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나노사이즈의 게이트 오프닝 홀을 구비하는 세로형 유기트랜지스터 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015014877
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 블록공중합체의 자기조립 특성을 이용하여 게이트 전극의 오프닝 홀 사이즈를 현저하게 줄인 나노사이즈의 게이트 오프닝 홀을 구비하는 세로형 유기트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면 게이트 전극에 나노 사이즈의 오프닝 공간을 복수개형성할 수 있으므로 작은 전압을 인가하여도 효과적으로 전류의 흐름을 차단할 수 있다. 즉, 본 발명의 세로형 트랜지스터는 오프닝 사이즈가 30~40nm인 게이트 전극을 구비하므로 종래 공지된 유무기 트랜지스터에 비해 점멸비가 60~수백 배 이상 향상되었다.
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/05 (2006.01)
CPC	H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01)
출원번호/일자	1020130142569 (2013.11.22)
출원인	서강대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1503175-0000 (2015.03.10)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20150318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.11.22)
심사청구항수	15

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 마포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	오세용	대한민국	서울특별시 서초구
2	송효범	대한민국	경기도 안양시 동안구
3	이애나	대한민국	경상남도 거창군
4	노항덕	대한민국	경기도 화성시

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	이준혁	대한민국	경기도 수원시 팔달구 중부대로 *** B동 *층(우만동, 신아빌딩)(유니크국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 마포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.11.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-1062956-29
2	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2014.04.10	수리 (Accepted)	1-1-2014-0341614-53
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2014.06.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2014.07.10	수리 (Accepted)	9-1-2014-0058919-65
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.09.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0604061-08
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.11.03	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-1055083-56
7	등록결정서 Decision to grant	2015.01.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0060189-62
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 소스전극, 게이트 전극, 유기 활성층 및 드레인 전극을 포함하고, 소스 전극에서 드레인 전극으로 캐리어가 수직방향으로 이동하는 세로형 유기트랜지스터로서, 상기 게이트 전극은 소스 전극 위에 형성된 절연층 상에 위치하고, 상기 유기 활성층은 상기 게이트 전극 상에 위치하되, 상기 게이트 전극과 절연층에 캐리어가 이동 가능한 유기 활성 물질로 채워진 오프닝(opening) 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 세로형 유기 트랜지스터
2	2 제 1항에 있어서, 상기 오프닝 홀은 직경이 200nm 미만인 것을 특징으로 하는 세로형 유기 트랜지스터
3	3 제 1항에 있어서, 상기 오프닝 홀은 로드 형상인 것을 특징으로 하는 세로형 유기 트랜지스터
4	4 제 1항에 있어서, 상기 오프닝 홀은 다수 개가 패턴화되어 게이트 전극과 절연층 내부를 관통하여 형성된 것을 특징으로 하는 세로형 유기 트랜지스터
5	5 제 4항에 있어서, 상기 오프닝 홀은 높이가 20~50nm인 것을 특징으로 하는 세로형 유기 트랜지스터
6	6 제 1항에 있어서, 상기 유기 활성층과 상기 드레인 전극 사이에 텅스텐 산화물층을 버퍼층으로 포함하는 것을 특징으로 하는 세로형 유기 트랜지스터
7	7 기판 상에 소스 전극 및 절연층을 순차로 형성하는 단계 ;상기 절연층 상에 블록공중합체층을 형성하는 단계 ;상기 블록공중합체층을 열처리하여 매트릭스를 형성하는 고분자와 로드(rod)를 형성하는 고분자로 자기 정렬시키는 단계 ;상기 매트릭스를 형성하는 고분자를 제거하는 단계 ;게이트 전극을 형성하는 단계 ;상기 로드를 형성하는 고분자 및 그 아래의 절연층을 제거하는 단계 ; 및유기활성층과 드레인 전극을 순차로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세로형 트랜지스터 제조방법
8	8 제 7항에 있어서, 상기 유기활성층을 형성하는 단계는유기활성 물질이 상기 로드 및 절연층이 제거된 홀에 삽입되어 상기 게이트 전극에 캐리어가 이동 가능한 오프닝(opening) 홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세로형 트랜지스터 제조방법
9	9 제 7항에 있어서, 상기 방법은 블록공중합체층 형성 전에 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트 랜덤 공중합체[polystyrenerandom-poly(methylmethacrylate): PS-r-PMMA]인 유기단분자층을 코팅하는 것을 특징으로 하는 세로형 트랜지스터 제조방법
10	10 제 7항에 있어서, 상기 유기 활성층과 상기 드레인 전극 사이에 텅스텐 산화물층을 버퍼층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 세로형 트랜지스터 제조방법
11	11 제 7항에 있어서, 상기 열처리에 의해 자기정렬된 상기 로드 형성 고분자는 직경이 200nm 미만인 고분자 기둥인 것을 특징으로 하는 세로형 트랜지스터 제조방법
12	12 제 7항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스틸렌(polystyrene)과 폴리스틸렌 이 외의 고분자가 공유결합한 형태의 블록공중합체인 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 세로형 트랜지스터 제조방법
13	13 제 7항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-블록-폴리(메틸메타크릴레이트) [polystyrene-block-poly(methylmethacrylate): PS-b-PMMA], 폴리스티렌-블록-폴리(에틸렌 옥사이드) [polystyrene-block-poly(ethylene oxide): PS-b-PEO], 폴리스티렌-블록-폴리(비닐 피리딘) [polystyrene-block-poly(vinyl pyridine): PS-b-PVP], 폴리스티렌-블록-폴리(에틸렌-아트-프로필렌) [Polystyrene-block-poly(ethylene-alt-propylene): PS-b-PEP] 및 폴리스티렌-블록-폴리이소프렌[polystyrene-block-polyisoprene: PS-b-PI]로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 세로형 트랜지스터 제조방법
14	14 제 7항에 있어서, 상기 로드(rod) 형성 고분자는 폴리스티렌인 것을 특징으로 하는 세로형 트랜지스터 제조방법
15	15 제 12항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌(polystyrene)과 폴리스틸렌 이 외의 고분자가 부피비로 0

