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인듐 저감용 아이제트티오 박막이 적용된 피아이 기판 투명전극과 이를 이용한 디바이스 제조방법

  • 기술번호 : KST2015020949
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인듐 저감용 IZTO 박막이 적용된 PI기판 투명전극과 이를 이용한 디바이스 제조방법을 개시한 것으로, 이러한 본 발명은 ITO(Indium Tin Oxide)에 ZnO(Zinc Oxide)를 첨가하여 인듐의 비율을 30% 저감한 IZTO 단일 타켓을 이용하여 펄스 디씨 마그네트론 스퍼터링 방법으로 300℃ 이상의 온도에서 IZTO 박막을 만든 후 이를 PI기판에 증착한 것이며, 이에따라 박막 증착시 결정화를 억제하여 박막의 결정화에 의한 단점을 보완하면서 낮은 공정온도에서 전기적 특성과 비저항성 및 광투과율이 좋은 IZTO 박막의 투명전극을 제조하고, 이러한 IZTO 박막의 투명전극을 양극으로 하여 OLED(Organic Light Emitting Diode) 디바이스는 물론, 고분자 발광다이오드라 불리는 PLED(polymer light emitting diode) 디바이스 및 플렉서블한 디바이스를 제작하면서, 디스플레이 산업에서 ITO를 대체할 수 있도록 하는 것이다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020130061560 (2013.05.30)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1508517-0000 (2015.03.30)
공개번호/일자 10-2014-0140767 (2014.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (20150406) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용성 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구
2 문두경 서울특별시 서초구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0481255-70
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0500431-01
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0013015-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0214143-51
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0498423-76
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0605757-98
8 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2014.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0656864-59
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0691737-24
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0698131-85
11 보정요구서
Request for Amendment
2014.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0130613-18
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-0742553-16
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0816145-59
14 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2014.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0151115-18
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0902129-79
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0902130-15
17 등록결정서
Decision to grant
2015.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0042849-76
18 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.02.16 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0163843-16
19 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2015.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0038796-41
20 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2015.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0059699-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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2 2
삭제
3 3
(1) PI기판을 세척하는 단계;(2) IZTO 단일타겟을 제작하는 단계;(3) 상기 (1)단계에 의해 세척된 PI기판에 상기 (2)단계로부터 제작되는 IZTO 단일타겟을 증착시키는 단계;(4) 상기 (3)단계에 의해 PI기판에 증착되는 IZTO 박막을 초음파 세척하고 수분을 제거하는 단계;(5) 상기 (4)단계에 의해 수분이 제거된 IZTO 박막을 유기물 제거와 친수성 표면을 얻기 위해 UV 크리닝하는 단계;(6) 상기 (5)단계에 의해 UV 크리닝된 IZTO 박막을 패터닝하는 단계;(7) 상기 (6)단계에 의해 패터닝된 IZTO 박막 위에 홀 수송층(HTL)과 발광층(EML)을 순차적으로 코팅하는 단계; 및(8) 상기 (7)단계에 의해 코팅된 발광층(EML) 위에 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 및 전극을 순차적으로 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐 저감용 IZTO 박막이 적용된 PI기판 투명전극을 이용한 디바이스 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 디바이스는 OLED 또는 PLED 또는 플렉서블한 디바이스인 것을 특징으로 하는 인듐 저감용 IZTO 박막이 적용된 PI기판 투명전극을 이용한 디바이스 제조방법
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삭제
6 6
제 3 항에 있어서, 상기 (7)단계에서 상기 홀 수송층(HTL)은 PEDOT:PSS를 스핀코팅의 방법으로 코팅처리하고, 상기 발광층(EML)은 수퍼 옐로우(Super yellow(Covion))를 스핀코팅방법으로 코팅처리하는 것을 특징으로 하는 인듐 저감용 IZTO 박막이 적용된 PI기판 투명전극을 이용한 디바이스 제조방법
7 7
제 3 항에 있어서, 상기 (8)단계에서 상기 전자수송층(ETL)은 BaF2를 증착하고, 상기 전자주입층(EIL)은 Ba를 증착시키는 것을 특징으로 하는 인듐 저감용 IZTO 박막이 적용된 PI기판 투명전극을 이용한 디바이스 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.