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아연화합물, 인듐화합물, 갈륨화합물, 주석화합물 및 탈륨화합물로 이루어진 군에서 적어도 2종 이상이 선택된 분산질에, 상기 분산질에 각각 상응하는 분산매를 혼합하여 분산계를 형성하는 단계와,상기 분산계를 각각 스터링하고, 에이징하는 단계를 포함하되,상기 아연화합물 대 상기 인듐화합물, 갈륨화합물, 주석화합물 및 탈륨화합물의 각각의 몰 비는 1대0
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제 1 항에 있어서,상기 분산매는 이소프로판올(isopropanol), 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide), 에탄올(ethanol), 탈이온수(deionized water), 메탄올(methanol), 아세틸아세톤(acetylacetone), 디메틸아민보란(dimethylamineborane), 아세토니트릴(acetonitrile)로 이루어진 군에서 상기 분산질에 상응하여 1종 이상이 선택되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막을 위한 액상 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 아연화합물은 아연 시트레이트 디하이드레이트(Zinc citrate dihydrate), 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 아세테이트 디하이드레이트(Zinc acetate dihydrate), 아연 아세틸아세토네이트 하이드레이트(Zinc acetylacetonate hydrate), 아연 아크릴레이트(Zinc acrylate), 아연 클로라이드(Zinc chloride), 아연 디에틸디씨오카바메이트(Zinc diethyldithiocarbamate), 아연 디메틸디씨오카바메이트(Zinc dimethyldithiocarbamate), 아연 플루라이드(Zinc fluoride), 아연 플루라이드 하이드레이트(Zinc fluoride hydrate), 아연 헥사플루로아세틸아세토네이트 디하이드레이트(Zinc hexafluoroacetylacetonate dihydrate), 아연 메타아크릴레이트(Zinc methacrylate), 아연 니트레이트 헥사하이드레이트(Zinc nitrate hexahydrate), 아연 니트레이트 하이드레이트(Zinc nitrate hydrate), 아연 트리플루로메탄술포네이트(Zinc trifluoromethanesulfonate), 아연 운데실레네이트(Zinc undecylenate), 아연 트리플루로아세테이트 하이드레이트(Zinc trifluoroacetate hydrate), 아연 테트라플루로보레이트 하이드레이트(Zinc tetrafluoroborate hydrate) 또는 아연 퍼클로레이트 헥사하이드레이트(Zinc perchlorate hexahydrate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막을 위한 액상 제조방법
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4
제 1 항에 있어서,상기 인듐화합물은 인듐 클로라이드(Indium chloride), 인듐 클로라이드 테트라하이드레이트(Indium chloride tetrahydrate), 인듐 플루라이드(Indium fluoride), 인듐 플루라이드 트리하이드레이트(indium fluoride trihydrate), 인듐 하이드록사이드(Indium hydroxide), 인듐 니트레이트 하이드레이트(Indium nitrate hydrate), 인듐 아세테이트 하이드레이트(Indium acetate hydrate), 인듐 아세틸아세토네이트(Indium acetylacetonate), 또는 인듐 아세테이트(Indium acetate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막을 위한 액상 제조방법
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5
제 1 항에 있어서,상기 갈륨화합물은 갈륨 아세틸아세토네이트(Gallium acetylacetonate), 갈륨 클로라이드(Gallium chloride), 갈륨 플루라이드(Gallium fluoride), 또는 갈륨 니트레이트 하이드레이트(Gallium nitrate hydrate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막을 위한 액상 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 주석화합물은 틴 아세테이트(Tin acetate), 틴 클로라이드(Tin chloride), 틴 클로라이드 디하이드레이트(Tin chloride dihydrate), 틴 클로라이드 펜타하이드레이트(Tin chloride pentahydrate), 또는 틴 플루라이드(Tin fluoride)를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막을 위한 액상 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 탈륨화합물은 탈륨 아세테이트(Thallium acetate), 탈륨 아세틸아세토네이트(Thallium acetylacetonate), 탈륨 클로라이드(Thallium chloride), 탈륨 클로라이드 테트라하이드레이트(Thallium chloride tetrahydrate), 탈륨 사이클로펜타디에나이드(Thallium cyclopentadienide), 탈륨 플루라이드(Thallium fluoride), 탈륨 포메이트(Thallium formate), 탈륨 헥사플루로아세틸아세토네이트(Thallium hexa fluoroacetylacetonate), 탈륨 니트레이트(Thallium nitrate), 탈륨 니트레이트 트리하이드레이트(Thallium nitrate trihydrate), 탈륨 트리플루로아세테이트(Thallium trifluoroacetate) 또는 탈륨 퍼클로레이트 하이드레이트(Thallium perchlorate hydrate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막을 위한 액상 제조방법
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8
제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 아연화합물, 인듐화합물, 갈륨화합물, 주석화합물 또는 탈륨화합물의 몰농도는 각각 0
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9
제 1 항에 있어서,상기 분산계에 졸 안정제를 상기 아연화합물과 동일한 몰수비로 혼합하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막을 위한 액상 제조방법
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10
제 9 항에 있어서,상기 졸 안정제는 모노-에탄올아민(mono-ethanolamine), 디-에탄올아민(di-ethanolamine) 및 트리-에탄올아민(tri-ethanolamine)으로 이루어진 군에서 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막을 위한 액상 제조방법
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11
제 1 항에 있어서,상기 분산계의 pH를 조절하기 위해서 상기 분산계에 산 또는 염기를 첨가하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막을 위한 액상 제조방법
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12
제 11 항에 있어서,상기 분산계에 산인 아세트산(CH3COOH)을 첨가하여 pH를 낮추거나, 상기 분산계에 염기인 수산화암모늄(NH3OH), 수산화칼륨(KOH) 또는 수산화나트륨(NaOH)을 첨가하여 pH를 높여서, 상기 분산계의 pH 범위가 1 내지 10이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막을 위한 액상 제조방법
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13
제 12 항에 있어서,상기 분산계의 pH 범위는 3
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14
제 1 항에 있어서, 상기 분산계를 1 내지 24 시간 동안, 25 내지 100 ℃ 에서 스터링하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막을 위한 액상 제조방법
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15
제 1 항에 있어서,상기 분산계를 1 내지 240 시간 동안 에이징하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막을 위한 액상 제조방법
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(a) 아연화합물, 인듐화합물, 갈륨화합물, 주석화합물 및 탈륨화합물로 이루어진 군에서 적어도 2종 이상이 선택된 분산질에, 상기 분산질에 각각 상응하는 분산매를 혼합하여 분산계를 형성하는 단계와,(b) 상기 분산계를 각각 스터링하고, 에이징하는 단계를 포함하되,상기 아연화합물 대 상기 인듐화합물, 갈륨화합물, 주석화합물 및 탈륨화합물의 각각의 몰 비는 1대0
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