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주파수 변조가 가능한 고효율 테라헤르츠 트랜스시버

  • 기술번호 : KST2015016406
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버에 대한 것이다.본 발명에 따른 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버는, 활성층(active layer); 상기 활성층의 일측 상부에 위치하는 광전도 안테나; 상기 광전도 안테나 상에 형성된 나노격자안테나(NGA); 상기 활성층의 타측 하부에 위치하는 반도체 기판; 및 상기 기판 상부면과 활성층 사이의 경계면에 위치하는 표면 플라즈몬 결합기(SPC)를 포함하되, 상기 활성층은 인듐 갈륨비소(InGaAs) 박막 또는 InGaAs/InAlAs 다층양자우물층(MQW layer)을 포함하는 이종적층박막으로 형성되고, 상기 광전도 안테나는, 일정 길이 평행하게 연장 형성된 금속 평행 전송선로; 상기 금속 평행 전송선로의 중앙 영역에서 내측으로 마주보도록 대칭되게 돌출된 중앙돌출부; 및 상기 금속 평행 전송선로의 양단에 대칭되게 연장 형성된 전극패드를 포함하여 형성된다. 상기 NGA는 상기 광전도 안테나의 중앙돌출부에 위치하고, 적어도 하나 이상의 패턴이 패터닝되어 연속적으로 배열될 수 있다. 상기 SPC는 상기 활성층 하부면에 위치할 수도 있으며 다수개의 패턴들이 동심원을 이루도록 주기적으로 패터닝하여 형성될 수 있으며, 다른 형태로도 가능하며, 금속재질로 형성될 수 있다.또한, 본 발명에 따른 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버는 개별 소자로 구성된 THz파 송신기(Tx) 또는 수신기(Rx)에 적용하거나, 단일기판 상의 하나의 광전도 안테나로 THz파를 발생 및 검출하는 THz 트랜스시버에 적용할 수 있으며 단일기판 상에 일정간격 이격되어 집적된 Tx 및 Rx에 적용될 수 있도록 구성함으로써, 개별소자 또는 단일소자 내에서 THz파를 전송하고 검출할 수 있다.상기한 구성에 의해 본 발명에 따른 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버는 NGA 및 SPC를 집적하여 THz파의 생성 출력과 측정 감도를 높일 수 있고, 동시에 일정한 밴드폭으로 발생된 THz파가 표면 플라즈몬 공명 구조를 통과하면서 주파수가 변조될 수 있도록 구성함으로써 주파수 선택성을 가질 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01S 3/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020140094768 (2014.07.25)
출원인 한국해양대학교 산학협력단, 한국표준과학연구원, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1626806-0000 (2016.05.27)
공개번호/일자 10-2016-0013423 (2016.02.04) 문서열기
공고번호/일자 (20160609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.25)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국해양대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 영도구
2 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
3 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전태인 대한민국 부산광역시 영도구
2 노삼규 대한민국 대전광역시 유성구
3 지영빈 대한민국 경기도 고양시 덕양구
4 이상준 대한민국 대전광역시 유성구
5 오승재 대한민국 경기도 광명시 하
6 박현상 대한민국 부산광역시 영도구
7 정기영 대한민국 서울특별시 서대문구
8 김상훈 대한민국 경상남도 김해시
9 김준오 대한민국 경기도 용인시 처인구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 노경규 대한민국 서울시 서초구 반포대로**길 ** 매강빌딩 *층(에이치앤에이치국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국해양대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 영도구
2 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
3 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0703821-99
2 보정요구서
Request for Amendment
2014.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0134852-06
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0776206-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5117570-75
6 [출원인지분변경]권리관계변경신고서
[Applicant Share Change] Report on Change of Proprietary Status
2015.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0023558-58
7 보정요구서
Request for Amendment
2015.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0007290-35
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0032548-13
