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단일 폴리 이이피롬

  • 기술번호 : KST2015016897
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 평판형 커패시터(Control Gate PW-P+P(P+ Poly), 모스형 커패시터(Tunnel Gate NMOS capacitor), 센스 트랜지스터와 선택 트랜지스터로 구성된 단일 폴리 이이피롬 셀(single poly EEPROM cell)을 제안하였다. 본 발명에 따른 단일 폴리 이이피롬 셀(single poly EEPROM cell)은 모드에서 RFID 테그칩의 인식 거리를 증가시키기 위하여 FN 터널링(Fowler-Nordheim tunneling) 방식을 이용하였다. 단일 폴리 이이피롬 셀로 구성된 단일 폴리 이이피롬 메모리에 있어서, 단일 폴리 이이피롬 셀은 평판형 커패시터(MC1), 모스형 캐피시터(MC2), 센스 트랜지스터(MN1) 및 선택 트랜지스터(MN2)로 구성되며, 센스 트랜지스터(MN1)와 선택 트랜지스터(MN2)는 P형웰영역(PW)을 공유하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1020130139574 (2013.11.18)
출원인 창원대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1519595-0000 (2015.05.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150512) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영희 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-1044873-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0047549-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0725632-17
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1255251-66
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1255250-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0070971-39
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.03.02 수리 (Accepted) 7-1-2015-0008090-81
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.04.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0330026-04
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0330025-58
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0288993-34
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단일 폴리 이이피롬 메모리에 있어서,상기 단일 폴리 이이피롬 메모리는 단일 폴리 이이피롬 셀로 구성되고,상기 단일 폴리 이이피롬 셀은제1 단자에 컨트롤 게이트(CG)가 연결되는 평판형 커패시터(MC1);제1 단자 및 제2 단자에 터널 게이트(TG)가 공통으로 연결되고, 제3 단자는 상기 평판형 커패시터의 제2 단자와 연결되는 모스형 커패시터(MC2);제2 단자와 백바이어스 단자가 가상접지(VSS)에 공통으로 연결되고, 제3 단자는 상기 평판형 커패시터(MC1)의 제2 단자와 연결되는 센스 트랜지스터(MN1);제1 단자는 비트라인(BL)에 연결되고, 제2 단자는 상기 센스 트랜지스터(MN1)의 제 1 단자에 연결되며, 제3 단자는 워드 라인(WL)에 연결되고, 백바이어스 단자 상기 가상접지(VSS)에 연결되는 선택 트랜지스터(MN2);로 구성되며,상기 평판형 커패시터(MC1), 상기 모스형 커패시터(MC2), 상기 센스 트랜지스터(MN1) 및 상기 선택 트랜지스터(MN2)가 딥엔웰영역(DNW)을 공유하고,상기 센스 트랜지스터(MN1) 및 상기 선택 트랜지스터(MN2)는 상기 딥엔웰영역(DNW)에 형성된 P형웰영역(PW)을 공유하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 단일 폴리 이이피롬 메모리
2 2
제 1항에 있어서, 상기 센스 트랜지스터(MN1)는 FN 터널링 방식으로 플로팅게이트(FG)의 전자를 방출시키거나 상기 플로팅게이트(FG)로 전자를 주입하는 것을 특징으로 하는 단일 폴리 이이피롬 메모리
3 3
제 1항에 있어서, 상기 모스형 커패시터(MC2)는커플링 커패시터 역할을 하는 것을 특징으로 하는 단일 폴리 이이피롬 메모리
4 4
제 1항에 있어서, 상기 선택 트랜지스터(MN2)는과도 소거(over-erase) 되었을 때 비트라인(BL)에서의 오프-누설전류를 감소시키는 것을 특징으로 하는 단일 폴리 이이피롬 메모리
5 5
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1 US09406382 US 미국 FAMILY
2 US20150138892 US 미국 FAMILY

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1 US2015138892 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9406382 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.