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공진 부스터가 구비된 이(E)급 고주파 파워 앰프 시스템

  • 기술번호 : KST2015020731
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전압 증폭도를 높이기 위한 E급 고주파 파워 앰프 시스템에 관한 것으로, 본 발명의 E급 고주파 파워 앰프 시스템은, 고주파 신호를 발생시켜 출력하는 발진기, 발진기에서 출력된 고주파 신호를 전류 증폭하여 출력하는 프리 앰프, 인덕터(Inductor ; L)가 구비되고 프리 앰프에서 출력된 전류 증폭된 고주파 신호를 인덕터를 통해 전압 증폭하여 출력하는 공진 부스터, MOSFET가 구비되고 MOSFET의 내부 커패시터와 공진 부스터의 인덕터가 공진하도록 구성되며, 공진 부스터로부터 출력된 전압 증폭된 고주파 신호를 MOSFET를 통해 증폭하여 출력하는 메인 앰프, 메인 앰프로부터 출력되는 고주파 신호를 동력으로 소비하는 부하, 및 메인 앰프와 부하 사이에 구비되고 부하와 메인 앰프 사이에 임피던스 매칭을 통해 신호 손실을 줄이는 임피던스 매칭부를 포함하여 구성되며, 이를 통해 기존에 2단계로 구성되어 있는 프리 앰프를 1단계로 줄이고 대신에 공진 부스터를 부가하여 구성함으로써, 공진 부스터의 인덕터와 메인 앰프의 MOSFET 내부 커패시턴스가 공진하여 전압을 상승시키는 효과가 있다.
Int. CL H03F 3/217 (2006.01)
CPC H03F 3/2176(2013.01) H03F 3/2176(2013.01) H03F 3/2176(2013.01) H03F 3/2176(2013.01)
출원번호/일자 1020120096472 (2012.08.31)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-1385157-0000 (2014.04.08)
공개번호/일자 10-2014-0030528 (2014.03.12) 문서열기
공고번호/일자 (20140421) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.31)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이기범 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인맥 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *층 (양재동, 화승빌딩)
2 김현호 대한민국 서울시 강남구 삼성로**길 ** (대치동, 한정빌딩) *층(국제특허맥)
3 정승훈 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **(대치동) *층(국제특허맥)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0705372-67
2 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2013.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0416867-99
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0672401-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0933934-98
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0933933-42
7 등록결정서
Decision to grant
2014.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0198995-57
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력되는 고주파 신호를 전류 증폭하여 출력하는 프리 앰프;인덕터(Inductor ; L)가 구비되고, 상기 프리 앰프에서 출력된 전류 증폭된 고주파 신호를 상기 인덕터를 통해 전압 증폭하여 출력하는 공진 부스터; 및 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)가 구비되고, 상기 MOSFET의 내부 커패시터와 상기 공진 부스터의 인덕터가 공진하도록 구성되며, 상기 공진 부스터로부터 출력된 전압 증폭된 고주파 신호를 상기 MOSFET를 통해 증폭하여 출력하는 메인 앰프;를 포함하는 것을 특징으로 하는 E급 고주파 파워 앰프 시스템
2 2
제 1항에 있어서, 상기 프리 앰프의 전단에 구비되어 상기 고주파 신호를 발생시켜 상기 프리 앰프로 출력하는 발진기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 E급 고주파 파워 앰프 시스템
3 3
제 2항에 있어서, 상기 발진기는 무선전력전송에서 사용되는 50KHz 이상의 상기 고주파 신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 E급 고주파 파워 앰프 시스템
4 4
제 2항에 있어서, 부하; 및 임피던스 매칭부를 더 포함하고,상기 부하는 상기 임피던스 매칭부로부터 출력되는 신호를 소비하고,상기 임피던스 매칭부는, 상기 메인 앰프와 상기 부하 사이에 구비되고, 상기 부하와 상기 메인 앰프 사이에 임피던스 매칭을 통해 신호 손실을 줄이는 것을 특징으로 하는 E급 고주파 파워 앰프 시스템
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.