| 1 |
1
Sub-Threshold영역에서 MOSFET를 동작을 시키기 위하여 문턱전압 이하의 전압을 제공하는 Sub-threshold 영역의 전원공급부와;전류모드 회로시스템의 동작을 위한 전류신호를 공급하는 전류신호 공급부와;상기 전류신호 공급부로부터 전류신호를 제공받아 전류모드 신호처리를 수행하는 전류 미러 회로부; 및상기 전류 미러 회로부와 결속되어 트랙동작과 홀드동작에 의해 메모리 타임 동안 신호를 기억하고, 상기 기억의 성능을 저하시키는 클럭 피드스로우를 방지하기 위한 Dummy MOS를 더 구비한 전류 메모리 회로부로 이루어진 것을 특징으로 하는 Sub-threshold MOSFET 동작을 이용한 저전력 전류모드 신호처리 회로
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 전류 메모리 회로부 다음 단에 상기 전류 메모리 회로부와 동일한 전류 메모리 회로부가 다단으로 더 구성된 것을 특징으로 하는 Sub-threshold MOSFET 동작을 이용한 저전력 전류모드 신호처리 회로
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서, 상기 전류 미러 회로부는MOS 트렌지스터 M1, M2, M3, M4 4개로 이루어지고, 상기 M1, M2의 각 소스는 문턱전압 이하 영역에 해당하는 전압을 공급받고 M1, M2의 각 게이트는 서로 연결되며, M1의 드레인은 M3의 드레인과 연결되고 M2의 드레인은 M4의 드레인에 연결되며, M3, M4의 각 게이트는 서로 연결되고 M3, M4의 소스는 접지와 연결됨과 동시에 상기 M1, M3에 연결된 게이트와 상기 M1, M3에 연결된 드레인이 서로 연결되고 상기 M3,M4에 연결된 게이트와 상기 M1, M3에 연결된 드레인이 서로 연결되게 구성된 것을 특징으로 하는 Sub-threshold MOSFET 동작을 이용한 저전력 전류모드 신호처리 회로
|
| 4 |
4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 전류 메모리 회로부는MOS 트렌지스터 M7, M8, M9, M10 4개로 이루어지고, 상기 M7, M8의 소스는 문턱전압 이하 영역에 해당하는 전압을 공급받고 M7, M8의 각 게이트는 서로 연결되며, M8의 드레인은 M10의 드레인에 연결되고 M9의 드레인은 M7의 드레인에 연결되고 M9, M10의 각 게이트는 서로 연결되며, M9, M10의 소스는 접지와 연결됨과 동시에 M7, M8에 연결된 게이트와 상기 M7, M9에 연결된 드레인에 서로 연결되고 상기 M9, M10에 연결된 게이트와 상기 M7, M9에 연결된 드레인이 상기 Dummy MOS의 MOS트랜지스터 M5, M6을 통해 서로 연결되게 구성된 것을 특징으로 하는 Sub-threshold MOSFET 동작을 이용한 저전력 전류모드 신호처리 회로
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서, 상기 Dummy MOS는스위치 1, 2와 MOS 트렌지스터 M5, M6으로 구성되어 상기 전류 미러 회로에구성된 M2, M3 사이에 연결된 드레인으로부터 제공받는 전류를 스위치1에서 스위칭하고 상기 스위치1과 M5의 드레인이 연결되며 M5의 게이트는 인버터의 입력단에 연결되고 M5의 소스는 M6의 드레인에 연결되며, M6의 게이트는 상기 인버터의 출력단과 연결되고 M6의 소스는 상기 전류 메모리 회로의 M9, M10의 게이트 사이에 연결됨과 동시에 인버터의 입력단에 스위치2로 구성된 것을 특징으로 하는 Sub-threshold MOSFET 동작을 이용한 저전력 전류모드 신호처리 회로
|
