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투명기재,투명기재 상에 마련된 제1 유전체층,제1 유전체층 상에 마련된 적외선 반사층,적외선 반사층 상에 마련된 제2 유전체층,제2 유전체 상에 마련된 금속층, 및금속층 상에 마련된 제3 유전체층을 포함하고,제1 내지 제3 유전체층은 산화티타늄(TiO2)을 함유하며,적외선 반사층 및 금속층은 은(Ag)을 함유하고,X선 회절 측정 시, 회절피크가 2θ로 표시되는 25±0
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제1항에 있어서,적외선 반사층은, 평균 두께가 10 내지 50 nm이되,제2 유전체층 상에 금속층이 마련되는 경우 금속층과의 평균 두께 총합이 10 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 저방사 기재
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제1항에 있어서,저방사 기재는, 적외선에 대한 평균 반사율이 70% 이상인 저방사 기재
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제1항에 있어서,저방사 기재는, 가시광선에 대한 평균 투과율이 70% 이상인 저방사 기재
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제1항에 있어서,투명기재는, 투명유리기판 또는 폴리에스테르계 수지, 아세테이트계 수지, 폴리에테르 술폰계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아크릴계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리아릴레이트계 수지 및 폴리페닐렌 황화물계 수지 중 1 종 이상을 포함하는 투명수지기판인 저방사 기재
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투명기재 상에 제1 유전체층, 적외선 반사층, 제2 유전체층, 금속층 및 제3 유전체층을 순차적으로 증착하여 저방사 기재를 제조하는 단계; 및플라즈마로부터 유도된 전자빔을 제조된 저방사 기재 표면에 조사하는 단계를 포함하고,제1 내지 제3 유전체층은 산화티타늄(TiO2)을 함유하며,적외선 반사층 및 금속층은 은(Ag)을 함유하고,전자빔이 표면에 조사된 저방사 기재의 X선 회절 측정 시, 회절피크가 2θ로 표시되는 25±0
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제10항에 있어서,플라즈마는, 1 내지 20 W/cm2의 RF 인가 전력에서 형성되는 제조방법
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제10항에 있어서,전자빔의 평균 가속 에너지는, 50 내지 5000 eV인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제10항에 있어서,전자빔을 조사하는 단계는, 수행압력이 1
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제10항에 있어서,전자빔을 조사하는 단계는, 불활성 기체 분위기 하에서 수행하는 제조방법
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제14항에 있어서,불활성 기체는, 주입량이 1 내지 20 sccm인 것을 특징으로 하는 제조방법
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