는 제 2 세정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭방법
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제 1항에 있어서, 상기 희생막을 에칭하는 단계 및 상기 에칭 잔여물을 제거하는 단계는 두개의 챔버 시스템을 이용하고, 동일한 공정 챔버 내에서, 이산화탄소의 임계점 이상의 조건으로, 연속적으로 실시되는 것을 특징으로 하는 에칭 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 희생막을 에칭하는 단계는 31
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제 2 항에 있어서, 상기 에칭 잔여물을 제거하는 단계는 31
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제 1 항에 있어서, 상기 희생막은 MEMS 제조 및 DRAM 캐패시터의 제조 시 구조체를 형성하기 위해 사용되는 실리콘 산화막으로 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate), BPSG(Boro-Phospho Silicate Glass), 및 열산화 SiO2막(Thermal SiO2)를 포함하는 실리콘 산화막들 중의 한가지이고, 상기 에칭 약품은 불소 화합물(fluoride)과 조용매(co-solvent)를 모두 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법
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제 5항에 있어서, 상기 불소 화합물은 불산(Hydrofluoric Acid, HF), 플루오르화 수소 에테르(Hydro Fluoro Ether, HFE), Poly[4-vinylpyridinium poly(hydrogen fluoride), Hydrogen fluoride 2,4,6-trimethylpyridine 및 플루오루화 암모늄(Ammonium Fluoride, NH4F)중의 중의 한가지인 것을 특징으로 하는 에칭 방법
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제 5항에 있어서, 조용매는 피리딘(pyridine, C5H5N)과 알코올을 반드시 포함하며, 상기 알코올은 메탄올, 에탄올, IPA(Iso Propyl Alcohol) 및 프로판올 중의 적어도 한가지인 것을 특징으로 하는 에칭 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 희생막을 에칭하는 단계는 상기 불소화합물 및 상기 조용매의 혼합물 중의 한가지가 0
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청구항 1항에 있어서, 상기 제 1 세정 단계에서 사용되는 nitromethane 또는 bis(2-methoxyethyl)ether는 초임계이산화탄소에 5 내지 20 wt%로 용해되는 것을 특징으로 하는 에칭 방법
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청구항 1항에 있어서, 제 1 세정 단계에서 사용되는 nitromethane 또는 bis(2-methoxyethyl)ether와 함께 알코올을 첨가하여 세정력을 향상시키는 에칭 방법
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청구항 10항에 있어서, 상기 알코올은 메탄올, 에탄올, IPA(Iso Propyl Alcohol) 및 프로판올 중의 적어도 한가지인 것을 특징으로 하는 에칭 방법
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청구항 10항에 있어서, 상기 알코올은 초임계이산화탄소에 1 내지 10 wt%로 용해되는 것을 특징으로 하는 에칭 방법
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