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제 1 유기용매에 고분자 나노입자를 분산시킨 후, 상기 제 1 유기용매를 제거하여 주형(template)을 제조하는 단계;상기 고분자 나노입자로 형성된 주형을 혼합용액으로 도포하고 제 1 열처리하여 역 오팔 구조체의 전구체를 제조하는 단계; 및상기 역 오팔 구조체의 전구체를 환원시키는 단계;를 포함하는 역 오팔 구조체 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 역 오팔 구조체의 전구체를 환원시키는 단계는,상기 역 오팔 구조체의 전구체에 금속 파우더를 적용하고, 제 2 열처리하는 역 오팔 구조체 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 역 오팔 구조체의 전구체와 금속 파우더는 0
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제 2 항에 있어서,상기 금속 파우더는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 세슘(Cs), 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 역 오팔 실리콘 구조체 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 열처리는 450 내지 650℃에서 4 내지 6 시간 동안 수행하고,상기 제 2 열처리는 600 내지 1500℃에서 10 내지 14 시간 동안 수행하는 역 오팔 구조체 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 혼합용액은 제 2 유기용매, 산 촉매, 및 실리카 전구체를 포함하는 역 오팔 구조체 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 산 촉매는 질산, 황산, 염산, 및 초산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 역 오팔 실리콘 구조체 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 유기용매, 및 상기 제 2 유기용매는, 알코올(alcohol)류, 글리콜(glycol)류, 에테르(ether)류, 에스테르(ester)류, 케톤(Ketone)류, 및 포름산 (Formic acid)으로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 역 오팔 실리콘 구조체 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 나노입자는 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리페닐메타크릴레이트, 폴리아크릴레이트, 폴리알파메틸스티렌, 폴리(1-메틸시클로헥실메타크릴레이트), 폴리시클로헥실메타크릴레이트, 폴리(1-페닐시클로헥실메타크릴레이트), 폴리(1-페닐에틸메타크릴레이트), 폴리퍼퓨릴메타크릴레이트, 및 폴리(1,2-디페닐에틸메타크릴레이트)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 역 오팔 실리콘 구조체 제조방법
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10
제 6 항에 있어서,상기 역 오팔 구조체의 전구체는 역 오팔 실리카인 역 오팔 구조체 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 역 오팔 구조체는 역 오팔 실리콘 구조체인 역 오팔 구조체 제조방법
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12
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되는 역 오팔 실리콘 구조체
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13
역 오팔 실리카를 이용하여 역 오팔 실리콘 구조체를 제조하는 단계;상기 역 오팔 실리콘 구조체를 제 3 유기용매에 분산시키는 단계;상기 역 오팔 실리콘 구조체가 분산된 제 3 유기 용매에, 유화제를 넣어 교반하는 단계; 및상기 교반 후 소성하여 탄화시키는 단계;를 포함하고,상기 역 오팔 실리콘 구조체는,상기 역 오팔 실리카에 금속 파우더를 적용하고, 제 2 열처리를 포함하는 음극 활물질 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 역 오팔 실리카는,제 4 유기용매에 고분자 나노입자를 분산시킨 후, 상기 제 4 유기용매를 제거하여 주형(template)을 제조하는 단계; 및 상기 고분자 나노입자로 형성된 주형을 혼합용액으로 도포하고 제 1 열처리하는 단계;를 포함하여 제조되는 것인 음극 활물질 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 제 3 유기용매, 및 상기 제 4 유기용매는,알코올(alcohol)류, 글리콜(glycol)류, 에테르(ether)류, 에스테르(ester)류, 케톤(Ketone)류, 및 포름산 (Formic acid)으로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 음극 활물질 제조방법
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16
제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 의해 제조된 음극 활물질
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제 16 항에 따른 상기 음극 활물질을 포함하는 이차전지
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