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플라즈마파 트랜지스터(plasma wave transistor, PWT)의 성능을 평가하는 방법에 있어서,게이트 오버드라이브 전압(gate over drive voltage)에 의해 조정되는 플라즈마파 속도(plasma wave velocity)를 제 1 축으로 설정하는 단계;드레인-소스 전압(drain-to-source voltage)에 의해 조정되는 전자 표류 속도(electron drift velocity)를 제 2 축으로 설정하는 단계; 및상기 제 1 축 및 상기 제 2 축 간의 관계식을 포함하는 디자인 윈도우(design window)를 생성함으로써, 테라헤르츠 이미터의 채널 내부에서 고려하여야 하는 물리 조건(physical condition)을 나타내는 상기 플라즈마파 트랜지스터의 성능 파라미터 값의 변화에 따라 상기 플라즈마파 트랜지스터가 테라헤르츠 이미터(terahertz emitter)로서 동작하는지 여부를 검사하는 단계;를 포함하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 디자인 윈도우는,채널 이동도(channel mobility) 또는 채널 길이(channel length)의 변화에 따라 이미션 경계가 변화하며,사용자의 입력에 따라 이미션(emission) 경계 지점을 획득하고, 획득된 경계 지점에 해당하는 성능 파라미터를 상기 관계식에 입력함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 디자인 윈도우는,운동량 완화 시간(momentum relaxation time)에 따라 이미션 경계가 변화하고,상기 플라즈마파 속도 및 상기 전자 표류 속도에 대한 플라즈마파 증가(plasma wave increment)를 이용하여 이미션 경계를 결정하며,테라헤르츠 이미터로서의 기능이 보장되는 최대 채널 길이를 산출하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 3 항에 있어서,상기 디자인 윈도우에서 이미션 가능한 최소 마하 수(minimum Mach number)를 나타내는 그래프 모서리를 이용하여 상기 이미션 경계를 도출하는 것을 특징으로 하는 방법
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플라즈마파 트랜지스터의 성능을 평가하는 방법에 있어서,게이트 오버드라이브 전압에 의해 조정되는 플라즈마파 속도를 제 1 축으로 설정하는 단계;드레인-소스 전압에 의해 조정되는 전자 표류 속도를 제 2 축으로 설정하는 단계;채널 길이(channel length)를 제 3 축으로 설정하는 단계; 및상기 제 1 축, 상기 제 2 축 및 상기 제 3 축 간의 관계식을 포함하는 디자인 윈도우를 생성함으로써, 테라헤르츠 이미터의 채널 내부에서 고려하여야 하는 물리 조건(physical condition)을 나타내는 상기 플라즈마파 트랜지스터의 성능 파라미터 값의 변화에 따라 상기 플라즈마파 트랜지스터가 테라헤르츠 이미터로서 동작하는지 여부를 검사하는 단계;를 포함하는 방법
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제 5 항에 있어서,상기 디자인 윈도우는, 채널 이동도 및 채널 길이의 변화에 따른 이미션 경계의 변화를 3차원(3-dimension)으로 동시에 표현함으로써, 테라헤르츠 이미터로서의 기능이 보장되는 채널 길이, 플라즈마파 속도 및 전자 표류 속도의 범위를 결정하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 5 항에 있어서,상기 디자인 윈도우는,플라즈마파의 움직임은 업스트림(upstream)과 다운스트림(downstream) 성분으로 나뉘고, 테라헤르츠 이미터의 이미션은 다중 반사(multiple reflection)에 의해 발생한다는 성질을 이용하여, 다음의 수학식을 만족하는 물리 조건을 포함하도록 설계된 것을 특징으로 하는 방법
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플라즈마파 트랜지스터의 성능을 평가하는 방법에 있어서,테라헤르츠 이미터의 채널 내부에서 고려하여야 하는 물리 조건(physical condition)을 미리 선정하여 디자인 윈도우의 성능 파라미터로 입력하는 단계;플라즈마파 트랜지스터 소자를 위한 복수의 물질별로 상기 성능 파라미터의 변화에 따른 시각적인 이미션 양상을 3차원 플롯(plot)을 통해 생성하는 단계; 및상기 복수의 물질별로 생성된 이미션 양상을 비교하여 디스플레이 수단 상에 표시하는 단계;를 포함하되,상기 디자인 윈도우는,게이트 오버드라이브 전압에 의해 조정되는 플라즈마파 속도를 제 1 축으로 설정하고, 드레인-소스 전압에 의해 조정되는 전자 표류 속도를 제 2 축으로 설정하고, 채널 길이를 제 3 축으로 설정하며,상기 제 1 축, 상기 제 2 축 및 상기 제 3 축 간의 관계식에 기반하여 상기 플라즈마파 트랜지스터의 성능 파라미터 값의 변화에 따라 상기 플라즈마파 트랜지스터가 테라헤르츠 이미터로서 동작하는지 여부를 표시하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 8 항에 있어서,상기 디자인 윈도우는, 채널 이동도 및 채널 길이의 변화에 따른 이미션 경계의 변화를 3차원으로 동시에 표현함으로써, 테라헤르츠 이미터로서의 기능이 보장되는 채널 길이, 플라즈마파 속도 및 전자 표류 속도의 범위를 결정하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 8 항에 있어서,상기 디자인 윈도우는,플라즈마파의 움직임은 업스트림과 다운스트림 성분으로 나뉘고, 테라헤르츠 이미터의 이미션은 다중 반사에 의해 발생한다는 성질을 이용하여, 다음의 수학식을 만족하는 물리 조건을 포함하도록 설계된 것을 특징으로 하는 방법
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