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전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1Ｔ-ＳＲＡＭ의 리던던시 제어 회로

  • 기술번호 : KST2015016860
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리던던시 제어 회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 프로그램 모드에서 외부 프로그램 전원을 e-Fuse(electrical Fuse) 셀에 직접 인가하고, e-Fuse(electrical Fuse) 셀을 쓰기 포트와 읽기 포트로 분리하며, 레이아웃 면적을 확연히 줄인 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM의 리던던시 제어 회로에 관한 것이다.
Int. CL G11C 29/04 (2006.01) G11C 11/41 (2006.01)
CPC G11C 29/787(2013.01) G11C 29/787(2013.01) G11C 29/787(2013.01) G11C 29/787(2013.01)
출원번호/일자 1020110006047 (2011.01.20)
출원인 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1210285-0000 (2012.12.04)
공개번호/일자 10-2012-0084602 (2012.07.30) 문서열기
공고번호/일자 (20121210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영희 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 경상남도 창원시 의창구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0049171-42
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2011-5171493-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2011-5180260-89
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0089214-08
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252038-71
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5259858-01
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0315983-08
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0600994-61
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0600993-15
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0708359-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5131005-95
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리던던시 제어 회로에 있어서,행 주소를 입력받아 디코딩을 통해 반전된 워드라인 선택신호(WWLb)를 출력하여 특정한 워드라인을 선택하게 하는 행 디코더부(210);열 주소를 입력받아 디코딩을 통해 반전된 비트라인 선택신호(BIT_SELb)를 출력하여 특정한 비트라인을 선택하게 하는 프로그램 선택비트 선택부(220);상기 선택된 워드라인과 비트라인에 연결된 e-Fuse 셀이 액티브 되어 불량 주소가 프로그램되는 e-Fuse 셀 어레이(230); 및상기 불량 주소와 메모리 억세스 주소(MA)를 각 비트별로 비교하여 일치하는 경우 매칭신호(FA_MATCH)를 출력하는 리페어 주소 비교부(240);를 포함하되,상기 불량 주소가 상기 e-Fuse 셀 어레이에 프로그램 될 때 외부 전압원(FSOURCE)을 공급하며,상기 e-Fuse 셀은,쓰기 포트(write port)와 읽기 포트(read port)가 분리된 듀얼 포트(dual port) 구조를 가지되,상기 반전된 워드라인 선택신호(WWLb)와 상기 반전된 비트라인 선택신호(BIT_SELb)를 입력받아 부정논리합 연산을 수행하는 노어 게이트(NOR);게이트에 상기 노어 게이트(NOR) 출력이 인가되고, 소오스에 접지전압(VSS)이 인가되는 제1 엔모스(NM1);일단이 상기 제1 엔모스(NM1) 드레인에 연결되고, 타단에 상기 외부 전압원(FSOURCE)이 인가되는 e-Fuse;게이트에 센싱신호(SAEN)가 인가되고, 소오스가 상기 제1 엔모스(NM1) 드레인에 연결된 제2 엔모스(MN2);게이트에 반전된 로드신호(LOADb)가 인가되고, 소오스에 로직전압(VDD)이 인가되며 드레인이 상기 제2 엔모스(MN2) 드레인에 연결된 제1 피모스(MP1); 및상기 제2 엔모스(MN2) 드레인의 전압레벨(Fuse_Data)을 입력받아 상기 센싱신호(SAEN)와 반전된 센싱신호(SAENb)에 응답하여 상기 불량 주소(IFA)와 반전된 불량 주소(IFAb)를 출력하는 D-래치 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM의 리던던시 제어 회로
2 2
