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반도체 화합물이 코팅된 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체 및 이의 제조 방법

기술번호 : KST2015014884
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	반도체 화합물이 코팅된 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체, 상기 반도체 화합물이 코팅된 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체의 제조 방법, 및 상기 반도체 화합물이 코팅된 3차원 다공성 반도체 산화물 구조체를 포함하는 광전기화학 전지에 관한 것이다.
Int. CL	H01L 21/205 (2006.01) H01L 31/0256 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC	H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자	1020140066038 (2014.05.30)
출원인	서강대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1518301-0000 (2015.04.30)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20150508) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2014.05.30)
심사청구항수	15

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 마포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	문준혁	대한민국	서울특별시 양천구
2	조창열	대한민국	인천광역시 연수구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 마포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2014.05.30	수리 (Accepted)	1-1-2014-0515435-68
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2015.02.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2015.04.10	수리 (Accepted)	9-1-2015-0024520-56
4	등록결정서 Decision to grant	2015.04.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0286853-15
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기재 상에 고분자 콜로이드 입자를 함유하는 제 1 희생층을 형성하고;상기 제 1 희생층에 원자층증착법에 의해 제 1 반도체 산화물을 코팅하고;상기 제 1 희생층을 제거함으로써 3 차원으로 배열된 기공을 가지는 제 1 반도체 산화물 층을 형성하고;상기 제 1 반도체 산화물층에 제 2 희생층을 형성하고; 및상기 제 2 희생층에 반도체 화합물을 코팅하는 것을 포함하는, 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 기재는 전도성 투명 기재를 포함하는 것인, 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체의 제조방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 고분자 콜로이드 입자는, 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/디비닐벤젠(PS/DVB), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트)(PBMA), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체의 제조방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제 1 반도체 산화물은 Ti, Cu, Zr, Fe, Zn, In, Ir, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것의 산화물을 포함하는 것인, 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체의 제조방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 제 1 희생층의 제거는 열처리 공정을 이용하여 수행되는 것인, 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체의 제조방법
6	6 제 5 항에 있어서,상기 열처리 공정은 400℃ 내지 650℃의 온도에서 수행되는 것인, 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체의 제조방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 제 2 희생층을 형성하는 것은 원자층증착법에 의해 상기 제 1 반도체 산화물층에 제 2 반도체 산화물을 증착하는 것을 포함하는 공정에 의하여 수행되는 것인, 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체의 제조방법
8	8 제 7 항에 있어서,상기 제 2 희생층을 형성하는 제 2 반도체 산화물은 산화아연, 산화카드뮴, 산화철, 산화코발트, 산화망간, 산화니켈, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체의 제조방법
9	9 제 1 항에 있어서,상기 반도체 화합물은 Ag2S, CdS, CdSe, CdTe, CuSe, MoS2, PbS, PbSe, Sb2S3, ZnS, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체의 제조방법
10	10 제 1 항에 있어서,상기 반도체 화합물을 코팅하는 것은, 상기 제 2 희생층을 반도체 화합물 형성용 전구체-함유 용액에 침지한 후 초음파를 분사하여 상기 반도체 화합물이 상기 반도체 산화물층에 코팅되면서 상기 제 2 희생층의 제 2 반도체 산화물은 에칭되어 제거되는 것을 포함하는 것인, 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체의 제조방법
11	11 3 차원으로 배열된 기공을 가지는 제 1 반도체 산화물층; 및 상기 제 1 반도체 산화물층에 코팅된 반도체 화합물을 포함하는, 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체
12	12 제 11 항에 있어서,상기 3 차원으로 배열된 기공의 크기는 나노미터 내지 마이크로미터 단위인 것인, 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체
13	13 제 11 항에 있어서,상기 다공성 반도체 산화물의 기공은 단순입방정계, 체심입방정계, 면심입방정계, 또는 역전오팔 구조 형태로 배열된 것인, 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체
14	14 제 11 항에 있어서, 상기 반도체 화합물은 Ag2S, CdS, CdSe, CdTe, CuSe, MoS2, PbS, PbSe, Sb2S3, ZnS, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체
15	15 제 10 항에 따른 상기 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체를 포함하는, 광전기화학 전지

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	미래창조과학부	서강대학교 산학협력단	나노소재기술개발사업	제한공간 내 자기조립을 이용한 계층형 광전변환소재 구조제어 및 광전특성

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1518301-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20140530 출원 번호 : 1020140066038 공고 연월일 : 20150508 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150429 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 31/04 발명의 명칭 : 반도체 화합물이 코팅된 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체 및 이의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	315,000 원	2015년 05월 04일	납입
제 4 년분	금 액	185,000 원	2018년 04월 09일	납입
제 5 년분	금 액	185,000 원	2019년 03월 25일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2014.05.30	수리 (Accepted)	1-1-2014-0515435-68
2	선행기술조사의뢰서	2015.02.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2015.04.10	수리 (Accepted)	9-1-2015-0024520-56
4	등록결정서	2015.04.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0286853-15
5	출원인정보변경(경정)신고서	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
6	출원인정보변경(경정)신고서	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89


기술번호	KST2015014884
자료제공기관	NTB
기술공급기관	서강대학교
기술명	반도체 화합물이 코팅된 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체 및 이의 제조 방법
기술개요	반도체 화합물이 코팅된 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체, 상기 반도체 화합물이 코팅된 3 차원 다공성 반도체 산화물 구조체의 제조 방법, 및 상기 반도체 화합물이 코팅된 3차원 다공성 반도체 산화물 구조체를 포함하는 광전기화학 전지에 관한 것이다.
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	반도체 화합물
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,기술협력,기술지도,
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

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