기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

아날로그 신호출력형 MEMS 마이크로폰 ROIC 기술

기술번호 : KST2015020802
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 커패시터형 센서 리드아웃 회로에 관한 것이다. 본 발명의 커패시터형 센서 리드아웃 회로는 센서로부터 입력된 센서 신호를 출력하는 신호 변환부, 바이어스 전압을 생성하는 전압 부스터, 및 센서 신호를 피드백받아 바이어스 전압에 혼합하여 출력하는 커패시터형 신호 커플링 회로를 포함한다.
Int. CL	H03K 17/955 (2006.01)
CPC	H03K 17/962(2013.01) H03K 17/962(2013.01) H03K 17/962(2013.01) H03K 17/962(2013.01) H03K 17/962(2013.01)
출원번호/일자	1020130136382 (2013.11.11)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2015-0054214 (2015.05.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2015.09.24)
심사청구항수	17

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김이경	대한민국	대전 유성구
2	조민형	대한민국	대전 서구
3	전영득	대한민국	대전 유성구
4	노태문	대한민국	대전 유성구
5	양우석	대한민국	대전 서구
6	권종기	대한민국	대전 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
최종권리자 정보가 없습니다

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.11.11	수리 (Accepted)	1-1-2013-1025001-41
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2015.01.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0048803-70
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
4	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.09.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0933590-54
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2015.09.24	수리 (Accepted)	1-1-2015-0933576-14
6	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2016.03.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2016.05.11	수리 (Accepted)	9-1-2016-0022381-94
8	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2016.07.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0513335-70
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.09.19	수리 (Accepted)	1-1-2016-0905645-11
10	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.09.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0905656-13
11	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2017.02.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0132091-88

