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탄소 화이버를 전자 빔을 이용하여 표면 개질하는 단계;상기 탄소 화이버의 표면 개질된 표면 상에 아연 산화물 나노 구조체를 성장시키는 단계; 및 상기 탄소 화이버와 상기 아연 산화물 나노 구조체를 고분자 수지에 전사시키는 단계;를 포함하는, 복합 재료의 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 표면 개질하는 단계는 대면적 펄스 전자 빔(large pulsed electron beam, LPEB)을 이용하여 수행된, 복합 재료의 형성 방법
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제 2 항에 있어서,상기 대면적 펄스 전자 빔은 0 kV 초과 내지 30 kV 이하의 범위의 캐소드 전압을 가지는, 복합 재료의 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄소 화이버는 직조형 탄소 화이버(woven carbon fiber, WCF)를 포함하는, 복합 재료의 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 아연 산화물 나노 구조체를 성장시키는 단계는, 표면 개질된 상기 탄소 화이버를 아연 산화물 형성용 용액에 침지하여 수행되는, 복합 재료의 형성 방법
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제 5 항에 있어서,상기 아연 산화물 형성용 용액은, 상기 탄소 화이버 상에 아연 산화물 씨드를 형성하는 아연 산화물 씨드 용액 및 상기 아연 산화물 씨드를 중심으로 아연 산화물 나노 구조체를 성장시키는 아연 산화물 성장 용액을 포함하고, 상기 아연 산화물 나노 구조체를 성장시키는 단계는,상기 탄소 화이버를 상기 아연 산화물 씨드 용액에 침지하는 단계; 및상기 탄소 화이버를 상기 아연 산화물 성장 용액에 침지하여 오토클레이브 내에 장입하는 단계;를 포함하는, 복합 재료의 형성 방법
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제 6 항에 있어서,상기 아연 산화물 씨드 용액은 아연 아세테이트 이수화물, 에탄올, 및 수산화나트륨을 이용하여 형성하고, 상기 아연 산화물 성장 용액은, 아연 나이트레이트 육수화물, 헥사메틸렌테트라민, 및 증류수를 이용하여 형성하는, 복합 재료의 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄소 화이버와 상기 아연 산화물 나노 구조체를 고분자 수지에 전사시키는 단계는, 진공 보조 수지 전사 몰딩 공정을 이용하여 수행되는, 복합 재료의 형성 방법
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화이버를 표면 개질하는 단계;상기 화이버의 표면 개질된 표면 상에 나노 구조체를 성장시키는 단계; 및 상기 화이버와 나노 구조체를 매트릭스에 전사시키는 단계;를 포함하는, 복합 재료의 형성 방법
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 하나의 방법을 이용하여 형성한 복합 재료
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