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[중대형 전력저장 이차전지 시스템 기술]산화 아연 박막 및 이를 이용한 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015020912
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ZnO막 및 이를 이용한 전자 소자에 관한 것으로, 온도 구배를 갖는 적어도 이층 이상의 다층 버퍼층과, 다층 버퍼층 상에 형성된 메인 ZnO막을 포함하는 ZnO막을 태양 전지, 발광 소자 또는 박막 트랜지스터에 이용한다.
Int. CL C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01)
CPC C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01)
출원번호/일자 1020110071521 (2011.07.19)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1270442-0000 (2013.05.24)
공개번호/일자 10-2013-0010713 (2013.01.29) 문서열기
공고번호/일자 (20130531) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.19)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이근형 대한민국 부산광역시 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 부산광역시 부산진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0555993-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.09.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.11.06 수리 (Accepted) 9-1-2012-0083225-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0771914-31
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0136106-83
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0136107-28
7 등록결정서
Decision to grant
2013.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0339815-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 이층 이상으로 형성되며, 각각 ZnO로 형성된 다층 버퍼층; 및상기 다층 버퍼층 상에 형성된 메인 ZnO막을 포함하는 ZnO막
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 다층 버퍼층은 각각의 층들이 서로 다른 온도에서 형성되어 온도 구배를 가지는 ZnO막
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 다층 버퍼층은 각 층마다 증착 온도를 변화시켜 하부층으로부터 상부층으로 고온으로 형성된 ZnO막
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 다층 버퍼층은 상기 메인 ZnO막보다 낮은 온도에서 형성된 ZnO막
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 다층 버퍼층은 각각 동일 두께로 형성되거나 다른 두께로 형성되고, 상기 메인 ZnO막보다 얇은 두께로 형성된 ZnO막
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 다층 버퍼층 및 메인 ZnO막은 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 형성된 ZnO막
7 7
하지층;상기 하지층 상에 형성되며 각각의 층들이 서로 다른 온도에서 형성되어 온도 구배를 갖는 적어도 이층 이상의 ZnO로 형성된 다층 버퍼층; 및상기 다층 버퍼층 상에 형성된 메인 ZnO막을 포함하는 전자 소자
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 하지층은 기판, 절연층 또는 반도체층을 포함하는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.