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하이드로겔을 이용한 전도성 기판 및 그의 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015014812
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도성 박막에 대한 직접적인 에칭 없이 배선 패턴을 형성할 수 있는 하이드로겔을 이용한 전도성 기판 및 그의 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명은 베이스 기판 위에 하이드로겔을 코팅하여 하이드로겔층을 형성하는 코팅 단계, 하이드로겔층의 부피를 팽창시켜 하이드로겔층의 상부면에 주름을 형성하는 주름 형성 단계, 하이드로겔층의 상부면에 나노탄소 또는 금속나노와이어를 코팅하여 전도성 박막을 형성하는 형성 단계, 및 하이드로겔층의 부피 수축을 통해 하이드로겔층의 주름을 펴서 전도성 박막을 분할하여 배선 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계를 포함하는 전도성 박막의 패턴 형성 방법과, 그 방법으로 제조된 전도성 기판을 제공한다.
Int. CL H05K 1/05 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020130115767 (2013.09.29)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1498186-0000 (2015.02.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신권우 대한민국 경기도 화성
2 이건희 대한민국 경기 의왕시 오전로 ***,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0881133-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0041760-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0694418-36
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.12.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1186020-29
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-1186019-83
7 등록결정서
Decision to grant
2015.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0117245-46
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판의 상부면에 전사 패턴을 형성하는 단계;상기 전사 패턴을 포함하여 상기 베이스 기판의 상부면을 덮도록 하이드로겔을 코팅하여 하이드로겔층을 형성하는 코팅 단계;상기 하이드로겔층의 부피를 팽창시켜 상기 전사 패턴을 따라서 상기 하이드로겔층의 상부면에 주름을 형성하는 주름 형성 단계;상기 하이드로겔층의 상부면에 나노탄소 또는 금속나노와이어를 코팅하여 전도성 박막을 형성하는 형성 단계;상기 하이드로겔층의 부피 수축을 통해 상기 하이드로겔층의 주름을 펴서 상기 전도성 박막을 분할하여 배선 패턴을 형성하되, 상기 전도성 박막은 상기 전사 패턴을 기준으로 분할되어 상기 배선 패턴으로 형성되는 패턴 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 박막의 패턴 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 코팅 단계는,상기 베이스 기판의 표면에 대한 플라즈마 또는 유기물 표면처리를 수행하는 단계;표면 처리된 상기 베이스 기판의 상부면에 하이드로겔층을 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 박막의 패턴 형성 방법
3 3
삭제
4 4
제2항에 있어서,상기 전사 패턴은 사진인화 공정을 통한 포토레지스트 패턴이거나, 또는 기판에 양각 또는 음각으로 형성한 요철인 것을 특징으로 하는 전도성 박막의 패턴 형성 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 나노탄소는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브를 포함하고 그래핀, 탄소나노플레이트 또는 카본블랙을 포함하고,상기 금속나노와이이어는 직경 300nm 이하 길이 1㎛ 이상의 은나노와이어, 구리나노와이어, 은나노리본, 구리나노리본, 금나노와이어 또는 금나노리본을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 박막의 패턴 형성 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 패턴 형성 단계 이후에 수행되는,상기 배선 패턴이 형성된 전도성 박막을 전사 부재를 이용하여 다른 기판에 전사하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 박막의 패턴 형성 방법
7 7
베이스 기판;상기 베이스 기판의 상부면에 형성된 전사 패턴;상기 전사 패턴을 포함하여 상기 베이스 기판의 상부면을 덮도록 형성된 하이드로겔층;상기 하이드로겔층 위에 나노탄소 또는 금속나노와이어를 코팅하여 형성된 전도성 박막;을 포함하며,상기 하이드로겔층의 부피를 팽창시켜 상기 전사 패턴을 따라서 상기 하이드로겔층의 상부면에 주름을 형성하고, 상기 하이드로겔층의 상부면에 상기 전도성 박막을 형성한 후, 주름이 형성된 상기 하이드로겔층의 부피 수축을 통해 상기 하이드로겔층의 주름을 펴서 상기 전도성 박막을 분할하여 배선 패턴을 형성하되, 상기 전도성 박막은 상기 전사 패턴을 기준으로 분할되어 상기 배선 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 하이드로겔을 이용한 전도성 기판
8 8
제7항에 있어서,상기 전사 패턴은 사진인화 공정을 통한 포토레지스트 패턴이거나, 또는 기판에 양각 또는 음각으로 형성한 요철인 것을 특징으로 하는 하이드로겔을 이용한 전도성 기판
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원통상부 전자부품연구원 산업원천기술개발사업 고전기/열전도성 CNT-고분자 복합재 기반기술 개발