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산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015016978
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예에 따른 산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법은 유연기판; 유연기판 상에 마련되는 하부전극; 하부전극 상에 수직 성장되는 산화아연 나노와이어; 및 산화아연 나노와이어를 캐핑(capping)시키는 캐핑 레이어를 포함하고, 캐핑 레이어는 폴리실라잔, 실세스퀴옥산 및 실란 화합물을 포함하는 코팅액으로 형성된다.
Int. CL H01L 41/083 (2006.01)
CPC H01L 41/0805(2013.01) H01L 41/0805(2013.01) H01L 41/0805(2013.01) H01L 41/0805(2013.01) H01L 41/0805(2013.01)
출원번호/일자 1020130062377 (2013.05.31)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1517813-0000 (2015.04.29)
공개번호/일자 10-2014-0141084 (2014.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (20150506) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.31)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철승 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이경일 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 조진우 대한민국 경기 성남시 분당구
4 김성현 대한민국 경기 용인시 수지구
5 신권우 대한민국 경기 화성
6 김선민 대한민국 서울 성동구
7 박지선 대한민국 경기 용인시 수지구
8 서문석 대한민국 경기 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0485800-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.03.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0027901-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0376779-22
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0721982-42
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0721970-05
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0820351-44
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.12.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1209664-96
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-1209647-19
10 등록결정서
Decision to grant
2015.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0246429-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유연기판;상기 유연기판 상에 마련되는 하부전극;상기 하부전극 상에 수직 성장되는 산화아연 나노와이어; 및상기 산화아연 나노와이어를 캐핑(capping)시키는 캐핑 레이어를 포함하고, 상기 캐핑 레이어는 폴리실라잔, 실세스퀴옥산 및 실란 화합물을 포함하는 코팅액으로 형성되고, 상기 코팅액은 용질을 기준으로 폴리실라잔 20~25 중량%, 실세스퀴옥산 55~60 중량%, 실란 화합물 15~20 중량% 포함하고, 고형분(solid content)은 5~10%인 산화아연 나노와이어 압전필름
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 캐핑 레이어 상에 마련되는 상부전극을 더 포함하는 산화아연 나노와이어 압전필름
4 4
유연기판 상에 형성된 하부전극 상에 시드층(seed layer)으로 AZO(Aluminum doped zinc oxide) 또는 ZnO를 증착하는 1단계;상기 시드층으로부터 수열합성법을 통해 산화아연 나노와이어를 수직 성장시키는 2단계; 및상기 산화아연 나노와이어의 캐핑을 위해 폴리실라잔, 실세스퀴옥산 및 실란 화합물을 포함하는 코팅액을 제조하고, 상기 코팅액을 용액공정을 통해 상기 산화아연 나노와이어를 캐핑 코팅시키는 3단계를 포함하는 산화아연 나노와이어 압전필름 제조방법으로서, 상기 3단계의 상기 코팅액은 용질을 기준으로 폴리실라잔 20~25 중량%, 실세스퀴옥산 55~60 중량%, 실란 화합물 15~20 중량% 포함하고, 고형분(solid content)은 5~10%인 산화아연 나노와이어 압전필름 제조방법
5 5
삭제
6 6
청구항 4에 있어서, 상기 3단계 이후에 상기 캐핑 코팅된 산화아연 나노와이어 상부에 상부전극을 형성하는 4단계를 더 포함하는 산화아연 나노와이어 압전필름 제조방법
7 7
청구항 4 및 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서, 상기 2단계 및 3단계 사이에 상기 산화아연 나노와이어를 산소 분위기하에서 대기압 플라즈마로 표면처리하는 단계를 더 포함하는 산화아연 나노와이어 압전필름 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 국가플랫폼기술개발사업 액상공정 기반 나노구조체 제작 기술