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 센서로부터 입력된 센서 신호를 출력하는 신호 변환부;바이어스 전압을 생성하는 전압 부스터; 및상기 센서 신호를 피드백받아 상기 바이어스 전압에 혼합하여 출력하는 커패시터형 신호 커플링 회로를 포함하는 커패시터형 센서 리드아웃 회로
2	2 제 1 항에 있어서,상기 바이어스 전압에 혼합되는 센서 신호는 교류 형태의 신호인 커패시터형 센서 리드아웃 회로
3	3 제 1 항에 있어서,상기 신호 변환부는상기 센서 신호를 전압 신호로 변환하는 고임피던스 회로;상기 전압 신호로 변환된 센서 신호를 출력하는 제 1 증폭기; 및상기 제 1 증폭기에서 출력된 센서 신호를 출력하는 제 2 증폭기를 포함하는 커패시터형 센서 리드아웃 회로
4	4 제 3 항에 있어서,상기 커패시터형 신호 커플링 회로는 상기 제 1 증폭기에서 출력된 센서 신호를 피드백하여 상기 바이어스 전압과 혼합하는 제 1 커패시터를 포함하는 커패시터형 센서 리드 아웃 회로
5	5 제 4 항에 있어서,상기 커패시터형 신호 커플링 회로는상기 센서 신호가 혼합된 바이어스 전압의 이득을 조절하여 출력하는 제 2 커패시터를 더 포함하는 커패시터형 센서 리드아웃 회로
6	6 제 1 항에 있어서,상기 신호 변환부는상기 센서 신호를 전압 신호로 변환하는 고임피던스 회로;상기 전압 신호로 변환된 센서 신호를 출력하는 소스 팔로워; 및상기 소스 팔로워에서 출력된 센서 신호를 출력하는 연산 증폭기를 포함하는 커패시터형 센서 리드아웃 회로
7	7 제 6 항에 있어서,상기 커패시터형 신호 커플링 회로는 상기 소스 팔로워에서 출력된 센서 신호를 피드백하여 상기 바이어스 전압과 혼합하는 제 1 커패시터를 포함하는 커패시터형 센서 리드 아웃 회로
8	8 제 7 항에 있어서,상기 커패시터형 신호 커플링 회로는상기 센서 신호가 혼합된 바이어스 전압의 이득을 조절하여 출력하는 제 2 커패시터를 더 포함하는 커패시터형 센서 리드아웃 회로
9	9 제 1 항에 있어서,상기 신호 변환부는상기 센서 신호를 전압 신호로 변환하는 고임피던스 회로;상기 전압 신호로 변환된 센서 신호를 출력하는 공통 소스 증폭기; 및상기 공통 소스 증폭기에서 출력된 센서 신호를 출력하는 연산 증폭기를 포함하는 커패시터형 센서 리드아웃 회로
10	10 제 9 항에 있어서,상기 커패시터형 신호 커플링 회로는 상기 공통 소스 증폭기에서 출력된 센서 신호를 피드백하여 상기 바이어스 전압과 혼합하는 제 1 커패시터를 포함하는 커패시터형 센서 리드 아웃 회로
11	11 제 10 항에 있어서,상기 커패시터형 신호 커플링 회로는상기 센서 신호가 혼합된 바이어스 전압의 이득을 조절하여 출력하는 제 2 커패시터를 더 포함하는 커패시터형 센서 리드아웃 회로
12	12 제 1 항에 있어서,상기 전압 부스터는상기 부스팅 전압을 생성하는 전압원; 및상기 부스팅 전압을 필터링하여 상기 바이어스 전압을 생성하는 저항을 포함하는 커패시터형 센서 리드아웃 회로
13	13 제 12 항에 있어서,상기 저항은 다이오드, 모스펫 트랜지스터, 백투백 구조를 갖는 모스펫 트랜지스터들, 백투백 구조를 갖는 다이오드들, 백투백 구조를 갖는 다이오드 접속 피모스 트랜지스터들, 및 백투백 구조를 갖는 다이오드 접속 엔모스 트랜지스터 중 적어도 하나를 포함하는 리드아웃 회로
14	14 센서로부터 입력된 센서 신호를 전압 신호로 변환하는 고임피던스 회로;상기 전압 신호로 변환된 센서 신호를 출력하는 제 1 증폭기;상기 제 2 증폭기에서 출력된 센서 신호를 출력하는 제 2 증폭기;바이어스 전압을 생성하는 전압 부스터; 및상기 제 1 증폭기로부터 출력된 센서 신호를 피드백받아 상기 바이어스 전압에 혼합하여 출력하는 커패시터형 신호 커플링 회로를 포함하고,상기 커패시터형 신호 커플링 회로는 상기 제 1 증폭기에서 출력된 센서 신호를 피드백하여 상기 바이어스 전압과 혼합하는 제 1 커패시터; 및상기 센서 신호가 혼합된 바이어스 전압의 이득을 조절하여 출력하는 제 2 커패시터를 더 포함하는 커패시터형 센서 리드아웃 회로
15	15 제 14 항에 있어서,상기 바이어스 전압에 혼합되는 센서 신호는 교류 형태의 신호인 커패시터형 센서 리드아웃 회로
16	16 제 14 항에 있어서,상기 제 1 증폭기는 소스 팔로워를 포함하고,상기 소스 팔로워는일단은 전원 전압을 입력받는 전류원; 및게이트는 상기 고임피던스 회로에 연결되고, 드레인은 접지단에 연결되고, 소스는 상기 전류원의 다른 일단에 연결되는 트랜지스터를 포함하는 커패시터형 센서 리드아웃 회로
17	17 제 14 항에 있어서,상기 제 1 증폭기는 공통 소스 증폭기를 포함하고,상기 공통 소스 증폭기는일단은 전원 전압을 입력받는 저항; 및게이트는 상기 고임피던스 회로에 연결되고, 드레인은 접지단에 연결되고, 소스는 상기 저항의 다른 일단에 연결되는 트랜지스터를 포함하는 커패시터형 센서 리드아웃 회로

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US20150131813	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2015131813	US	미국	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	한국전자통신연구원	산업원천기술개발사업(ETRI연구개발지원사업)	스마트＆그린 빌딩용 자가충전 지능형 센서노드 플랫폼 개발

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.11.11	수리 (Accepted)	1-1-2013-1025001-41
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2015.01.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0048803-70
3	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
4	[명세서등 보정]보정서	2015.09.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0933590-54
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2015.09.24	수리 (Accepted)	1-1-2015-0933576-14
6	선행기술조사의뢰서	2016.03.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서	2016.05.11	수리 (Accepted)	9-1-2016-0022381-94
8	의견제출통지서	2016.07.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0513335-70
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.09.19	수리 (Accepted)	1-1-2016-0905645-11
10	[명세서등 보정]보정서	2016.09.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0905656-13
11	거절결정서	2017.02.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0132091-88