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-5006339-51
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2015-0017898-23
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5048802-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2015-5048803-56
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0716305-26
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-1246075-50
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1246098-00
17 등록결정서
Decision to grant
2016.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0377157-92
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077236-51
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
활성층;상기 활성층의 일측 상부에 위치하는 광전도 안테나;상기 광전도 안테나 상에 형성된 나노격자안테나(NGA);상기 활성층의 타측 하부에 위치하는 기판; 및상기 기판의 상부면과 활성층 사이의 경계면에 위치하는 표면 플라즈몬 결합기(SPC)를 포함하되,상기 활성층은 InGaAs 또는 InGaAs/InAlAs MQW로 형성되고,상기 광전도 안테나는,일정 길이 평행하게 연장 형성된 금속 평행 전송선로;상기 금속 평행 전송선로는 중앙 영역에서 내측으로 마주보도록 대칭되게 돌출된 중앙돌출부; 및상기 금속 평행 전송선로의 양단에 대칭되게 연장 형성된 전극패드를 포함하고,상기 NGA는 광전도 안테나 상에 형성되고, 펨토초 레이저의 투과 정도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버
2 2
제 1항에 있어서,상기 NGA는 상기 광전도 안테나의 중앙돌출부에 위치하고, 적어도 하나 이상의 패턴이 패터닝되어 연속적으로 배열된 것을 특징으로 하는 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버
3 3
제 1항에 있어서,상기 활성층은 동종박막 또는 MQW를 포함하는 이종적층박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버
4 4
제 1항에 있어서,상기 SPC는 상기 기판 하부면에 위치하는 것을 특징으로 하는 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버
5 5
제 1항에 있어서,상기 SPC는 다수개의 패턴들이 동심원을 이루도록 주기적으로 패터닝하여 형성되며, 금속재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서,단일소자로서 하나의 광전도 안테나로 THz파를 발생하고 검출할 수 있는 트랜스시버로 사용하는 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버
8 8
활성층;상기 활성층상에 위치하고 무전압으로 THz파를 전송하는 송신기;상기 송신기와 일정 간격 이격되게 위치하고 THz파를 검출하는 수신기;상기 수신기 상에 위치하는 NGA;상기 활성층의 타측 하부에 위치하는 기판; 및상기 기판 상부면과 활성층 사이의 경계면에 위치하는 SPC를 포함하되,상기 활성층은 동종박막 또는 MQW를 포함하는 이종적층박막으로 형성되고,상기 수신기는,상기 활성층 상에 형성된 저온성장 활성층; 및상기 저온성장 활성층상에 형성된 광전도 안테나를 포함하고,상기 광전도 안테나는,일정 길이 평행하게 연장 형성된 금속 평행 전송선로;상기 금속 평행 전송선로는 중앙 영역에서 내측으로 마주보도록 대칭되게 돌출된 중앙돌출부; 및상기 금속 평행 전송선로의 양단에 대칭되게 연장 형성된 전극패드를 포함하고,상기 NGA는 광전도 안테나 상에 형성되고, 펨토초 레이저의 투과 정도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버
9 9
제 8항에 있어서,상기 NGA는 상기 광전도 안테나의 중앙돌출부에 위치하고, 적어도 하나 이상의 패턴이 패터닝되어 연속적으로 배열된 것을 특징으로 하는 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버
10 10
제 8항에 있어서,상기 SPC는 상기 기판 하부면에 위치하는 것을 특징으로 하는 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버
11 11
제 8항에 있어서,상기 SPC는 다수개의 패턴들이 동심원을 이루도록 주기적으로 패터닝하여 형성되며, 금속재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버
12 12
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1 WO2016013898 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 보건복지부 연세대학교 산학협력단 의료기기기술개발 소화기암 진단영상을 위한 THz 영상의 임상기술 개발
2 보건복지부 한국해양대학교 산학협력단 의료기기기술개발 광대역 테라헤르츠 펄스를 이용한 실시간 암 진단 기술 및 초소형 테라헤르츠 내시경 개발
3 교과부 한국해양대학교 산학협력단 일반연구지원사업 프라즈모닉 결정의 메타 특성을 이용한 테라헤르츠 분광법 연구
4 교육과학기술부 한국표준과학연구원 글로벌연구실 사업 차세대 영상기술을 위한 원적외선/테라헤르쯔 검출소자