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유기용매 내에서 분산되어 이루어지는 고주파 대전력 환경에 강인한 후막 저항체용 페이스트 조성물에 있어서,루테늄 산화물(RuOx) 전도성 재료, 유리 첨가물, 및 분산제를 포함하되, 상기 유리 첨가물은 ZnO을 포함하고, 상기 루테늄 산화물과 반응하여 가스를 생성하는 납 산화물(PbO), 카드뮴, 비스무트(Bismuth), 구리(copper), 및 알칼리 토류(alkaline earth)계의 원소를 포함하지 않는 것이고, 상기 분산제는 상기 루테늄 산화물 전도성 재료의 0
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제1항에 있어서, 상기 유리 첨가물은,ZnO-B2O3-SiO2계 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물
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제1항에 있어서, 상기 루테늄 산화물 전도성 재료는,10 내지 80 중량%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물
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제1항에 있어서, 상기 유리 첨가물은,3 내지 15 중량%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물
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고주파 대전력 환경에 강인한 후막 저항체용 페이스트 조성물을 제조하는 방법에 있어서, 유기 조성물 및 무기물계 가교제를 유기용매 내에 분산시켜서 유기물 레진을 준비하는 단계; 루테늄 산화물(RuOx) 전도성 재료, 유리 첨가물, 및 분산제를 상기 유기물 레진에 투여한 후 혼합하는 단계; 및상기 혼합된 유기물 레진에 대해서 탈포 및 필터링 과정을 거친 후, 3-roll 밀링을 실시하는 단계를 포함하되,상기 유리 첨가물은 ZnO를 포함하며, 상기 루테늄 산화물과 반응하여 가스를 생성하는 납 산화물(PbO), 카드뮴, 비스무트(Bismuth), 구리(copper), 및 알칼리 토류(alkaline earth)계의 원소를 포함하지 않는 것이고, 상기 분산제는 상기 루테늄 산화물 전도성 재료의 0
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제6항에 있어서, 상기 유리 첨가물은,ZnO-B2O3-SiO2계 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 루테늄 산화물 전도성 재료는,10 내지 80 중량%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 유리 첨가물은,3 내지 15 중량%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 후막 저항체용 페이스트 조성물 제조방법
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