기술번호	KST2015020802
자료제공기관	미래기술마당
기술공급기관	한국전자통신연구원
기술명	아날로그 신호출력형 MEMS 마이크로폰 ROIC 기술
기술개요	본 발명은 커패시터형 센서 리드아웃 회로에 관한 것이다. 본 발명의 커패시터형 센서 리드아웃 회로는 센서로부터 입력된 센서 신호를 출력하는 신호 변환부, 바이어스 전압을 생성하는 전압 부스터, 및 센서 신호를 피드백받아 바이어스 전압에 혼합하여 출력하는 커패시터형 신호 커플링 회로를 포함한다.
개발상태	유사환경 테스트
기술의 우수성	1) 본 기술의 장점 - 동일 사양을 갖는 타기술/제품에 비하여 작은 소요 면적 (경쟁 상용제품 대비 10% 정도 작은 소요면적) - 저 잡음지수 이득 구조를 통한 High SNR 성능 구현에 유리 - 고 이득 신호증폭 및 이득 다양화가 용이하여 다양한 MEMS센서 대응에 유리 - 우수한 전원잡음억제 특성 2) 본기술의 주요 특징 - 저 잡음지수 이득 구조를 통한 High SNR 성능 구현 (특허 출원) - 커패시 터를 이용한 positive feedback 이득 구조로 이득 조정 용이함 - 2중 피드백 구조를 통한 우수한 전원잡음억제 특성 - RF 필터를 통한 RFI 특성 향상 - Metal wall 및 기생 커패시턴스를 활용한 도면설계로 우수한 차폐특성 및 작은 칩 면적 구현 - 1.5V ~ 3.6V 넓은 동작 전원전압
응용분야	1) MEMS 마이크로폰은 초소형의 폼팩터, 우수한 성능 및 특성, 세트 제작의 용이성으로 인해 스마트폰, 태블릿 PC 등의 모바일기기 뿐 아니라 자동차, 가전제품까지 점차 활용범위를 넓혀가고 있음. MEMS 마이크로폰은 MEMS 센서, ROIC, 패키지 기술로 구성되고, 본 기술은 MEMS 센서를 구동하고 센서신호를 처리하여 출력하는 ROIC에 해당함 2) 본 기술을 아날로그 IC 설계업체에 기술이전 함으로써, 아날로그 IC 설계업체는 국내/외 翕籠害？？？？？？？？？？？？？？풐+？(+A？？？`？？？？？？？延？？？？？？？+A？？彿廷？廷巫廷？？맘？彿廷만？塚廷맘？？？？？學廷漸？？？廷？？？廷圭廷？？( ？(？？？%란1？？？？？란1？( 란1A？？？란1？？랄1？？팃痛랄1？？랄1？큁痛랄1？？？≪？？？？痛멜？？？專？i？？？？랴1瑄？랄1？？？痛？？？？？廷？？？？？멜？？？만？
시장규모 및 동향	1) 모바일기기 전송음성의 품질 향상 요구가 증가하고, 핸즈프리 기기 등에서 필요한 원거리 음성신호 처리를 위해, MEMS 마이크로폰의 SNR 성능이 지속적으로 향상되었음. 초기 58dB 수준의 SNR 성능을 보여주던 MEMS 마이크로폰이 최근에는 센서, ROIC, 패키지 기술의 발전에 따라 64dB SNR수준의 마이크로폰이 출시되고 있음 2) 잡음억제 신호처리, 음향신호 beam steering 등의 정밀한 신호처리를 위해 very-high SNR 특성과 함께 모듈별 감도 편차 특성을 향상시키고 있음. 또한 모바일 기기용 부품의 경쟁력 확보를 위해 저전력, 초소형 구현을 위한 연구가 진행되고 있음 3) MEMS 마이크로폰 시장은 2013년 785M$에서 2019년 1,651M$로 연평균 18%의 성장이 전망됨. 연평균 13% 성장 전망 (출처: Yole developement, February 2014) Low SNR, high SNR, very-high SNR 마이크로폰으로 제품을 분류할 때 very-high SNR 4) 마이크로폰 (64dB이상 SNR, HD MEMS 마이크로폰) 제품의 시장이 크게 성장할 것으로 예상
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1711006539
세부과제번호	10035570
연구과제명	스마트&그린 빌딩용 자가충전 지능형 센서노드 플랫폼 개발
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	201003~201502
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	ST(우주항공기술)

특허성과

[1020130154748]	가스 측정 장치의 가스 측정 방법	새창보기
[1020130146380]	외부 소음 적응형 음장 보안 감시 방법	새창보기
[1020130145340]	마이크로폰	새창보기
[1020130136382]	아날로그 신호출력형 MEMS 마이크로폰 ROIC 기술	새창보기
[1020130129427]	음향 센서	새창보기
[1020130122862]	보안 감시 시스템 및 보안 감시 방법	새창보기
[1020130084968]	센서 액추에이터 네트워크를 기반으로 하는 액추에이터 및 그의 동작 방법	새창보기
[1020130074535]	센서 신호 처리 장치 및 이를 포함하는 리드아웃 회로부	새창보기
[1020130008282]	센싱 정보 처리 장치 및 방법	새창보기
[1020130000751]	센서 네트워크 및 센서 네트워크에서 타임 슬롯 중계 기반의 링크 확장 방법	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2014032057][한국전자통신연구원]	정전용량형 터치센서용 인터페이스 회로	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택