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부	서강대학교 산학협력단	에너지인력양성(에특)	고효율 에너지 나노소재공정 고급트랙
2	교육과학기술부	서강대학교	중견연구자지원	고전하 이동과 고내구성 특성의 신규 n형 헤테로 고리형 유도체 합성 및 이를 이용한 고성능 유기 트랜지스터 제작에 관한 연구

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1503175-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20131122 출원 번호 : 1020130142569 공고 연월일 : 20150318 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150127 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 51/05 발명의 명칭 : 나노사이즈의 게이트 오프닝 홀을 구비하는 세로형 유기트랜지스터 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	315,000 원	2015년 03월 10일	납입
제 4 년분	금 액	259,000 원	2018년 02월 26일	납입
제 5 년분	금 액	185,000 원	2019년 01월 07일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.11.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-1062956-29
2	[출원서등 보정]보정서	2014.04.10	수리 (Accepted)	1-1-2014-0341614-53
3	선행기술조사의뢰서	2014.06.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2014.07.10	수리 (Accepted)	9-1-2014-0058919-65
5	의견제출통지서	2014.09.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0604061-08
6	[명세서등 보정]보정서	2014.11.03	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-1055083-56
7	등록결정서	2015.01.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0060189-62
8	출원인정보변경(경정)신고서	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
9	출원인정보변경(경정)신고서	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89


기술번호	KST2015014877
자료제공기관	NTB
기술공급기관	서강대학교
기술명	나노사이즈의 게이트 오프닝 홀을 구비하는 세로형 유기트랜지스터 및 그 제조방법
기술개요	본 발명은 블록공중합체의 자기조립 특성을 이용하여 게이트 전극의 오프닝 홀 사이즈를 현저하게 줄인 나노사이즈의 게이트 오프닝 홀을 구비하는 세로형 유기트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면 게이트 전극에 나노 사이즈의 오프닝 공간을 복수개형성할 수 있으므로 작은 전압을 인가하여도 효과적으로 전류의 흐름을 차단할 수 있다. 즉, 본 발명의 세로형 트랜지스터는 오프닝 사이즈가 30~40nm인 게이트 전극을 구비하므로 종래 공지된 유무기 트랜지스터에 비해 점멸비가 60~수백 배 이상 향상되었다.
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	전자회로구성요소
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,M&A,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345168419
세부과제번호	2010-0026294
연구과제명	고전하 이동과 고내구성 특성의 신규 n형 헤테로 고리형 유도체 합성 및 이를 이용한 고성능 유기 트랜지스터 제작에 관한 연구
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2012
연구기간	201009~201308
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1415126083
세부과제번호	20114010203090
연구과제명	고효율 에너지 나노소재공정 고급트랙
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국에너지기술평가원
연구주관기관명	서강대학교 산학협력단
성과제출연도	2012
연구기간	201108~201307
기여율	0.5
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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