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전도성 투명 기재 상에 차단층을 형성하고;상기 차단층에 고분자 입자 및 전이금속 산화물 입자를 포함하는 용액을 코팅한 후 가열소성시켜 고분자-전이금속 산화물 복합 응집체를 형성하고;상기 고분자-전이금속 산화물 복합 응집체에 감광성 염료를 흡착시키고;상기 염료가 흡착된 고분자-전이금속 산화물 복합 응집체에 함유된 고분자를 전해질-함유 용액을 이용하여 용해시켜 전이금속 산화물-함유 다공성 구조체를 형성함으로써 광전극을 형성하는 것을 포함하는, 광전극의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전이금속 산화물-함유 다공성 구조체는 단순입방정계, 체심입방정계, 면심입방정계, 또는 역전오팔 구조 형태로 배열된 기공을 가지는 것을 포함하는 것인, 광전극의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자는 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트)(PBMA), 폴리플루오린화비닐리덴(PVDF), 폴리비닐리덴플루오라이드-헥사플루오로프로필렌(PVDF-HFP), 폴리에틸렌옥사이드(PEO), 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 광전극의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전이금속 산화물은 Ti, Cu, Cr, Zr, Zn, Mn, Fe, Co, Ni, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg, Cn, V, Mo, W, Nb, Y, Sc, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 산화물을 포함하는 것인, 광전극의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 가열소성은 50℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 광전극의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 전해질-함유 용액은 용매로서 유기용매를 포함하는 것인, 광전극의 제조방법
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전도성 투명 기재 상에 형성된 차단층, 상기 차단층에 형성된 전이금속 산화물-함유 다공성 구조체, 및 상기 전이금속 산화물-함유 다공성 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하는 광전극으로서,제 1 항, 제 2 항, 및 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조되는, 광전극
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전도성 투명 기재 상에 차단층을 형성하고;상기 차단층에 고분자 입자 및 전이금속 산화물 입자를 포함하는 용액을 코팅한 후 가열소성시켜 고분자-전이금속 산화물 복합 응집체를 형성하고;상기 고분자-전이금속 산화물 복합 응집체에 감광성 염료를 흡착시키고;상기 고분자-전이금속 산화물 복합 응집체에 대향하도록 상대전극을 배치시키고;상기 고분자-전이금속 산화물 복합 응집체와 상기 상대전극 사이에 전해질-함유 용액을 주입하여, 상기 전해질-함유 용액에 의해 상기 고분자-전이금속 산화물 복합 응집체에 포함된 고분자 입자를 용해시켜 전이금속 산화물-함유 다공성 구조체를 형성함으로써 광전극을 형성하는 것을 포함하는, 염료감응형 태양전지의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 전해질-함유 용액은 용매로서 유기용매를 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지의 제조방법
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제 12 항에 따른 방법에 의해 제조되는, 염료감응형 태양전지
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