제 1 항에 있어서,상기 불량 주소를 상기 e-Fuse 셀 어레이에 프로그램 하는 프로그램 모드;상기 e-Fuse 셀 어레이의 프로그램 정보를 자동적으로 D-래치 회로에 저장하는 파워-온 모드; 및상기 e-Fuse 셀 어레이의 프로그램 정보와 상기 메모리 억세스 주소를 비교하는 비교모드로 동작하는 것을 특징으로 하는 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM의 리던던시 제어 회로
3 3
제 2 항에 있어서,상기 프로그램 모드에서는, 상기 e-Fuse 셀 어레이에 상기 외부 전압원(FSOURCE)을 공급하고, 상기 파워-온 읽기 모드와 상기 비교모드에서는, 상기 e-Fuse 셀 어레이에 로직전압(VDD)을 공급하는 전원스위칭부(250)를 더 포함하는 것을 특징으로 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM의 리던던시 제어 회로
4 4
제 3 항에 있어서,상기 외부 전압원(FSOURCE)은 4
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제1 엔모스(MN1)의 채널 폭이 상기 제2 엔모스(MN2)의 채널 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM의 리던던시 제어 회로
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 D-래치 회로는,게이트가 상기 제1 피모스(MP1) 드레인과 상기 제2 엔모스(MN2) 드레인에 공통으로 연결되고, 소오스에 로직전압(VDD)이 인가되는 제2 피모스(MP2);게이트에 상기 반전된 센싱신호(SAENb)가 인가되고, 소오스가 상기 제2 피모스 드레인에 연결된 제3 피모스(MP3);게이트에 상기 센싱신호(SAEN)가 인가되고, 드레인이 상기 제3 피모스 드레인에 연결된 제3 엔모스(MN3);게이트가 상기 제1 피모스(MP1) 드레인과 상기 제2 엔모스(MN2) 드레인에 공통으로 연결되고, 드레인이 상기 제3 엔모스 소오스에 연결되며 소오스에 접지전압(VSS)이 인가되는 제4 엔모스(MN4);상기 제3 엔모스(MN3) 드레인의 전압레벨을 반전시켜 상기 불량 주소(IFA) 신호를 출력하는 제1 인버터;상기 제 1 인버터의 출력을 반전시켜 상기 반전된 불량 주소(IFAb) 신호를 출력하는 제2 인버터;상기 제 1 인버터의 출력을 반전시키는 제3 인버터; 및 상기 센싱신호(SAEN)와 반전된 센싱신호(SAENb)에 응답하며 일단이 상기 제3 인버터 출력단에 연결되고 타단이 상기 제1 인버터 입력단에 연결된 전송 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM의 리던던시 제어 회로
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 리페어 주소 비교부는,게이트에 비교신호(COMP_EN)가 인가되고, 소오스에 로직전압(VDD)이 인가되는 제4 피모스(MP4);상기 불량 주소와 상기 메모리 억세스 주소를 입력받아 상기 비교신호(COMP_EN)에 응답하여 상기 불량 주소와 상기 메모리 엑세스 주소가 비트별로 모두 일치하는 경우 상기 제4 피모스 드레인에 내부매칭신호(IMATCH)를 출력하는 불량주소 비교 회로부(241);상기 제4 피모스 드레인의 전압레벨을 반전시켜 출력하는 제4 인버터(INV4);게이트에 상기 제4 인버터의 출력이 인가되고 소오스에 로직전압(VDD)이 인가되며 드레인이 상기 제4 피모스 드레인에 연결된 제5 피모스(MP5); 및상기 제4 인버터의 출력 전압레벨을 반전시켜 상기 매칭신호(FA_MATCH)를 출력하는 제5 인버터(INV5)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM의 리던던시 제어 회로
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 불량주소 비교 회로부(241)는,상기 비교신호(COMP_EN)에 응답하여 상기 불량 주소와 상기 메모리 억세스 주소를 1-비트씩 비교하는 제1 내지 제N 의 1-bit 불량주소 비교 회로(241-1 ~ 241-N)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM의 리던던시 제어 회로
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 제1의 1-bit 불량주소 비교회로(241-1)는,게이트에 상기 반전된 불량 주소의 첫 번째 비트(IFAb[0])가 인가되고, 드레인이 상기 제4 피모스 드레인에 연결된 제5 엔모스(MN5);게이트에 상기 불량 주소의 첫 번째 비트(IFA[0])가 인가되고, 드레인이 상기 제4 피모스 드레인에 연결된 제6 엔모스(MN6);게이트에 상기 메모리 억세스 주소의 첫 번째 비트(MA[0])가 인가되고, 드레인이 상기 제5 엔모스의 소오스에 연결된 제7 엔모스(MN7);게이트에 상기 반전된 메모리 억세스 주소의 첫 번째 비트(MAb[0])가 인가되고, 드레인이 상기 제6 엔모스의 소오스에 연결된 제8 엔모스(MN8);게이트에 상기 비교신호(COMP_EN)가 인가되고, 소오스에 접지전압(VSS)이 인가되며 드레인이 상기 제7 엔모스의 소오스에 연결된 제9 엔모스(MN9); 및게이트에 상기 비교신호(COMP_EN)가 인가되고, 소오스에 접지전압(VSS)이 인가되며 드레인이 상기 제8 엔모스의 소오스에 연결된 제10 엔모스(MN10)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적인 퓨즈 프로그래밍을 이용한 1T-SRAM의 리던던시 제어 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.