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하기 화학식 1로 표시되는 페노티아진계 중합체
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 수평균분자량이 5,000 내지 20,000인 것을 특징으로 하는 페노티아진계 중합체
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3
제1항에 있어서, 상기 화학식 1이 다음의 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 페노티아진계 중합체
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4
(a) 기판;
(b) 상기 기판의 상부에 형성된 발광층;
(c) 상기 발광층의 한 측에 형성되어 있는 금속성 음극;
(d) 상기 기판과 발광층 사이에 형성되어 있는 양극; 및
(e) 상기 양극과 발광층의 사이에 적층되고 열 가교된 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 페노티아진계 중합체를 함유하는 정공 수송층을 포함하는 유기 전계 발광 소자
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5
제4항에 있어서, 상기 금속성 음극은 Al, In, Al:Li 합금, Mg/Ag, Mg:Ag 합금, Ca/Ag 및 Ca/Al로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자
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6
제4항에 있어서, 상기 양극은 플라스틱 기재 또는 유리 상에 산화인듐주석이 진공증착된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자
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7
제4항에 있어서, 상기 발광층은 9,9’-디헥실플루오렌과 2,1,3-벤조티아디아졸계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자
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8
(a) 기판을 형성하는 단계;
(b) 상기 기판 상에 양극을 형성하는 단계;
(c) 상기 양극 상부에 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 페노티아진계 중합체를 용액 공정에 의하여 스핀코팅하여 정공 수송층을 형성하는 단계;
(d) 상기 정공 수송층 상부에 발광층을 형성하는 단계; 및
(e) 상기 발광층 상부에 금속성 음극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 발광층 상부에 전자 수송층 및 전자 주입층 중에서 선택된 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법
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10
제8항에 있어서, 상기 금속성 음극은 Al, In, Al:Li 합금, Mg/Ag, Mg:Ag 합금, Ca/Ag 및 Ca/Al로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법
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11
제8항에 있어서, 상기 양극은 플라스틱 기재 또는 유리 상에 산화인듐주석이 진공증착된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 페노티아진계 중합체를 용액 공정에 의하여 스핀코팅하고 열을 가하여 가교시키는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법
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