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내부에 유체저장공간을 갖는 본체 상에 형성된 기판과,상기 기판상에 형성된 복수의 제 1 전극과,상기 제 1 전극 상의 일부에 형성된 복수의 압전박막과,일부가 상기 압전박막 상에 형성된 복수의 제 2 전극을 포함하며,상기 복수의 제 1 전극과 상기 복수의 압전박막 및 상기 복수의 제 2 전극이 각각 중첩되는 각각의 중첩영역의 길이는 음파의 진행방향을 따라서 점차 증가하는 형상인 인공 와우용 주파수 분리기
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내부에 유체저장공간을 갖는 본체 상에 형성된 기판과,상기 기판상에 형성된 복수의 제 1 전극과,상기 제 1 전극 상의 일부에 형성된 복수의 압전박막과,일부가 상기 압전박막 상에 형성된 복수의 제 2 전극을 포함하며,상기 복수의 제 1 전극과 상기 복수의 압전박막 및 상기 복수의 제 2 전극이 각각 중첩되는 각각의 중첩영역의 두께는 음파의 진행방향을 따라서 점차 증가하는 형상인 인공 와우용 주파수 분리기
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3
내부에 유체저장공간을 갖는 본체 상에 형성된 기판과,상기 기판상에 형성된 복수의 제 1 전극과,상기 제 1 전극 상의 일부에 형성된 복수의 압전박막과,일부가 상기 압전박막 상에 형성된 복수의 제 2 전극을 포함하며,상기 복수의 제 1 전극과 상기 복수의 압전박막 및 상기 복수의 제 2 전극이 각각 중첩되는 각각의 중첩영역의 길이 및 두께는 음파의 진행방향을 따라서 점차 증가하는 형상인 인공 와우용 주파수 분리기
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4
청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 중첩영역의 양측에 이격 배치되는 복수의 주파수분리 절연 층을 더 포함하며,상기 복수의 주파수분리 절연 층 각각의 길이는 음파의 진행방향을 따라서 점차 증가하는 형상인 인공 와우용 주파수 분리기
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5
청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 중첩영역의 양측에 이격 두고 배치되는 복수의 주파수분리 절연 층을 더 포함하며,상기 복수의 주파수분리 절연 층 각각의 두께는 음파의 진행방향을 따라서 점차 증가하는 형상인 인공 와우용 주파수 분리기
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6
청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 중첩영역의 양측에 이격 배치되는 복수의 주파수분리 절연 층을 더 포함하며,상기 복수의 주파수분리 절연 층 각각의 길이 및 두께는 음파의 진행방향을 따라서 점차 증가하는 형상인 인공 와우용 주파수 분리기
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7
청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판에는 상기 기판과 상기 제 1 전극 간의 접착력 증대를 위한 불소층이 형성되어 있는 인공 와우용 주파수 분리기
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8
청구항 7에 있어서,상기 불소층은 플라즈마 활성 종인 인공 와우용 주파수 분리기
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청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 증가는 선형적인 증가인 인공 와우용 주파수 분리기
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10
청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 압전박막은 BaTiO3, SrTiO3, BaSrTiO3, PZT, ZnO, 또는, Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Sb, Ba, Ti, Al, In, Ni, Co, Cu, Ag, Au, Pd 중 어느 하나 이상의 금속이 도핑된 ZnO에서 선택된 어느 하나 이상의 재료를 포함하는 인공 와우용 주파수 분리기
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11
기판상에 복수의 제 1 전극을 형성하는 단계와상기 제 1 전극의 일부 상부에서 각각 중첩되도록 복수의 압전박막을 형성하는 단계와,일부가 상기 압전박막 상에서 중첩되도록 상기 복수의 압전박막 상에 각각 복수의 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 복수의 제 1 전극과 상기 복수의 압전박막 및 상기 복수의 제 2 전극은 잉크 프린팅에 의해 각각 형성되는 인공 와우용 주파수 분리기 제조방법
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12
청구항 11에 있어서,상기 제 1 전극의 양측에 이격 배치되는 복수의 주파수분리 절연 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 인공 와우용 주파수 분리기 제조방법
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13
청구항 11에 있어서,상기 기판에는 상기 기판과 상기 제 1 전극 간의 접착력 증대를 위한 불소층이 형성되어 있는 인공 와우용 주파수 분리기 제조방법
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14
청구항 11에 있어서,상기 복수의 제 1 전극과 상기 복수의 압전박막 및 상기 복수의 제 2 전극이 각각 중첩되는 각각의 중첩영역의 길이는 음파의 진행방향을 따라서 점차 증가하는 형상인 인공 와우용 주파수 분리기 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 복수의 제 1 전극과 상기 복수의 압전박막 및 상기 복수의 제 2 전극이 각각 중첩되는 각각의 중첩영역의 두께는 음파의 진행방향을 따라서 점차 증가하는 형상인 인공 와우용 주파수 분리기 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 복수의 제 1 전극과 상기 복수의 압전박막 및 상기 복수의 제 2 전극이 각각 중첩되는 각각의 중첩영역의 길이 및 두께는 음파의 진행방향을 따라서 점차 증가하는 형상인 인공 와우용 주파수 분리기 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 복수의 압전박막을 형성하는 단계에서 형성된 압전박막에 대해 저온 열처리를 하는 단계를 더 포함하는 인공 와우용 주파수 분리기 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 복수의 주파수분리 절연 층 각각의 두께는 음파의 진행방향을 따라서 점차 증가하는 형상인 인공 와우용 주파수 분리기 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 압전박막은 BaTiO3, SrTiO3, BaSrTiO3, PZT, ZnO, 또는, Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Sb, Ba, Ti, Al, In, Ni, Co, Cu, Ag, Au, Pd 중 어느 하나 이상의 금속이 도핑된 ZnO에서 선택된 어느 하나 이상의 재료를 포함하는 압전 박막용 잉크를 이용하여 형성하는 인공 와우용 주파수 분리기 제조방법
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